SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
BUK3F00-50WGFA,518 Nexperia USA Inc. BUK3F00-50WGFA, 518 -
RFQ
 ECAD 5952 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 935288102518 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R2K0P7ATMA1 1.4400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD95R2 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 1.7a, 10V 3.5V @ 80µA 10 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 400 v - 37W (TC)
NVD5867NLT4G onsemi NVD5867NLT4G -
RFQ
 ECAD 7335 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NVD586 MOSFET (금속 (() DPAK-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 39mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 675 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 43W (TC)
SQJA37EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja37ep-t1_ge3 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA37 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 9.2MOHM @ 6A, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4900 pf @ 25 v - 45W (TC)
STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics STH47N60DM6-2AG 7.2900
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH47 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 36A (TC) 10V 80mohm @ 18a, 10V 4.75V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 2350 pf @ 100 v - 250W (TC)
IKY75N120CS6XKSA1 Infineon Technologies iky75n120cs6xksa1 12.3300
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IKY75N120 기준 880 W. PG-to247-4-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 75A, 4ohm, 15V 205 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 150 a 300 a 2.15V @ 15V, 75A 2.2mj (on), 2.95mj (OFF) 530 NC 32ns/300ns
2SJ599(0)-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ599 (0) -z-e1-az -
RFQ
 ECAD 8768 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 20A (TC)
2SK3483(0)-Z-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2SK3483 (0) -z-e1-ay -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 28A (TJ)
N0300P-T1B-AT Renesas Electronics America Inc N0300P-T1B-AT -
RFQ
 ECAD 3272 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 4.5A (TJ)
NP70N10KUF-E2-AY Renesas Electronics America Inc NP70N10KUF-E2-ay -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 70A (TC)
NP82N10PUF-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP82N10puf-e1-ay -
RFQ
 ECAD 4250 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 82A (TC)
SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH410DN-T1-GE3 1.0800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH410 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 22A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SIA444DJT-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA444DJT-T4-GE3 -
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA444 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 7.4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS22DN-T1-GE3 1.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS22 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25A (TA), 90.6A (TC) 7.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 3.6V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir122DP-T1-RE3 0.9800
RFQ
 ECAD 725 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir122 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 16.7A (TA), 59.6A (TC) 7.5V, 10V 7.4mohm @ 10a, 10V 3.8V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
SIHB35N60EF-GE3 Vishay Siliconix SIHB35N60EF-GE3 6.4600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix ef 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB35 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 97mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 134 NC @ 10 v ± 30V 2568 pf @ 100 v - 250W (TC)
TSM9ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM9ND50CI 3.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM9 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 3.8V @ 250µA 24.5 nc @ 10 v ± 30V 1116 pf @ 50 v - 50W (TC)
SIJ188DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ188DP-T1-GE3 1.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIJ188 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 25.5A (TA), 92.4A (TC) 7.5V, 10V 3.85mohm @ 10a, 10V 3.6V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 30 v - 5W (TA), 65.7W (TC)
RD3P130SPFRATL Rohm Semiconductor rd3p130spfratl 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P130 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 13A (TA) 4V, 10V 200mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 40 nc @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 20W (TC)
STW75N60DM6 STMicroelectronics STW75N60DM6 13.7100
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM6 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW75 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 600 v 72A (TC) - - - ± 25V - -
FD1200R17KE3KB2NOSA1 Infineon Technologies FD1200R17KE3KB2NOSA1 -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 6600 w 기준 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 - 1700 v 1700 a 2.45V @ 15V, 1.2KA 5 MA 아니요 110 NF @ 25 v
FZ1200R12KF5NDSA1 Infineon Technologies FZ1200R12KF5NDSA1 -
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000551100 귀 99 8541.29.0095 1
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R280CEAUMA1 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 13A (TA) 13V 280mohm @ 4.2a, 13v 3.5V @ 350µA 32.6 NC @ 10 v ± 20V 773 pf @ 100 v - 119W (TC)
IPD60R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1 0.7200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 90µA 9.4 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 100 v - 49W (TC)
IPU60R3K4CEAKMA1 Infineon Technologies IPU60R3K4CEAKMA1 -
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU60R MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 600 v 2.6A (TJ) 10V 3.4ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 93 pf @ 100 v - -
IPI50R350CPXKSA1 Infineon Technologies ipi50r350cpxksa1 -
RFQ
 ECAD 7407 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI50R350 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000680736 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 350mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 370µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 100 v - 89W (TC)
IPP50R250CPXKSA1 Infineon Technologies IPP50R250CPXKSA1 1.8880
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50R250 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 520µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 100 v - 114W (TC)
IPP04CN10NGXKSA1 Infineon Technologies IPP04CN10NGXKSA1 3.7441
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP04CN10 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 100A (TC) 10V 4.2MOHM @ 100A, 10V 4V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 50 v - 300W (TC)
J2A012YXY/S1AY73AJ NXP USA Inc. J2A012YXY/S1AY73AJ -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J2A0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
J2A012YXY/S1AY7UZJ NXP USA Inc. j2a012yxy/s1ay7uzj -
RFQ
 ECAD 9192 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J2A0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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