전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AO3402 | 0.4600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-SMD, SOT-23-3 변형 | AO34 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4A (TA) | 2.5V, 10V | 55mohm @ 4a, 10V | 1.4V @ 250µA | 4.34 NC @ 4.5 v | ± 12V | 390 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0703DPP-E0#T2 | - | ![]() | 3831 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 75 v | 70A (TA) | 10V | 6.7mohm @ 35a, 10V | - | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 4150 pf @ 10 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK4002DPP-M0#T2 | - | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RJK4002 | MOSFET (금속 (() | TO-220FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 400 v | 3A (TA) | 10V | 2.9ohm @ 1.5a, 10V | - | 6 NC @ 100 v | ± 30V | 165 pf @ 25 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6013DPP-E0#T2 | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 11A (TA) | 10V | 700mohm @ 5.5a, 10V | - | 37.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1450 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6015DPK-00#T0 | - | ![]() | 4963 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RJK6015 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 21A (TA) | 10V | 360mohm @ 10.5a, 10V | - | 67 NC @ 10 v | ± 30V | 2600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJL5014DPK-00#T0 | - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RJL5014 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 19A (TA) | 10V | 400mohm @ 9.5a, 10V | - | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2735GR-E1-AT | - | ![]() | 9707 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersoic (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 16a, 10V | - | 195 NC @ 10 v | ± 20V | 6250 pf @ 10 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | j2a012yxs/t1ay403, | - | ![]() | 5258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | J2A0 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 935296266118 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 12,500 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A080GX0/T0BG295, | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | - | J2A080 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 935292489118 | 0000.00.0000 | 12,500 | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J3A012YXS/T0BY4551 | - | ![]() | 2710 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | J3A0 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 935295939118 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 12,500 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y12-80E, 115 | - | ![]() | 6558 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y12 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934067028115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9Y3R5-40E, 115 | 1.5500 | ![]() | 5414 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y3 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 5V | 3.6mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 30.2 NC @ 5 v | ± 10V | 5137 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | AO4892 | 0.2741 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO489 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 100V | 4a | 68mohm @ 4a, 10V | 2.8V @ 250µA | 12NC @ 10V | 415pf @ 50V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF5B60D | 0.7934 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF5 | 기준 | 31.2 w | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 5A, 60ohm, 15V | 98 ns | - | 600 v | 14 a | 20 a | 1.8V @ 15V, 5A | 140µJ (on), 40µJ (OFF) | 9.4 NC | 12ns/83ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4078DPBF | - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 278 w | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001540792 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | 도랑 | 600 v | 74 a | 150 a | 2.2V @ 15V, 50A | 1.1mj (OFF) | 92 NC | -/116ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4pc50ud-mp | - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfred® | 가방 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRG4PC50 | 기준 | 200 w | TO-247AC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | 75 ns | - | 600 v | 55 a | 220 a | 2V @ 15V, 27A | - | 270 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGR4045DTRRPBF | - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRGR4045 | 기준 | 77 w | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001533062 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 400V, 6A, 47ohm, 15V | 74 ns | 도랑 | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V, 6A | 56µJ (on), 122µJ (OFF) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS4064DTRLPBF | - | ![]() | 4903 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 101 w | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001535958 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 10A, 22ohm, 15V | 62 ns | 도랑 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.91V @ 15V, 10A | 29µJ (on), 200µJ (OFF) | 32 NC | 27ns/79ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4266-EPBF | - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 450 w | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001549758 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 75A, 10ohm, 15V | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 3.2mj (on), 1.7mj (OFF) | 210 NC | 80ns/200ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8570SDC | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS85 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 28A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 28a, 10V | 2.2v @ 1ma | 42 NC @ 10 v | ± 12V | 2825 pf @ 13 v | Schottky Diode (Body) | 3.3W (TA), 59W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXYH40N120B3D1 | 11.2500 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXYH40 | 기준 | 480 W. | TO-247 (IXYH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 10ohm, 15V | 100 ns | - | 1200 v | 86 a | 180 a | 2.9V @ 15V, 40A | 2.7mj (on), 1.6mj (OFF) | 87 NC | 22ns/177ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDB38N30U | 3.3200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB38N30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 120mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 73 NC @ 10 v | ± 30V | 3340 pf @ 25 v | - | 313W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1430JP | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30V | 로드로드 | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | FDMA14 | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2.9A | npn, p p | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP4640DPBF | - | ![]() | 7707 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRGP4640 | 기준 | 250 W. | TO-247AD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V, 24A, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 v | 65 a | 72 a | 1.9V @ 15V, 24A | 115µJ (on), 600µJ (OFF) | 75 NC | 41NS/104NS | |||||||||||||||||||||||
STP77N6F6 | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP77N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 77A (TC) | 10V | 7mohm @ 38.5a, 10V | 4V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
stp105n3ll | 1.5200 | ![]() | 830 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ vi | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP105 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXXX110N65B4H1 | 18.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Genx4 ™, XPT ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXXX110 | 기준 | 880 W. | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 55A, 2ohm, 15V | 100 ns | Pt | 650 v | 240 a | 630 a | 2.1V @ 15V, 110A | 2.2mj (on), 1.05mj (OFF) | 183 NC | 38ns/156ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | IXGF20N300 | 52.7600 | ![]() | 9677 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | i4 -pac ™ -5 (3 리드) | IXGF20 | 기준 | 100 W. | Isoplus i4-Pac ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | - | - | 3000 v | 22 a | 103 a | 3.2V @ 15V, 20A | - | 31 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGT2N250 | 68.3600 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXGT2 | 기준 | 32 W. | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 2500 v | 5.5 a | 13.5 a | 3.1V @ 15V, 2A | - | 10.5 NC | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BD650-S | - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD650 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | BD650S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 8 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 50MA, 5A | 750 @ 3a, 3v | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고