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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr)
XLH335052.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335052.000000X -
RFQ
ECAD 8736 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 52MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335024.000000X Renesas Electronics America Inc XLH335024.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335095.000000I Renesas Electronics America Inc XLH335095.000000I -
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 95MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH525050.000000X Renesas Electronics America Inc XLH525050.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH525 50MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 50ppm - -
XLH530003.686400X Renesas Electronics America Inc XLH530003.686400X 1.4696
RFQ
ECAD 6192 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 3.6864 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH530066.670000I Renesas Electronics America Inc XLH530066.670000I -
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 66.67 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 100ppm - -
XLH530018.432000I Renesas Electronics America Inc XLH530018.432000I 1.5698
RFQ
ECAD 9116 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 18.432 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH530012.000000I Renesas Electronics America Inc XLH530012.000000I 1.0187
RFQ
ECAD 9097 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 12MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH530007.372800I Renesas Electronics America Inc XLH530007.372800I 1.5698
RFQ
ECAD 9310 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH530 7.3728 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 100ppm - -
XLH535133.250000X Renesas Electronics America Inc XLH535133.250000X -
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 133.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535050.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535050.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 4093 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 50MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535038.700000X Renesas Electronics America Inc XLH535038.700000X -
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 38.7 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535028.636300X Renesas Electronics America Inc XLH535028.636300X -
RFQ
ECAD 7861 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 28.6363 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535027.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535027.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 5593 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535025.040000X Renesas Electronics America Inc XLH535025.040000X 2.1800
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 25.04 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535016.000000X Renesas Electronics America Inc XLH535016.000000X 0.9352
RFQ
ECAD 8643 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 16MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535250.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535250.000000I 2.4100
RFQ
ECAD 6326 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 250MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535098.304000I Renesas Electronics America Inc XLH535098.304000I 1.5698
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 98.304 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535096.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535096.000000I -
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 96 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH535026.666000I Renesas Electronics America Inc XLH535026.666000I -
RFQ
ECAD 1567 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 26.666 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535006.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535006.000000I -
RFQ
ECAD 2936 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 6MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH535004.000000I Renesas Electronics America Inc XLH535004.000000I -
RFQ
ECAD 6455 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH535 4 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH536034.650000X Renesas Electronics America Inc XLH536034.650000X -
RFQ
ECAD 4313 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 34.65 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536194.304000I Renesas Electronics America Inc XLH536194.304000I -
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 194.304 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536160.512000I Renesas Electronics America Inc XLH536160.512000I -
RFQ
ECAD 9206 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 160.512 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536075.600000I Renesas Electronics America Inc XLH536075.600000I 1.7034
RFQ
ECAD 5122 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 75.6 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 25ppm - -
XLH536019.660800I Renesas Electronics America Inc XLH536019.660800I -
RFQ
ECAD 1345 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 19.6608 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536017.203200I Renesas Electronics America Inc XLH536017.203200I -
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 17.2032 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLH538250.000000X Renesas Electronics America Inc XLH538250.000000X -
RFQ
ECAD 4018 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH538 250MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 60ma 결정 ± 20ppm - -
XLH538125.000000X Renesas Electronics America Inc XLH538125.000000X -
RFQ
ECAD 3006 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Xpresso ™ FXO-HC53 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH538 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 20ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고