SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터
NDTL01N60ZT3G onsemi ndtl01n60zt3g -
RFQ
ECAD 5410 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NDTL01 MOSFET (금속 (() SOT-223 (TO-261) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 250MA (TC) 10V 15ohm @ 400ma, 10V 4.5V @ 50µA 4.9 NC @ 10 v ± 30V 92 pf @ 25 v - 2W (TC)
2N5116 Central Semiconductor Corp 2N5116 -
RFQ
ECAD 8359 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 상자 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 25pf @ 15V 30 v 5 ma @ 15 v 1 v @ 1 na 150 옴
ALD810018SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810018SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 4536 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810018 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810022SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810022SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 4876 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810022 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810024SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810024SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 5356 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810024 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810025SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810025SCLI 5.5750
RFQ
ECAD 6328 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810025 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD810028SCLI Advanced Linear Devices Inc. ALD810028SCLI 5.8548
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD810028 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 4 n 채널
ALD910016SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910016SALI 5.3628
RFQ
ECAD 9212 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910016 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
ALD910021SALI Advanced Linear Devices Inc. ALD910021SALI 6.3200
RFQ
ECAD 491 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. SAB ™ 튜브 활동적인 10.6v 슈퍼 슈퍼 자동 커패시터 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD910021 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 50 80ma 2 n 채널 (채널)
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated DMC1028UFDB-13 0.2730
RFQ
ECAD 2365 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC1028 MOSFET (금속 (() 1.36W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC1028UFDB-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 12V, 20V 6a, 3.4a 25mohm @ 5.2a, 4.5v 1V @ 250µA 18.5NC @ 8V 787pf @ 6v -
DMN3042L-13 Diodes Incorporated DMN3042L-13 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3042 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 26.5mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 860 pf @ 15 v - 720MW (TA)
STB33N65M2 STMicroelectronics STB33N65M2 4.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB33 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 140mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 41.5 nc @ 10 v ± 25V 1790 pf @ 100 v - 190W (TC)
STH245N75F3-6 STMicroelectronics STH245N75F3-6 -
RFQ
ECAD 7491 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F3 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH245 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 75 v 180A (TC) 10V 3MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 87 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 25 v - 300W (TC)
STH265N6F6-2AG STMicroelectronics STH265N6F6-2AG -
RFQ
ECAD 5012 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH265 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 180A (TC) 10V 2.1MOHM @ 60A, 10V 4V @ 250µA 183 NC @ 10 v ± 20V 11800 pf @ 25 v - 300W (TC)
STR1P2UH7 STMicroelectronics str1p2uh7 -
RFQ
ECAD 4704 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H7 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 str1 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 700ma, 4.5v 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 8V 510 pf @ 10 v - 350MW (TC)
STT4P3LLH6 STMicroelectronics STT4P3LLH6 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 STT4P3 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 56mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 639 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
STF12N65M2 STMicroelectronics STF12N65M2 1.9400
RFQ
ECAD 886 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF12 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15531-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 535 pf @ 100 v - 25W (TC)
STW40N65M2 STMicroelectronics STW40N65M2 6.2500
RFQ
ECAD 4759 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW40 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15576-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 32A (TC) 10V 99mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 56.5 nc @ 10 v ± 25V 2355 pf @ 100 v - 250W (TC)
FDMS86368-F085 onsemi FDMS86368-F085 -
RFQ
ECAD 7187 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn FDMS86368 MOSFET (금속 (() 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 80A (TC) 10V 4.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 4350 pf @ 40 v - 214W (TC)
SMMBFJ177LT1G onsemi smmbfj177lt1g 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMBFJ177 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 11pf @ 10V (VGS) 30 v 1.5 ma @ 15 v 800 mv @ 10 na 300 옴
NTLUS4C12NTBG onsemi ntlus4c12ntbg -
RFQ
ECAD 1690 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 ntlus4 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.8A (TA) 3.3V, 10V 9mohm @ 9a, 10V 2.1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1172 pf @ 15 v - 630MW (TA)
NTMFS4C01NT1G onsemi ntmfs4c01nt1g -
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 47A (TA), 303A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 10144 pf @ 15 v - 3.2W (TA), 134W (TC)
NTMFS4C03NT1G onsemi ntmfs4c03nt1g 2.0300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 30A (TA), 136A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 NC @ 10 v ± 20V 3071 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 64W (TC)
NDPL180N10BG onsemi NDPL180N10BG -
RFQ
ECAD 2637 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NDPL18 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TA) 10V, 15V 3MOHM @ 15V, 50A 4V @ 1MA 95 NC @ 10 v ± 20V 6950 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 200W (TC)
NDUL09N150CG onsemi ndul09n150cg -
RFQ
ECAD 6512 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 ndul09 MOSFET (금속 (() to-3pf-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 9A (TA) 10V 3A @ 3A, 10V 4V @ 1MA 114 NC @ 10 v ± 30V 2025 pf @ 30 v - 3W (TA), 78W (TC)
AUIRFN8405TR Infineon Technologies auirfn8405tr 1.4978
RFQ
ECAD 3725 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn AUIRFN8405 MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 95A (TC) 10V 2MOHM @ 50A, 10V 3.9V @ 100µA 117 NC @ 10 v ± 20V 5142 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 136W (TC)
IXTH52N65X IXYS ixth52n65x 10.0070
RFQ
ECAD 6997 0.00000000 ixys x. x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH52 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 52A (TC) 10V 68mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 30V 4350 pf @ 25 v - 660W (TC)
NE3210S01 CEL NE3210S01 -
RFQ
ECAD 1602 0.00000000 - 조각 쓸모없는 4 v 4-SMD 12GHz GAAS HJ-FET SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 15MA 10 MA - 13.5dB 0.35dB 2 v
FCPF290N80 onsemi FCPF290N80 6.4900
RFQ
ECAD 773 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF290 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 1.7ma 75 NC @ 10 v ± 20V 3205 pf @ 100 v - 40W (TC)
FCH104N60F-F085 onsemi FCH104N60F-F085 6.3300
RFQ
ECAD 298 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH104 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 104mohm @ 18.5a, 10V 5V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 4302 pf @ 100 v - 357W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고