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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 시계 시계 메모리 메모리 메모리 메모리 액세스 액세스 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 메모리 쓰기 쓰기 시간 - 단어, 페이지
S29GL512T11DHIV10 Infineon Technologies S29GL512T11DHIV10 10.2300
RFQ
ECAD 520 0.00000000 인피온 인피온 GL-T 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 64-lbga S29GL512 플래시 - 아니오 1.65V ~ 3.6V 64-FBGA (9x9) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 260 비 비 512mbit 110 ns 플래시 64m x 8 평행한 60ns
MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AAT : p 6.9134
RFQ
ECAD 7475 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P -
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 주사위 MT29F16G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 주사위 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 3A991B1A 8542.32.0071 1 비 비 16gbit 플래시 2G X 8 평행한 -
MT29F256G08CEECBH6-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CEECBH6-12 : C TR -
RFQ
ECAD 5224 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 152-VBGA MT29F256G08 플래시 -Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
AK6416AM Asahi Kasei Microdevices/AKM AK6416am -
RFQ
ECAD 3181 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/Akm - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AK6416 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 4 MHz 비 비 16kbit eeprom 1K X 16 SPI -
AK6481CM Asahi Kasei Microdevices/AKM AK6481CM -
RFQ
ECAD 3588 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/Akm - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-LSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) AK6481 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 5 MHz 비 비 8kbit eeprom 512 x 16 SPI -
AK93C45BH Asahi Kasei Microdevices/AKM AK93C45BH -
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ECAD 8030 0.00000000 Asahi Kasei Microdevices/Akm - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - AK93C45 eeprom 1.8V ~ 5.5V 8-MSOP 다운로드 1 (무제한) 쓸모없는 0000.00.0000 1 비 비 1kbit eeprom 64 x 16 SPI -
S-24C02DI-K8T3U5 ABLIC Inc. S-24C02DI-K8T3U5 0.2168
RFQ
ECAD 8225 0.00000000 Ablic Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-WSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) S-24C02 eeprom 1.7V ~ 5.5V 8-TMSOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0051 4,000 1MHz 비 비 2kbit 500 ns eeprom 256 x 8 i²c 5ms
S-24C08DI-I8T1U5 ABLIC Inc. S-24C08DI-I8T1U5 0.2268
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 Ablic Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-smd,, 리드 S-24C08 eeprom 1.7V ~ 5.5V SNT-8A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0051 5,000 1MHz 비 비 8kbit 500 ns eeprom 1K X 8 i²c 5ms
S-24C16DI-I8T1U5 ABLIC Inc. S-24C16DI-I8T1U5 0.2398
RFQ
ECAD 1843 0.00000000 Ablic Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-smd,, 리드 S-24C16 eeprom 1.7V ~ 5.5V SNT-8A 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0051 5,000 1MHz 비 비 16kbit 500 ns eeprom 2k x 8 i²c 5ms
S-25C080A0I-K8T3U ABLIC Inc. S-25C080A0I-K8T3U 0.4111
RFQ
ECAD 7546 0.00000000 Ablic Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-WSSOP, 8-MSOP (0.110 ", 2.80mm 너비) S-25C080 eeprom 1.6V ~ 5.5V 8-TMSOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.32.0051 4,000 5 MHz 비 비 8kbit eeprom 1K X 8 SPI 4ms
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FD -
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ECAD 6104 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,190 800MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 192m x 128 평행한 -
EDFP164A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FD -
RFQ
ECAD 7357 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 - EDFP164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,190 933 MHz 휘발성 휘발성 24gbit 음주 384m x 64 평행한 -
EDFA232A2PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA232A2PD-GD-FD -
RFQ
ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - 쟁반 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDFA232 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,680 800MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 평행한 -
EMFA232A2PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMFA232A2PF-DV-FD -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 Micron Technology Inc. - 대부분 활동적인 EMFA232 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,680
MT29F128G08EBEBBWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP : B TR -
RFQ
ECAD 4575 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F128G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 비 비 128gbit 플래시 16g x 8 평행한 -
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES : B TR -
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 132-VBGA MT29F1HT08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 1.5tbit 플래시 192g x 8 평행한 -
MT29F256G08AMEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMEBBK7-12 : B TR -
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 플래시 -Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 83MHz 비 비 256gbit 플래시 32g x 8 평행한 -
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10ES : B TR -
RFQ
ECAD 7318 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F512G08 플래시 -Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR Micron Technology Inc. MT29F512G08ELCDBG7-37ES : D TR -
RFQ
ECAD 8873 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F512G08 플래시 -Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 비 비 512gbit 플래시 64g x 8 평행한 -
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCBBH1-10X : B TR -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 100-VBGA MT29F64G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 100MHz 비 비 64gbit 플래시 8g x 8 평행한 -
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETHBBM5-3RES : B TR -
RFQ
ECAD 1662 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F6T08 플래시 - NAND 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 비 비 6tbit 플래시 768g x 8 평행한 -
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. mt29f8g08ababawp-aitx : b tr -
RFQ
ECAD 7074 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 48-TFSOP (0.724 ", 18.40mm 너비) MT29F8G08 플래시 - NAND 2.7V ~ 3.6V 48-tsop i - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 비 비 8gbit 플래시 1g x 8 평행한 -
MT41K256M16TW-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-093 IT : P TR -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT41K256M16 sdram -ddr3l 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 휘발성 휘발성 4gbit 20 ns 음주 256m x 16 평행한 -
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1TK-25 AAT : A TR -
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 105 ° C (TC) 표면 표면 134-WFBGA MT42L128M32 sdram- 모바일 lpddr2 1.14V ~ 1.3V 134-FBGA (10x11.5) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 쓸모없는 0000.00.0000 1,000 400MHz 휘발성 휘발성 4gbit 음주 128m x 32 평행한 -
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-107 WT : B TR 24.1050
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 178-VFBGA MT52L512 sdram- 모바일 lpddr3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 16gbit 음주 512m x 32 - -
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512MM16JY-083E AUT : B TR -
RFQ
ECAD 9302 0.00000000 Micron Technology Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TC) 표면 표면 96-TFBGA MT40A512M16 sdram -ddr4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 2,000 1.2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 512m x 16 평행한 -
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-FR TR -
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ECAD 3705 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -30 ° C ~ 85 ° C (TC) 표면 표면 216-WFBGA EDF8164 sdram- 모바일 lpddr3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 휘발성 휘발성 8gbit 음주 128m x 64 평행한 -
MT51J256M32HF-60:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60 : A TR -
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ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 2,000 1.5GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
MT51J256M32HF-80:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80 : A TR -
RFQ
ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 95 ° C (TC) 표면 표면 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.32.0071 1,000 2GHz 휘발성 휘발성 8gbit 숫양 256m x 32 평행한 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고