SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 전류 전류 (ID) - 최대
IRF7702GTRPBF Infineon Technologies IRF7702GTRPBF -
RFQ
ECAD 2171 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 12 v 8A (TA) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 81 NC @ 4.5 v ± 8V 3470 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF 3.8500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS4321 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4460 pf @ 25 v - 350W (TC)
IRF6714MTR1PBF Infineon Technologies IRF6714MTR1PBF -
RFQ
ECAD 7328 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 29A (TA), 166A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.4V @ 100µa 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3890 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS3806TRLPBF Infineon Technologies IRFS3806TRLPBF 1.4100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3806 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 43A (TC) 10V 15.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 50 v - 71W (TC)
IRF7309QTRPBF Infineon Technologies IRF7309QTRPBF -
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF73 MOSFET (금속 (() 1.4W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 및 p 채널 30V 4A, 3A 50mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250µA 25NC @ 4.5V 520pf @ 15V -
IRF4905LPBF Infineon Technologies IRF4905LPBF 2.9300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF4905 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 42A (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies IRLR2905ZTRPBF 1.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 36a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 16V 1570 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRLR7843CTRPBF Infineon Technologies IRLR7843CTRPBF -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 30 v 161A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4380 pf @ 15 v - 140W (TC)
IRF7910TRPBF Infineon Technologies IRF7910TRPBF -
RFQ
ECAD 5818 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7910 MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 12V 10A 15mohm @ 8a, 4.5v 2V @ 250µA 26NC @ 4.5V 1730pf @ 6v 논리 논리 게이트
IRF520NSTRLPBF Infineon Technologies IRF520NSTRLPBF -
RFQ
ECAD 2099 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF520 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 9.7A (TC) 10V 200mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 48W (TC)
TIS75_D26Z onsemi TIS75_D26Z -
RFQ
ECAD 6513 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 TIS75 350 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 18pf @ 10V (VGS) 30 v 8 ma @ 15 v 800 mv @ 4 na 60 옴
BF246B_J35Z onsemi BF246B_J35Z -
RFQ
ECAD 3850 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BF246 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 - 25 v 60 ma @ 15 v 600 MV @ 10 NA
PN4092_D26Z onsemi PN4092_D26Z -
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN409 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 50 옴
PN4092_D74Z onsemi PN4092_D74Z -
RFQ
ECAD 8859 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN409 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 50 옴
PN4092_J18Z onsemi PN4092_J18Z -
RFQ
ECAD 2619 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN409 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 15 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 50 옴
PN4392_D26Z onsemi PN4392_D26Z -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN439 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 14pf @ 20V 30 v 25 ma @ 20 v 2 v @ 1 na 60 옴
PN4393_D74Z onsemi PN4393_D74Z -
RFQ
ECAD 2523 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN439 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 14pf @ 20V 30 v 5 ma @ 20 v 500 MV @ 1 NA 100 옴
PN5434_D26Z onsemi PN5434_D26Z -
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN543 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30pf @ 10V (VGS) 25 v 30 ma @ 15 v 1 V @ 3 NA 10 옴
PN5434_D27Z onsemi PN5434_D27Z -
RFQ
ECAD 7410 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN543 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 30pf @ 10V (VGS) 25 v 30 ma @ 15 v 1 V @ 3 NA 10 옴
BF1208,115 NXP USA Inc. BF1208,115 -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 6 v 표면 표면 SOT-563, SOT-666 BF120 400MHz MOSFET SOT-666 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma 19 MA - 32db 1.3db 5 v
BLF6G38LS-100,112 Ampleon USA Inc. BLF6G38LS-100,112 -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B BLF6G38 3.4GHz ~ 3.6GHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8541.29.0075 60 34A 1.05 a 18.5W 13db - 28 v
UP05C8PG0L Panasonic Electronic Components UP05C8PG0L -
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 20V NPN, 40V N- 채널 CCD 회로 출력 표면 표면 SOT-563, SOT-666 UP05C8PG0L ssmini6-f2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 50MA NPN, 10MA N- 채널 NPN, N-,
UP05C8BG0L Panasonic Electronic Components UP05C8BG0L -
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 20V NPN, 40V N- 채널 CCD 회로 출력 표면 표면 SOT-563, SOT-666 UP05C8B ssmini6-f2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 8,000 15MA NPN, 10MA N- 채널 NPN, N-,
2SK2593GQL Panasonic Electronic Components 2SK2593GQL -
RFQ
ECAD 5617 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 2SK2593 125 MW SSMINI3-F3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 55 v 6.5pf @ 10V 1 ma @ 10 v 5 V @ 10 µA 30 MA
2SK3372GSL Panasonic Electronic Components 2SK3372GSL -
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 80 ° C (TA) 표면 표면 SOT-723 2SK3372 100MW SSSMINI3-F2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v - 107 µa @ 2 v 2 MA
MRF6V2150NBR5 NXP USA Inc. MRF6V2150NBR5 -
RFQ
ECAD 8852 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB MRF6 220MHz LDMOS TO-272 WB-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 50 - 450 MA 150W 25db - 50 v
TPC8031-H(TE12LQM) Toshiba Semiconductor and Storage TPC8031-H (TE12LQM) -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 13.3MOHM @ 5.5A, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v 2150 pf @ 10 v - -
CM300DY-24NF Powerex Inc. CM300DY-24NF -
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1130 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 835-1016 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 - 1200 v 300 a 2.5V @ 15V, 300A 1 MA 아니요 70 NF @ 10 v
CM400DY-12NF Powerex Inc. CM400DY-12NF -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD ™ 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1130 w 기준 기준 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 반 반 - 600 v 400 a 2.2V @ 15V, 400A 1 MA 아니요 60 nf @ 10 v
NTP5426NG onsemi NTP5426NG -
RFQ
ECAD 2316 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP542 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 60A, 60A, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 215W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고