전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | TK10P60W, RVQ | 3.0400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Tk10p60 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 9.7A (TA) | 10V | 430mohm @ 4.9a, 10V | 3.7V @ 500µA | 20 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 300 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||
![]() | PTFA092213FLV5R250XTMA1 | - | ![]() | 5938 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | 960MHz | LDMOS | H-34288-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000865648 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 250 | - | 1.85 a | 200W | 17.5dB | - | 30 v | ||||||||||||||||
![]() | FDS4141 | - | ![]() | 3361 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS41 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 10.8A (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 10.5a, 10V | 3V @ 250µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2670 pf @ 20 v | - | 5W (TA) | |||||||||||
![]() | PTFA092213ELV4R250XTMA2 | - | ![]() | 1987 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001128134 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||
SUP70042E-GE3 | 3.0700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SUP70042E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 6490 pf @ 50 v | - | 278W (TC) | |||||||||||||
zxmp6a13fta-50 | 0.1426 | ![]() | 2550 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMP6A13 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 31-zxmp6a13fta-50 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.1A (TA) | 4.5V, 10V | 400mohm @ 900ma, 10V | 3V @ 250µA | 5.9 NC @ 10 v | ± 20V | 219 pf @ 30 v | - | 625MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | MAPG-002729-350L00 | - | ![]() | 1776 | 0.00000000 | Macom 기술 솔루션 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 55 v | - | 2.7GHz ~ 2.9GHz | - | - | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 10 | - | 10A | 500 MA | 400W | 11.5dB | - | 50 v | ||||||||||||||||||
![]() | 5HN01S-TL-E | - | ![]() | 6647 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | 5HN01 | SMCP | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD3N60TF | 0.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 2.4A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 450 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||
![]() | irlml2402trpbf | 0.4800 | ![]() | 173 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | IRLML2402 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.2A (TA) | 2.7V, 4.5V | 250mohm @ 930ma, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 3.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 110 pf @ 15 v | - | 540MW (TA) | |||||||||||
![]() | IPP075N15N3GXKSA1 | 5.9100 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP075 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 100A (TC) | 8V, 10V | 7.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 5470 pf @ 75 v | - | 300W (TC) | |||||||||||
![]() | SIHF640S-GE3 | 2.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHF640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | ||||||||||||
![]() | IPD30N06S2L23ATMA1 | - | ![]() | 7362 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD30N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 22a, 10V | 2V @ 50µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1091 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||
![]() | IRF7580MTRPBF | 1.2600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 국제 국제 | Strongirfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 나 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ ™ 메트릭 나 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 238 | n 채널 | 60 v | 114A (TC) | 6V, 10V | 3.6mohm @ 70a, 10V | 3.7V @ 150µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 6510 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | |||||||||||||||
![]() | JAN2N6782U | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/556 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 3.5A (TC) | 10V | 610mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 8.1 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 15W (TC) | |||||||||||||
![]() | APT10021JLL | 99.2310 | ![]() | 6280 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT10021 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 37A (TC) | 10V | 210mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 5MA | 395 NC @ 10 v | ± 30V | 9750 pf @ 25 v | - | 694W (TC) | |||||||||||
![]() | GTRA364002FC-V1-R2 | 208.1408 | ![]() | 4439 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 125 v | 표면 표면 | H-37248C-4 | GTRA364002 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | 헴 | H-37248C-4 | 다운로드 | 1697-GTRA364002FC-V1-R2TR | 3A001B3 | 8541.29.0075 | 250 | - | 220 MA | 400W | 13db | - | 48 v | |||||||||||||||||
![]() | UPA2810T1L-E2-ay | 1.0100 | ![]() | 170 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 13A (TA) | 12MOHM @ 13A, 10V | 2.5V @ 1mA | 40 nc @ 10 v | 1860 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | IXTN62N50L | 74.2900 | ![]() | 8096 | 0.00000000 | ixys | 선의 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXTN62 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixtn62n50l | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 500 v | 62A (TC) | 20V | 100mohm @ 500ma, 20V | 5V @ 250µA | 550 NC @ 20 v | ± 30V | 11500 pf @ 25 v | - | 800W (TC) | ||||||||||
![]() | ISC058N04NM5ATMA1 | 1.2100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISC058N | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 17A (TA), 63A (TC) | 7V, 10V | 5.8mohm @ 31a, 10V | 3.4V @ 13µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 20 v | - | 3W (TA), 42W (TC) | |||||||||||
![]() | FDD7N20TM | 0.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD7N20 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 5A (TC) | 10V | 690mohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250µA | 6.7 NC @ 10 v | ± 30V | 250 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||||||||||
![]() | IXTQ42N25P | 5.6000 | ![]() | 26 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ42 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 42A (TC) | 10V | 84mohm @ 500ma, 10V | 5.5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 20V | 2300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||
![]() | irfr9020trlpbf | 0.8803 | ![]() | 1998 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR9020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 50 v | 9.9A (TC) | 10V | 280mohm @ 5.7a, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMN2310UTQ-13 | 0.0589 | ![]() | 1429 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMN2310 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMN2310UTQ-13TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 1.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 240mohm @ 300ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 8V | 38 pf @ 10 v | - | 290MW (TA) | ||||||||||||
![]() | SI7405BDN-T1-GE3 | - | ![]() | 3273 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7405 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 16A (TC) | 1.8V, 4.5V | 13.5A, 4.5V | 1V @ 250µA | 115 NC @ 8 v | ± 8V | 3500 pf @ 6 v | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||
![]() | MRF8P9210NR3 | - | ![]() | 1418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 70 v | NI-780-4 | MRF8P9210 | 960MHz | MOSFET | NI-780-4 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 935321673528 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | - | 750 MA | 63W | 16.8dB | - | 28 v | ||||||||||||||
![]() | FDN371N | - | ![]() | 2746 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | FDN371 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 10.7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 815 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
![]() | irlml2402tr | - | ![]() | 6495 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | Micro3 ™/SOT-23 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.2A (TA) | 250mohm @ 930ma, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 3.9 NC @ 4.5 v | 110 pf @ 15 v | - | ||||||||||||||||
![]() | MCPF90N12A-BP | 2.9400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MCPF90 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 353-MCPF90N12A-BP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 120 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 45a, 10V | 3V @ 250µA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 4600 pf @ 60 v | - | 78W | ||||||||||
![]() | MRF8HP21080HR3 | - | ![]() | 1925 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | NI-780-4 | MRF8 | 2.17GHz | LDMOS | NI-780-4 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935310794128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | 이중 | - | 150 MA | 16W | 14.4dB | - | 28 v |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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