SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트
A2I25H060NR1 NXP USA Inc. A2I25H060NR1 -
RFQ
ECAD 3321 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-17 0, 플랫 리드 A2I25 2.59GHz LDMOS TO-270WB-17 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935322312528 귀 99 8542.33.0001 500 이중 - 26 MA 10.5W 26.1db - 28 v
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. mrfe6vp6600gnr3 93.4822
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 133 v 표면 표면 OM-780G-4L mrfe6 230MHz LDMOS OM-780G-4L 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 935323761528 귀 99 8541.29.0075 250 이중 - 100 MA 600W 24.7dB - 50 v
BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30EX 0.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M10 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 54A (TC) 5V 7.8mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 12.2 NC @ 5 v ± 10V 1249 pf @ 25 v - 55W (TC)
BUK9M15-60EX Nexperia USA Inc. BUK9M15-60EX 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M15 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 47A (TA) 5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 2.45V @ 1MA 17 nc @ 5 v ± 10V 2230 pf @ 25 v - 75W (TA)
BUK9M9R1-40EX Nexperia USA Inc. BUK9M9R1-40EX 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m9 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 64A (TC) 5V 7.3mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 16.2 nc @ 5 v ± 10V 2048 pf @ 25 v - 75W (TC)
SIHG33N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG33N65E-GE3 4.4659
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG33 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 32.4A (TC) 10V 105mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 30V 4040 pf @ 100 v - 313W (TC)
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments CSD17313Q2Q1T 0.8664
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 CSD173 MOSFET (금속 (() 6- 웨슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 5A (TA) 3V, 8V 30mohm @ 4a, 8v 1.8V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v +10V, -8V 340 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 17W (TC)
IGC99T120T8RLX1SA3 Infineon Technologies IGC99T120T8RLX1SA3 -
RFQ
ECAD 1789 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 IGC99T120 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - 트렌치 트렌치 정지 1200 v 300 a 1.97V @ 15V, 100A - -
IRG7CH28UEF Infineon Technologies irg7ch28uef -
RFQ
ECAD 6851 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 irg7ch 기준 주사위 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001549476 쓸모없는 0000.00.0000 1 600V, 15a, 22ohm, 15V - 1200 v 1.55V @ 15V, 2.5A - 60 NC 35ns/225ns
IRG8CH20K10D Infineon Technologies irg8ch20k10d -
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 irg8ch 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
IRG8CH29K10F Infineon Technologies IRG8CH29K10F -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 irg8ch 기준 주사위 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP001536690 쓸모없는 0000.00.0000 1 600V, 25A, 10ohm, 15V - 1200 v 2V @ 15V, 25A - 160 NC 40ns/245ns
CSD18536KTT Texas Instruments CSD18536KTT 4.8700
RFQ
ECAD 3392 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA CSD18536 MOSFET (금속 (() DDPAK/TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 200a (TA) 4.5V, 10V 1.6MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 11430 pf @ 30 v - 375W (TC)
CSD18542KTTT Texas Instruments CSD18542KTTT 3.0200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-4, d²pak (3 리드 + 탭), TO-263AA CSD18542 MOSFET (금속 (() DDPAK/TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 200a (TA), 170a (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 100A, 10V 2.2V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 5070 pf @ 30 v - 250W (TC)
STD46N6F7 STMicroelectronics STD46N6F7 -
RFQ
ECAD 1954 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD46 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 14mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1065 pf @ 30 v - 60W (TC)
STL8DN6LF6AG STMicroelectronics stl8dn6lf6ag 1.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL8 - Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 32A (TC) 27mohm @ 9.6a, 10V 2.5V @ 250µA -
STGB30H60DLFB STMicroelectronics STGB30H60DLFB -
RFQ
ECAD 8223 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STGB30 기준 260 W. d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 30A, 10ohm, 15V 트렌치 트렌치 정지 600 v 60 a 120 a 2V @ 15V, 30A 393µJ (OFF) 149 NC -/146ns
STGP5H60DF STMicroelectronics STGP5H60DF 2.2400
RFQ
ECAD 5854 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STGP5 기준 88 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16484-5 귀 99 8541.29.0095 50 400V, 5A, 47ohm, 15V 134.5 ns 트렌치 트렌치 정지 600 v 10 a 20 a 1.95V @ 15V, 5A 56µJ (on), 78.5µJ (OFF) 43 NC 30ns/140ns
BSS138NH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS138NH6433XTMA1 0.3900
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 230ma, 10V 1.4V @ 26µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 41 pf @ 25 v - 360MW (TA)
BSS138WH6433XTMA1 Infineon Technologies BSS138WH6433XTMA1 0.3900
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 4.5V, 10V 3.5ohm @ 200ma, 10V 1.4V @ 26µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 43 pf @ 25 v - 500MW (TA)
BSS806NEH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806NEH6327XTSA1 0.4500
RFQ
ECAD 93 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS806 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 2.5V 57mohm @ 2.3a, 2.5v 750MV @ 11µA 1.7 NC @ 2.5 v ± 8V 529 pf @ 10 v - 500MW (TA)
BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies BSZ034N04LSATMA1 1.4500
RFQ
ECAD 33 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ034 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 19A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 52W (TC)
BSZ300N15NS5ATMA1 Infineon Technologies BSZ300N15NS5ATMA1 1.1844
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ300 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 32A (TC) 8V, 10V 30mohm @ 16a, 10V 4.6V @ 32µA 13 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 75 v - 62.5W (TC)
BSC034N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC034N06NSATMA1 1.9000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC034 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 100A (TC) 6V, 10V 3.4mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 41µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 74W (TC)
BSC072N08NS5ATMA1 Infineon Technologies BSC072N08NS5ATMA1 1.8300
RFQ
ECAD 53 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC072 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 74A (TC) 6V, 10V 7.2MOHM @ 37A, 10V 3.8V @ 36µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 40 v - 2.5W (TA), 69W (TC)
IPB180N10S403ATMA1 Infineon Technologies IPB180N10S403ATMA1 5.5100
RFQ
ECAD 343 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB180 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 180µA 140 NC @ 10 v ± 20V 10120 pf @ 25 v - 250W (TC)
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L04ATMA1 -
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 250µA 176 NC @ 10 v ± 16V 3800 pf @ 25 v - 125W (TC)
IPB80P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P4L08ATMA1 -
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 120µA 92 NC @ 10 v ± 16V 5430 pf @ 25 v - 75W (TC)
IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies IPD80R2K8CEATMA1 1.2000
RFQ
ECAD 8457 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80R2 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 1.9A (TC) 10V 2.8ohm @ 1.1a, 10V 3.9V @ 120µA 12 nc @ 10 v ± 20V 290 pf @ 100 v - 42W (TC)
IPG16N10S461AATMA1 Infineon Technologies IPG16N10S461AATMA1 1.1400
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn IPG16N10 MOSFET (금속 (() 29W PG-TDSON-8-10 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 100V 16A 61mohm @ 16a, 10V 3.5V @ 9µA 7NC @ 10V 490pf @ 25V -
IPL65R195C7AUMA1 Infineon Technologies IPL65R195C7AUMA1 3.7700
RFQ
ECAD 53 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 Rohs3 준수 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 195mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 290µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 400 v - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고