전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재- ic (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전압- v (vgs off) @ id | 전류 전류 (ID) - 최대 |
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![]() | HUF75309D3 | 0.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 55 v | 19A (TC) | 70mohm @ 19a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 20 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | NTB60N06LG | - | ![]() | 7930 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB60 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 60A (TA) | 5V | 16mohm @ 30a, 5V | 2V @ 250µA | 65 nc @ 5 v | ± 15V | 3075 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 150W (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | IXFP50N20X3 | 5.6404 | ![]() | 3672 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 (IXFP) | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFP50N20X3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 50A (TC) | 10V | 30mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 1mA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 25 v | - | 240W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MCH3477-TL-H | - | ![]() | 3998 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | MCH3477 | MOSFET (금속 (() | SC-70FL/MCPH3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 38mohm @ 2a, 4.5v | - | 5.1 NC @ 4.5 v | ± 12V | 410 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SIHA12N50E-GE3 | 1.8700 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHA12N50E-GE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 10.5A (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 886 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | TSM056NH04LCR RLG | 3.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | Perfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-PDFNU (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 18A (TA), 54A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 27a, 10V | 2.2V @ 250µA | 30.4 NC @ 10 v | ± 16V | 1940 pf @ 25 v | - | 78.9W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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MSC40SM120JCU2 | 45.0700 | ![]() | 5301 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | MSC40SM120 | sicfet ((카바이드) | SOT-227 (ISOTOP®) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC40SM120JCU2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1200 v | 55A (TC) | 20V | 50mohm @ 40a, 20V | 2.7v @ 1ma | 137 NC @ 20 v | +25V, -10V | 1990 PF @ 1000 v | - | 245W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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