SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
RFD15N06LESM Harris Corporation RFD15N06LESM 0.4300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 15a - - - - - -
FDA20N50 Fairchild Semiconductor FDA20N50 3.1900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모 쓸모 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 230mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 59.5 nc @ 10 v 3120 pf @ 25 v -
APT5010LVRG Microchip Technology APT5010LVRG 18.4400
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT5010 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 47A (TC) 100mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 470 nc @ 10 v 8900 pf @ 25 v -
CAS380M17HM3 Wolfspeed, Inc. CAS380M17HM3 4.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 CAS380 실리콘 실리콘 (sic) 50MW 기준 기준 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 1700V (1.7kv) 532A (TC) 3.74mohm @ 380a, 15V 3.6V @ 152MA 1494NC @ 15V 4700pf @ 1200V -
FCB11N60TM onsemi FCB11N60TM 3.4700
RFQ
 ECAD 9940 0.00000000 온세미 Superfet ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FCB11N60 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1490 pf @ 25 v - 125W (TC)
MRF21010LSR5 NXP USA Inc. MRF21010LSR5 -
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 65 v 섀시 섀시 NI-360S MRF21 2.17GHz LDMOS NI-360S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 50 - 100 MA 10W 13.5dB - 28 v
SPP15P10PHXKSA1 Infineon Technologies spp15p10phxksa1 -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp15p MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 100 v 15A (TC) 10V 240mohm @ 10.6a, 10V 2.1V @ 1.54ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1280 pf @ 25 v - 128W (TC)
BSO612CVGXUMA1 Infineon Technologies BSO612CVGXUMA1 0.4700
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 2,500
FCPF11N60T onsemi fcpf11n60t 3.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF11 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1490 pf @ 25 v - 36W (TC)
IXTK22N100L IXYS IXTK22N100L 46.7100
RFQ
 ECAD 4127 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK22 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 1000 v 22A (TC) 20V 600mohm @ 11a, 20V 5V @ 250µA 270 nc @ 15 v ± 30V 7050 pf @ 25 v - 700W (TC)
CPH3325-TL-E onsemi CPH3325-TL-E 0.1100
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
NVMFS5C442NWFT3G onsemi NVMFS5C442NWFT3G -
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
SI5457DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5457DC-T1-GE3 0.5700
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5457 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6A (TC) 2.5V, 4.5V 36mohm @ 4.9a, 4.5v 1.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 12V 1000 pf @ 10 v - 5.7W (TC)
IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R050CFD7AXKSA1 12.6000
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ CFD7A 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R050 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 45A (TC) 10V 50mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24ma 102 NC @ 10 v ± 20V 4975 pf @ 400 v - 227W (TC)
IRF540ZSPBF Infineon Technologies IRF540ZSPBF -
RFQ
 ECAD 8346 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
STD5N62K3 STMicroelectronics STD5N62K3 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5N62 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 620 v 4.2A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.1a, 10V 4.5V @ 50µA 26 NC @ 10 v ± 30V 680 pf @ 50 v - 70W (TC)
IRF820S Vishay Siliconix IRF820S -
RFQ
 ECAD 8597 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF820 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 50W (TC)
IRF1010ZL Infineon Technologies IRF1010ZL -
RFQ
 ECAD 9312 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1010ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRF3710ZSPBF Infineon Technologies IRF3710ZSPBF -
RFQ
 ECAD 4856 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 18mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 160W (TC)
MKE38P600LB-TRR IXYS mke38p600lb-trr 34.7130
RFQ
 ECAD 7290 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 9-SMD 모듈 MKE38P600 MOSFET (금속 (() Isoplus-SMPD ™ .B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 600 v 50A (TC) - - - -
FDN371N onsemi FDN371N -
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN371 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 50mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10.7 NC @ 4.5 v ± 12V 815 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SI7411DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7411DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7411 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.5A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 11.4a, 4.5v 1V @ 300µA 41 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
2SK425-T1B-A Renesas 2SK425-T1B-A -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 - 2156-2SK425-T1B-A 1
STF7NM60N STMicroelectronics stf7nm60n 2.8300
RFQ
 ECAD 849 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 5 팩 STF7 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 363 pf @ 50 v - 20W (TC)
IRFPG30 Vishay Siliconix IRFPG30 -
RFQ
 ECAD 9904 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPG30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPG30 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 1000 v 3.1A (TC) 10V 5ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 980 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFPS3815PBF Infineon Technologies IRFPS3815PBF -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-274AA MOSFET (금속 (() Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 150 v 105A (TC) 10V 15mohm @ 63a, 10V 5V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 30V 6810 pf @ 25 v - 441W (TC)
UPD70F3417GCA-V02-UEU-X3-Q-G Renesas Electronics America Inc Upd70F3417GCA-V02-ueu-x3-Qg -
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모 쓸모 - Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1
BUK9E06-55B,127 Nexperia USA Inc. BUK9E06-55B, 127 -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 60 nc @ 5 v ± 15V 7565 pf @ 25 v - 258W (TC)
BLC9G22LS-160VTY Ampleon USA Inc. BLC9G22LS-160VTY 66.6600
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 65 v SOT-1271-3 blc9 2.11GHz ~ 2.2GHz LDMOS SOT-1271-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 934960066518 귀 99 8541.29.0075 100 2.8µA 864 MA 35W 18.4dB - 28 v
SQJ992EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj992ep-t1_ge3 1.3900
RFQ
 ECAD 5070 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 듀얼 SQJ992 MOSFET (금속 (() 34W PowerPak® SO-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 15a 56.2mohm @ 3.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12NC @ 10V 446pf @ 30v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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