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JANS1N5313-1/TR Microchip Technology JANS1N5313-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5313-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
1N5296UR-1 Microchip Technology 1N5296UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 7449 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5296 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5304 Solid State Inc. 1N5304 1.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5304 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-1N5304 귀 99 8541.10.0080 10
JAN1N5283UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5283ur-1/tr 36.6000
RFQ
ECAD 6802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5283UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JAN1N5291UR-1 Microchip Technology Jan1n5291ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 1925 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JAN1N5296-1 Microchip Technology Jan1n5296-1 31.5150
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5296 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
1N5295UR-1/TR Microchip Technology 1N5295UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5295 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5295ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5293-1/TR Microchip Technology JANS1N5293-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5287-1 Microchip Technology 1N5287-1 18.7800
RFQ
ECAD 8680 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANS1N5296-1/TR Microchip Technology JANS1N5296-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 5147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5296-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
CDLL5285/TR Microchip Technology CDLL5285/tr 25.2900
RFQ
ECAD 9753 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5285/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 297µA 1V
JANTXV1N5307UR-1 Microchip Technology jantxv1n5307ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JAN1N5300UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5300ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 1515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5300UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5288/TR Microchip Technology 1N5288/tr 18.7950
RFQ
ECAD 1991 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5288 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5288/tr 100 100V 429µA 1.05V
JAN1N5304UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5304ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 7448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5304UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5293/TR Microchip Technology 1N5293/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5293/tr 100 100V 748µA 1.15V
1N5310 Solid State Inc. 1N5310 2.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Solid State Inc. - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5310 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2383-1N5310 귀 99 8541.10.0080 10
JANTX1N5290UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5290ur-1/tr 30.2100
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5290ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANTX1N5305UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5305ur-1/tr 36.1950
RFQ
ECAD 8520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5305 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5305ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANTX1N5297-1/TR Microchip Technology jantx1n5297-1/tr 33.5400
RFQ
ECAD 2879 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5297-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
1N5314/TR Microchip Technology 1N5314/tr 18.8100
RFQ
ECAD 1957 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5314 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5314/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
CDLL7049 Microchip Technology CDLL7049 68.1450
RFQ
ECAD 6915 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7049 1
JAN1N5293UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5293ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5293UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANTX1N5289-1 Microchip Technology JANTX1N5289-1 33.9900
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5311UR-1 Microchip Technology jantxv1n5311ur-1 40.8000
RFQ
ECAD 6781 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5311 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고