SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
PTFA091201E-V4-R250 Wolfspeed, Inc. PTFA091201E-V4-R250 -
RFQ
ECAD 8660 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드 PTFA091201 960MHz LDMOS H-36248-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 250 10µA 750 MA 110W 19db - 28 v
IRF624SPBF Vishay Siliconix IRF624SPBF 2.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF624 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF624SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 4.4A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
HUF75333P3 onsemi HUF75333P3 -
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 66A (TC) 10V 16mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 20 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014ntrpbf 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 1.9A (TA) 10V 160mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1W (TA)
AUIRFS4115-7TRL Infineon Technologies AUIRFS4115-7TRL -
RFQ
ECAD 9583 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) AUIRFS4115 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001521180 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 105A (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5320 pf @ 50 v - 380W (TC)
SI4420DYTR Infineon Technologies si4420dytr -
RFQ
ECAD 2055 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 2240 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
UPA1763G(0)-E1-AT Ampleon USA Inc. UPA1763G (0) -e1 -at -
RFQ
ECAD 3438 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-UPA1763G (0) -E1-AT 1
NTF5P03T3G onsemi NTF5P03T3G 1.0200
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ECAD 18 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NTF5P03 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 3.7A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 5.2a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 1.56W (TA)
UM6K1N-TP Micro Commercial Co UM6K1N-TP -
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ECAD 9550 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UM6K1 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-363 다운로드 353-UM6K1N-TP 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 30V 100ma 8ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa - 13pf @ 5V -
BLM10D1822-60ABGZ Ampleon USA Inc. BLM10D1822-60ABGZ 48.3700
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ECAD 490 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 활동적인 - BLM10 - - - 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.33.0001 90 - - - - -
NTR4502PT1G onsemi ntr4502pt1g 0.4600
RFQ
ECAD 9956 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR4502 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.13A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.95a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 200 pf @ 15 v - 400MW (TJ)
IRFB7740PBF Infineon Technologies IRFB7740PBF 1.5100
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ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7740 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 87A (TC) 6V, 10V 7.3mohm @ 52a, 10V 3.7v @ 100µa 122 NC @ 10 v ± 20V 4650 pf @ 25 v - 143W (TC)
TK6A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk6a60d (sta4, q, m) -
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK6A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) tk6a60dsta4qm 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6A (TA) 10V 1.25ohm @ 3a, 10V 4V @ 1MA 16 nc @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 40W (TC)
2N6661JTX02 Vishay Siliconix 2N6661JTX02 -
RFQ
ECAD 1080 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
IRLS3034PBF Infineon Technologies IRLS3034PBF -
RFQ
ECAD 3303 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 195a, 10V 2.5V @ 250µA 162 NC @ 4.5 v ± 20V 10315 pf @ 25 v - 375W (TC)
TPD3215M Transphorm TPD3215M -
RFQ
ECAD 1288 0.00000000 반죽 - 대부분 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 기준 기준 TPD3215 Ganfet ((갈륨) 470W 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 교량) 600V 70A (TC) 34mohm @ 30a, 8v - 28NC @ 8V 2260pf @ 100v -
STP80NF55-06FP STMicroelectronics STP80NF55-06FP -
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ECAD 6570 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STP80N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 60A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 45W (TC)
PHP83N03LT,127 NXP USA Inc. php83n03lt, 127 -
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP83 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 25 v 75A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 33 NC @ 5 v ± 15V 1660 pf @ 25 v - 115W (TC)
ECH8651R-TL-H onsemi ECH8651R-TL-H -
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ECAD 6001 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 ech8651 MOSFET (금속 (() 1.5W 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 24V 10A 14mohm @ 5a, 4.5v - 24NC @ 10V - 논리 논리 게이트
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated DMG4466SSSSS-13 0.4400
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4466 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 478.9 pf @ 15 v - 1.42W (TA)
TP2522N8-G Microchip Technology TP2522N8-G 1.3900
RFQ
ECAD 3537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA TP2522 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 220 v 260MA (TJ) 4.5V, 10V 12ohm @ 200ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 125 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
IRFR3505PBF Infineon Technologies IRFR3505PBF -
RFQ
ECAD 3518 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 13mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 140W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고