SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 특징 기본 기본 번호 입력 입력 출력 출력 회로 회로 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 논리 논리 요소 요소 요소 요소 비트 당 전류 - 높음 출력, 낮음 기능 현재 -Quiescent (최대) 입력 입력 시계 시계 전압 전압 트리거 트리거 cl 현재 -Quiescent (iq) 입력 입력 입력 입력 레벨 - 낮음 입력 입력 레벨 - 높음 회로 독립 독립
74AUP1G86GW-Q100125 NXP USA Inc. 74AUP1G86GW-Q100125 0.0700
RFQ
ECAD 135 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q100, 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 74AUP1G86 1 0.8V ~ 3.6V 5-TSSOP 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 4,287 xor (또는 독점) 4MA, 4MA 500 NA 2 7.1ns @ 3.3v, 30pf - -
54S175FM National Semiconductor 54S175FM 3.0700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 국가 국가 54S 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-cflatpack D- 타입 54S175 보완 보완 4.5V ~ 5.5V 16-cfp 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 1 4 - 마스터 마스터 75MHz 긍정적 긍정적 가장자리 17ns @ 5V, 15pf 96 MA
SN74HC08N-P2 Texas Instruments SN74HC08N-P2 -
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 4 2V ~ 6V 14-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-SN74HC08N-P2 1 그리고 그리고 5.2MA, 5.2MA 2 µA 2 17ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
5962-8776001SRA Texas Instruments 5962-8776001SRA -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-5962-8776001SRA 1
SN74ACT08PWRG4 Texas Instruments SN74ACT08PWRG4 0.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 74ACT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) - 74Act08 4 4.5V ~ 5.5V 14-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 그리고 그리고 24MA, 24MA 2 µA 2 9NS @ 5V, 50pf 0.8V 2V
MC14027BF onsemi MC14027BF -
RFQ
ECAD 1948 0.00000000 온세미 4000B 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) JK 유형 보완 보완 3V ~ 18V 16- Ooeaj - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-MC14027BF-488 1 2 1 8.8ma, 8.8ma 설정 (설정 사전) 및 재설정 13MHz 긍정적 긍정적 가장자리 100ns @ 15V, 50pf 4 µA 5 pf
74LVC3G07GT,115 NXP Semiconductors 74LVC3G07GT, 115 0.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 nxp 반도체 74LVC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-xfdfn 74LVC3G07 - 열린 열린 1.65V ~ 5.5V 8-XSON (1.95X1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVC3G07GT, 115-954 귀 99 8542.39.0001 3,651 버퍼, 반전 비 3 1 -, 32MA
74AUP1G79GM,115 NXP Semiconductors 74AUP1G79GM, 115 0.0800
RFQ
ECAD 355 0.00000000 nxp 반도체 74AUP 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 6-xfdfn D- 타입 74AUP1G79 비 비 0.8V ~ 3.6V 6- XSON, SOT886 (1.45x1) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AUP1G79GM, 115-954 3,963 1 1 4MA, 4MA 기준 309 MHz 긍정적 긍정적 가장자리 5.8ns @ 3.3v, 50pf 500 NA 0.8 pf
SN74AC244NE4 Texas Instruments SN74AC244NE4 0.5394
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 텍사스 텍사스 74AC 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 구멍을 구멍을 20-DIP (0.300 ", 7.62mm) - 3 국가 2V ~ 6V 20-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 296-SN74AC244NE4 귀 99 8542.39.0001 20 버퍼, 반전 비 2 4 24MA, 24MA
MC74HCU04AFR1 onsemi MC74HCU04AFR1 0.0900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 74HCU 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.209 ", 5.30mm 너비) - 74HCU04 4 2V ~ 6V 14 -Soic - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 1,000 xnor (독점 독점 아니오) 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 12NS @ 6V, 50pf 0.3V ~ 1.1V 1.7V ~ 4.8V
74LVT245D,112 NXP Semiconductors 74LVT245D, 112 0.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 nxp 반도체 74LVT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74LVT245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 20- 의자 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74LVT245D, 112-954 1 트랜시버, 반전 비 1 8 32MA, 64MA
74LVC1G386GW/S400125 NXP USA Inc. 74LVC1G386GW/S400125 0.1200
RFQ
ECAD 87 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 74LVC1G386 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000
DM74157N onsemi DM74157N -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 온세미 7400 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) 멀티플렉서 DM74 4.75V ~ 5.25V 16-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 800µA, 16MA 단일 단일 4 x 2 : 1 1
XC7SET08GV,125 Nexperia USA Inc. XC7SET08GV, 125 0.2567
RFQ
ECAD 7120 0.00000000 Nexperia USA Inc. 7 세트 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-74A, SOT-753 - 7 세트 08 1 4.5V ~ 5.5V SC-74A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 그리고 그리고 8ma, 8ma 1 µA 2 7.9ns @ 5V, 50pf 0.8V 2V
DM54LS374E/883 National Semiconductor DM54LS374E/883 4.0500
RFQ
ECAD 2730 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-Clcc D- 타입 54LS374 트라이 트라이, 스테이트 반전 4.5V ~ 5.5V 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 12MA 기준 20MHz 긍정적 긍정적 가장자리 38ns @ 5V, 150pf 45 MA
MM74HC164MTCX Fairchild Semiconductor MM74HC164MTCX 0.1900
RFQ
ECAD 86 0.00000000 페어차일드 페어차일드 74HC 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 14-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74HC164 푸시 푸시 2V ~ 6V 14-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1,560 시프트 시프트 1 8 일련의 일련의
JM54AC374SZA-RH National Semiconductor JM54AC374SZA-RH 305.2100
RFQ
ECAD 207 0.00000000 국가 국가 54AC 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-CSOIC (0.275 ", 7.00mm 너비) D- 타입 54AC374 트라이 트라이, 스테이트 반전 2V ~ 6V 20-cfp 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 1 8 24MA, 24MA 기준 95MHz 긍정적 긍정적 가장자리 12NS @ 5V, 50pf 80 µA 4.5 pf
MC74ACT14ML1 onsemi MC74ACT14ML1 0.1200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 74ATT14 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000
54FCT241FMQB National Semiconductor 54FCT241FMQB -
RFQ
ECAD 7081 0.00000000 국가 국가 54fct 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-cflatpack 54FCT241 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20-cflatpack 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 12MA, 48MA
MC74LCX541DT onsemi MC74LCX541DT -
RFQ
ECAD 9619 0.00000000 온세미 74lcx 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 20-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) 74LCX541 - 3 국가 2V ~ 3.6V 20-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 버퍼, 반전 비 1 8 24MA, 24MA
74LVC2G241DCTRE4 Texas Instruments 74LVC2G241DCTRE4 -
RFQ
ECAD 5250 0.00000000 텍사스 텍사스 74LVC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-LSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) 74LVC2G241 - 3 국가 1.65V ~ 5.5V sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 버퍼, 반전 비 2 1 32MA, 32MA
74ALVCH16244DGG,118 NXP USA Inc. 74ALVCH16244DGG, 118 0.4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 쓸모없는 74ALVCH16244 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 2,000
ADD8709ASTZ-REEL Analog Devices Inc. add8709astz-reel 1.6600
RFQ
ECAD 29 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 48-LQFP add8709 48-LQFP (7x7) 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 2,000
SNJ54AHC541W Texas Instruments SNJ54AHC541W -
RFQ
ECAD 5195 0.00000000 텍사스 텍사스 * 튜브 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 296-SNJ54AHC541W 1
SN74F11NS Texas Instruments SN74F11NS 0.1800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 74F11 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
74AHCT244D,112 NXP Semiconductors 74AHCT244D, 112 0.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 nxp 반도체 74AHCT 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 74AHCT244 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V 20- 의자 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-74AHCT244D, 112-954 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 2 4 8ma, 8ma
74HCT125FP-E Renesas Electronics America Inc 74HCT125FP-E 0.5300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 74hct 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 74HCT125 - 3 국가 4.5V ~ 5.5V - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 버퍼, 반전 비 4 1 6MA, 6MA
CD74HCT4094ME4 Texas Instruments CD74HCT4094ME4 -
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 텍사스 텍사스 74hct 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 74HCT4094 트라이 트라이 4.5V ~ 5.5V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 40 시프트 시프트 1 8 일련의 일련의
74LVCH162245APAG IDT, Integrated Device Technology Inc 74LVCH162245APAG 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 74lvch 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.240 ", 6.10mm 너비) 74LVCH162245 - 3 국가 2.7V ~ 3.6V 48-tssop 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 트랜시버, 반전 비 2 8 12MA, 12MA; 24MA, 24MA
CD74HC27M Texas Instruments CD74HC27M 1.1100
RFQ
ECAD 680 0.00000000 텍사스 텍사스 74HC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) - 74HC27 3 2V ~ 6V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 게이트도 5.2MA, 5.2MA 2 µA 3 16ns @ 6v, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고