SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on) 전류 전류 (ID) - 최대
SIA907EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
ECAD 785 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 듀얼 SIA907 MOSFET (금속 (() 7.8W PowerPak® SC-70-6 듀얼 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.5A (TC) 57mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 23NC @ 10V - 논리 논리 게이트
SST4416-E3 Vishay Siliconix SST4416-E3 -
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST4416 350 MW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 2.2pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 3 v @ 1 na
SST5484-E3 Vishay Siliconix SST5484-E3 -
RFQ
ECAD 8855 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST5484 350 MW SOT-23 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 5pf @ 15V 25 v 1 ma @ 15 v 300 MV @ 10 NA
2N4119A-E3 Vishay Siliconix 2N4119A-E3 -
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 2N4119 300MW TO-206AF (TO-72) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 n 채널 3pf @ 10V 40 v 200 µa @ 10 v 2 v @ 1 na
2N4392-2 Vishay Siliconix 2N4392-2 -
RFQ
ECAD 8641 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4392 1.8 w TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 14pf @ 20V 40 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
2N4860JTX02 Vishay Siliconix 2N4860JTX02 -
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4860 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
2N4861JTXL02 Vishay Siliconix 2N4861JTXL02 -
RFQ
ECAD 1981 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4861 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 40 - -
2N5114JTXV02 Vishay Siliconix 2N5114JTXV02 -
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5114 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
2N5115 Vishay Siliconix 2N5115 -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 200 - -
2N5115JTVL02 Vishay Siliconix 2N5115JTVL02 -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5115 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTVL02 Vishay Siliconix 2N5116JTVL02 -
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix 2N5116JTXL02 -
RFQ
ECAD 4372 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N5116 TO-206AA (TO-18) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 20 - -
3N163-E3 Vishay Siliconix 3N163-E3 -
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 Vishay Siliconix - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 3N163 MOSFET (금속 (() To-72 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 p 채널 40 v 50MA (TA) 20V 250ohm @ 100µa, 20V 5V @ 10µA ± 30V 3.5 pf @ 15 v - 375MW (TA)
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-Y (TE85L, F) 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK208 100MW S- 미니 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8.2pf @ 10V 50 v 1.2 ma @ 10 v 400 mV @ 100 NA 6.5 MA
IPB65R225C7ATMA1 Infineon Technologies IPB65R225C7ATMA1 -
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 225mohm @ 4.8a, 10V 4V @ 240µA 20 nc @ 10 v ± 20V 996 pf @ 400 v - 63W (TC)
2SK2848 Sanken 2SK2848 -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 산켄 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK2848 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 3.8ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 290 pf @ 10 v - 30W (TC)
STF40N60M2 STMicroelectronics STF40N60M2 6.2700
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF40 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 34A (TC) 10V 88mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 25V 2500 pf @ 100 v - 40W (TC)
IRFB7534PBF Infineon Technologies IRFB7534PBF 2.5400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7534 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 279 NC @ 10 v ± 20V 10034 pf @ 25 v - 294W (TC)
IRFB7537PBF Infineon Technologies IRFB7537PBF 2.2100
RFQ
ECAD 72 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7537 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 173A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 150µA 210 nc @ 10 v ± 20V 7020 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRFP7530PBF Infineon Technologies IRFP7530PBF 3.6100
RFQ
ECAD 652 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP7530 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001560520 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 v ± 20V 13703 pf @ 25 v - 341W (TC)
IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies IRFS7537TRLPBF 2.3100
RFQ
ECAD 4168 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS7537 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 173A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 150µA 210 nc @ 10 v ± 20V 7020 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies IRFS7540TRLPBF 2.3200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS7540 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 110A (TC) 6V, 10V 5.1mohm @ 65a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4555 pf @ 25 v - 160W (TC)
AOD3C50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD3C50 -
RFQ
ECAD 9213 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD3 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.2a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 662 pf @ 100 v - 83W (TC)
SIR172ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir172ADP-T1-GE3 0.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir172 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 29.8W (TC)
STL4N10F7 STMicroelectronics stl4n10f7 0.8600
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL4 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (3.3x3.3) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.5A (TA), 18A (TC) 10V 70mohm @ 2.25a, 10V 4.5V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 408 pf @ 50 v - 2.9W (TA), 50W (TC)
DMP1555UFA-7B Diodes Incorporated DMP1555UFA-7B 0.3700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP1555 MOSFET (금속 (() X2-DFN0806-3 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 12 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 800mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.84 nc @ 4.5 v ± 8V 55.4 pf @ 10 v - 360MW (TA)
IRFU7540PBF Infineon Technologies IRFU7540PBF -
RFQ
ECAD 4301 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU7540 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565384 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 90A (TC) 6V, 10V 4.8mohm @ 66a, 10V 3.7v @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 4360 pf @ 25 v - 140W (TC)
RF4E110GNTR Rohm Semiconductor rf4e110gntr 0.5600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E110 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 20V 504 pf @ 15 v - 2W (TA)
IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies IRFS7730TRLPBF 2.0637
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS7730 MOSFET (금속 (() d²pak (to-263ab) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 195a (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 250µA 407 NC @ 10 v ± 20V 13660 pf @ 25 v - 375W (TC)
MMBFJ175LT3G onsemi MMBFJ175LT3G 0.4500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBFJ175 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 11pf @ 10V (VGS) 30 v 7 ma @ 15 v 3 V @ 10 NA 125 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고