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메모리(70838)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 전압 - 공급 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 클럭킹 메모리 종류 메모리 크기 접속시간 메모리 형식 기억 정리 메모리 인터페이스 돈을 쓰는 시간 - 단어, 페이지
W9425G6KH-5 Winbond Electronics W9425G6KH-5 1.9307
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 ECAD 9650 0.00000000 윈본드 전자 - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 66-TSSOP(0.400", 10.16mm 폭) W9425G6 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 108 200MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 55ns 식사 16M×16 불편한 15ns
MTFC8GLDDQ-4M IT Micron Technology Inc. MTFC8GLDDQ-4M IT -
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 ECAD 1441 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 e•MMC™ 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LBGA MTFC8 플래시 - 낸드 1.65V ~ 3.6V 100-LBGA(14x18) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 980 비대하다 64Gbit 플래시 8G x 8 MMC -
SST26WF040BT-104I/CS Microchip Technology SST26WF040BT-104I/CS 1.4550
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 ECAD 9058 0.00000000 마이크로칩 기술 SST26 SQI® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-UFBGA, CSPBGA SST26WF040 플래시 1.65V ~ 1.95V 8-CSP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 3,000 104MHz 비대하다 4Mbit 플래시 512K x 8 SPI - 쿼드 I/O 1.5ms
N25Q032A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESEA0F TR -
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 ECAD 7534 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 125°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) N25Q032A13 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108MHz 비대하다 32Mbit 플래시 8M x 4 SPI 8ms, 5ms
W631GU6KB-12 TR Winbond Electronics W631GU6KB-12 TR -
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 ECAD 5689 0.00000000 윈본드 전자 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 96-TFBGA W631GU6 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-WBGA(9x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 2,500 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 64M x 16 불편한 -
W9864G2JB-6 TR Winbond Electronics W9864G2JB-6 TR 3.8212
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 ECAD 9378 0.00000000 윈본드 전자 - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 90-TFBGA W9864G2 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0002 2,500 166MHz 항체를 제거하세요 64Mbit 5ns 식사 2M×32 불편한 -
W25Q32FWXGIG TR Winbond Electronics W25Q32FWXGIG TR -
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 ECAD 9875 0.00000000 윈본드 전자 SpiFlash® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-XDFN옆패드 W25Q32 플래시 - 아니오 1.65V ~ 1.95V 8-XSON(4x4) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104MHz 비대하다 32Mbit 플래시 4M x 8 SPI - 쿼드 I/O, QPI 60μs, 5ms
CY14B116N-Z45XI Infineon Technologies CY14B116N-Z45XI 73.5000
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 ECAD 6471 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-TFSOP(0.724", 18.40mm 폭) CY14B116 NVSRAM(비뒤 SRAM) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 192 비대하다 16Mbit 45ns NVSRAM 1M x 16 불편한 45ns
AK6480AF Asahi Kasei Microdevices/AKM AK6480AF -
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 ECAD 6701 0.00000000 아사히 카세이 마이크로디바이스/AKM - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) AK6480 EEPROM 1.8V ~ 5.5V 8-SOP - 1(무제한) EAR99 8542.32.0051 1,000 1MHz 비대하다 8Kbit EEPROM 512x16 SPI -
IS39LV010-70VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV010-70VCE -
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 ECAD 8104 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 32-TFSOP(0.488", 12.40mm 폭) IS39LV010 플래시 - 아니오 2.7V ~ 3.6V 32-VSOP 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1349 EAR99 8542.32.0071 208 비대하다 1Mbit 70ns 플래시 128K x 8 불편한 70ns
FM25V02A-GTR Infineon Technologies FM25V02A-GTR 6.4000
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 ECAD 2 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 F-RAM™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) FM25V02 FRAM(강유전체 RAM) 2V ~ 3.6V 8-SOIC 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 2,500 40MHz 비대하다 256Kbit 프램 32K x 8 SPI -
AS4C8M16SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16SA-6TCN 3.5500
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 ECAD 1 0.00000000 얼라이언스 메모리, Inc. - 쟁반 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) AS4C8M16 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1450-1266 EAR99 8542.32.0002 108 166MHz 항체를 제거하세요 128Mbit 5ns 식사 8M×16 불편한 12ns
CY62147G18-55BVXI Infineon Technologies CY62147G18-55BVXI 6.5450
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 ECAD 8659 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 MoBL® 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-VFBGA CY62147 SRAM - 특별한식 1.65V ~ 2.2V 48-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 항체를 제거하세요 4Mbit 55ns 스램 256K x 16 불편한 55ns
CY7C1041G30-10BVXI Infineon Technologies CY7C1041G30-10BVXI 7.2200
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 ECAD 5745 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-VFBGA CY7C1041 SRAM - 특별한식 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 480 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
CY7S1041G30-10BVXI Infineon Technologies CY7S1041G30-10BVXI 9.6250
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 ECAD 7987 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 48-VFBGA CY7S1041 SRAM - 특별한식 2.2V ~ 3.6V 48-VFBGA(6x8) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 항체를 제거하세요 4Mbit 10ns 스램 256K x 16 불편한 10ns
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C Micron Technology Inc. MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C -
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 ECAD 8358 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 100-TBGA MT29F128G08 플래시 - 낸드 2.7V ~ 3.6V 100-TBGA(12x18) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비대하다 128Gbit 플래시 16G x 8 불편한 -
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A 252.4600
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 ECAD 247 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LBGA MT29F256G08 플래시 - 낸드(SLC) 2.7V ~ 3.6V 100-LBGA(12x18) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100MHz 비대하다 256Gbit 플래시 32G x 8 불편한 -
MTFC32GJDED-3M WT Micron Technology Inc. MTFC32GJDED-3M WT -
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 ECAD 3571 0.00000000 마이크론 기술 주식회사 e•MMC™ 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 -25°C ~ 85°C(타) 표면 실장 169-VFBGA MTFC32G 플래시 - 낸드 1.65V ~ 3.6V 169-VFBGA(14x18) - ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B1A 8523.51.0000 980 비대하다 256Gbit 플래시 32G x 8 MMC -
IS43LD32320A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-25BLI -
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 ECAD 7042 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - 모바일 LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA(10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 706-1357 EAR99 8542.32.0002 171 400MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 식사 32M x 32 불편한 15ns
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI -
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 ECAD 6668 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - 모바일 LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA(10x11.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 171 333MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 식사 64M x 16 불편한 15ns
IS61LF102418B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQLI 17.2425
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 ECAD 8483 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 117MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 7.5ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS61NLP102418B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200TQLI 19.1200
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 ECAD 8368 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLP102418 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 1M x 18 불편한 -
IS61NLP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200TQLI 17.2425
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 ECAD 9873 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 쟁반 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 100-LQFP IS61NLP51236 SRAM - 동기식, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP(14x20) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. 3A991B2A 8542.32.0041 72 200MHz 항체를 제거하세요 18Mbit 3ns 스램 512K x 36 불편한 -
LE25FU406BMB-TLM-H onsemi LE25FU406BMB-TLM-H -
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 ECAD 3719 0.00000000 온세미 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) LE25F 플래시 2.3V ~ 3.6V 8-SOP 다운로드 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 3,000 30MHz 비대하다 4Mbit 플래시 512K x 8 SPI 2.5ms
FT25C64A-UTR-B Fremont Micro Devices Ltd FT25C64A-UTR-B -
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 ECAD 6451 0.00000000 프리몬트 마이크로기기 주식회사 - 튜브 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 8-TSSOP(0.173", 4.40mm 너비) FT25C64 EEPROM 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 1219-1185 EAR99 8542.32.0051 100 20MHz 비대하다 64Kbit EEPROM 8Kx8 SPI 5ms
IS25LQ016B-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JLLE-TR -
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 ECAD 2851 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 8-WDFN옆패드 IS25LQ016 플래시 - 아니오 2.3V ~ 3.6V 8-WSON(8x6) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0071 4,000 104MHz 비대하다 16Mbit 플래시 2M x 8 SPI - 쿼드 I/O 1ms
IS42S32160F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI-TR 12.6600
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 ECAD 4218 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 85°C(타) 표면 실장 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V ~ 3.6V 90-TFBGA(8x13) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0028 2,500 167MHz 항체를 제거하세요 512Mbit 5.4ns 식사 16M x 32 불편한 -
IS42S32800J-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TL-TR 5.2224
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 ECAD 2670 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 0°C ~ 70°C (타) 표면 실장 86-TFSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS42S32800 SDRAM 3V ~ 3.6V 86-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 1,500 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 8M×32 불편한 -
IS43TR81280B-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBL-TR -
보상요청
 ECAD 4852 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 0°C ~ 95°C (TC) 표면 실장 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA(8x10.5) 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0032 2,000 800MHz 항체를 제거하세요 1Gbit 20ns 식사 128M x 8 불편한 15ns
IS45S16160J-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2 5.6109
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 ECAD 2256 0.00000000 ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc - 튜브 활동적인 -40°C ~ 105°C(타) 표면 실장 54-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) IS45S16160 SDRAM 3V ~ 3.6V 54-TSOP II 다운로드 ROHS3 준수 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8542.32.0024 108 143MHz 항체를 제거하세요 256Mbit 5.4ns 식사 16M×16 불편한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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