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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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| APTM20DUM10TG | - | | 3956 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||
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 | APTM100A18ftg | 195.3300 | | 9603 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 780W | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 교량) | 1000V (1KV) | 43A | 210mohm @ 21.5a, 10V | 5V @ 5MA | 372NC @ 10V | 10400pf @ 25v | - | ||||||||||||||||||
| APTM100DAM90G | 230.0917 | | 9653 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 78A (TC) | 10V | 105mohm @ 39a, 10V | 5V @ 10MA | 744 NC @ 10 v | ± 30V | 20700 pf @ 25 v | - | 1250W (TC) | ||||||||||||||||
 | APTM100TDU35PG | - | | 2316 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | 390W | SP6-P | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 1000V (1KV) | 22A | 420mohm @ 11a, 10V | 5V @ 2.5MA | 186NC @ 10V | 5200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||
| APTM10DAM05TG | 126.6100 | | 3900 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | SP4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 278A (TC) | 10V | 5mohm @ 125a, 10V | 4V @ 5MA | 700 NC @ 10 v | ± 30V | 20000 pf @ 25 v | - | 780W (TC) | ||||||||||||||||
 | IRF7703GTRPBF | - | | 7860 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 40 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 62 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5220 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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