SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
IPD60R380C6 Infineon Technologies IPD60R380C6 -
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 100 v - 83W (TC)
STP25N10F7 STMicroelectronics STP25N10F7 1.4300
RFQ
ECAD 90 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP25 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 35mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 920 pf @ 50 v - 50W (TC)
NTTFS4C13NTWG onsemi NTTFS4C13NTWG -
RFQ
ECAD 3651 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 9.4mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 770 pf @ 15 v - 780MW (TA), 21.5W (TC)
GT080N10M Goford Semiconductor GT080N10M 1.5200
RFQ
ECAD 788 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 70A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2125 pf @ 50 v - 100W (TC)
NVMFD5875NLT3G onsemi NVMFD5875NLT3G -
RFQ
ECAD 9537 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMFD5875 MOSFET (금속 (() 3.2W 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 60V 7a 33mohm @ 7.5a, 10V 3V @ 250µA 20NC @ 10V 540pf @ 25V 논리 논리 게이트
NTB65N02R onsemi NTB65N02R -
RFQ
ECAD 8296 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB65 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 65A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 9.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1330 pf @ 20 v - 1.04W (TA), 62.5W (TC)
MCQ15N10YA-TP Micro Commercial Co MCQ15N10YA-TP 1.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCQ15 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 15A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2270 pf @ 50 v - 3.8W (TJ)
IPI12CNE8N G Infineon Technologies IPI12CNE8N g -
RFQ
ECAD 7445 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI12C MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 85 v 67A (TC) 10V 12.6MOHM @ 67A, 10V 4V @ 83µA 64 NC @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 40 v - 125W (TC)
FDC3512 onsemi FDC3512 0.9800
RFQ
ECAD 8276 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC3512 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 3A (TA) 6V, 10V 77mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 634 pf @ 40 v - 1.6W (TA)
FDG6303N onsemi FDG6303N 0.4900
RFQ
ECAD 33 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG6303 MOSFET (금속 (() 300MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 25V 500ma 450mohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 2.3NC @ 4.5V 50pf @ 10V 논리 논리 게이트
NTMFS4H02NT1G onsemi NTMFS4H02NT1G -
RFQ
ECAD 7518 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 37A (TA), 193a (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250µA 38.5 nc @ 10 v ± 20V 2651 pf @ 12 v - 3.13W (TA), 83W (TC)
FDD6770A onsemi FDD6770A -
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD677 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 24A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 24a, 10V 3V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2405 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 65W (TC)
MRF7S19080HSR5 NXP USA Inc. MRF7S19080HSR5 -
RFQ
ECAD 6765 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-780S MRF7 1.99GHz LDMOS NI-780S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 750 MA 24W 18db - 28 v
G6K8P15KE Goford Semiconductor G6K8P15KE 0.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 p 채널 150 v 12A (TC) 10V 800mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 75 v - 60W (TC)
PSMN6R7-40MLDX Nexperia USA Inc. psmn6r7-40mldx 0.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn6r7 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 50A (TA) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 2.15v @ 1ma 31 NC @ 10 v ± 20V 2071 pf @ 20 v - 65W (TA)
PTFC270051M-V2-R0 Wolfspeed, Inc. PTFC270051M-V2-R0 -
RFQ
ECAD 5811 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 10-ldfn n 패드 900MHz ~ 2.7GHz LDMOS PG-SON-10 - rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0075 1,000 1µA 65 MA 5W 19.5dB - 28 v
SPP80N03S2L05 Infineon Technologies SPP80N03S2L05 -
RFQ
ECAD 6003 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
FQA22P10 onsemi FQA22P10 -
RFQ
ECAD 5274 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 24A (TC) 10V 125mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 150W (TC)
CMPDM7002AG BK PBFREE Central Semiconductor Corp CMPDM7002AG BK PBFREE 0.1326
RFQ
ECAD 1278 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 상자 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CMPDM7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.59 nc @ 4.5 v 40V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
APT5024SLLG/TR Microchip Technology APT5024SLLG/TR 8.9376
RFQ
ECAD 7924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT5024 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-APT5024SLLG/TR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 240mohm @ 11a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 265W (TC)
AO7417 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7417 0.1530
RFQ
ECAD 5716 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 AO741 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.9A (TA) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 8V 745 pf @ 10 v - 570MW (TA)
SIRA88BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira88bdp-t1-ge3 0.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira88 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 6.83mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 19 NC @ 10 v +20V, -16V 680 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 17W (TC)
DMT4008LFDF-7 Diodes Incorporated DMT4008LFDF-7 0.2284
RFQ
ECAD 8346 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT4008LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 11.8A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 17.1 NC @ 10 v ± 20V 1179 pf @ 20 v - 800MW (TA)
BUK7Y72-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y72-80EX 0.7000
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y72 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 16A (TC) 10V 72mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 9.8 nc @ 10 v ± 20V 633 pf @ 25 v - 45W (TC)
SI7880ADP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7880ADP-T1-E3 4.1500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7880 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 15 v - 5.4W (TA), 83W (TC)
AO4813L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4813L -
RFQ
ECAD 6773 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO481 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 7.1A (TA) 25mohm @ 7.1a, 10V 2.7V @ 250µA 30.9NC @ 10V 1573pf @ 15V -
IRF7103Q Infineon Technologies IRF7103Q -
RFQ
ECAD 3804 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF71 MOSFET (금속 (() 2.4W 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 2 n 채널 (채널) 50V 3A 130mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 15NC @ 10V 255pf @ 25V -
MW6S010GMR1 NXP USA Inc. MW6S010GMR1 -
RFQ
ECAD 8184 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 68 v 표면 표면 TO-270BA MW6S010 960MHz LDMOS TO-270-2 -2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 - 125 MA 10W 18db - 28 v
DMP3036SFVQ-13 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-13 0.2223
RFQ
ECAD 7551 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3036 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 31-DMP3036SFVQ-13 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.7A (TA), 30A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 900MW (TA)
RFD16N05SM onsemi RFD16N05SM -
RFQ
ECAD 1417 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFD16 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RFD16N05SM-NDR 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 16A (TC) 10V 47mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 20 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 72W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고