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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir870ADP-T1-GE3 | 2.0900 |  | 5138 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir870 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 2866 pf @ 50 v | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||||||||
 | SIHG11N80AE-GE3 | 2.7600 | | 3565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 이자형 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG11 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHG11N80AE-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 800 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 804 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||
 | BSS84TC | - | | 7530 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 40 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
 | SSM6P49NU, LF | 0.4200 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | SSM6P49 | MOSFET (금속 (() | 1W | 6-udfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 4a | 45mohm @ 3.5a, 10V | 1.2v @ 1ma | 6.74NC @ 4.5V | 480pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
 | ARF440 | - | | 6128 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 v | TO-247-3 | 13.56MHz | MOSFET | TO-247AD | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 11a | 200 MA | 125W | 21db | - | 50 v | ||||||||||||||||||
 | SI4965DY-T1-GE3 | - | | 6333 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4965 | MOSFET (금속 (() | 2W | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 8V | - | 21mohm @ 8a, 4.5v | 450MV @ 250µA (최소) | 55NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | NTMFS4C032NT1G | - | | 3206 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 38A (TC) | 4.5V, 10V | 7.35mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 15.2 NC @ 10 v | ± 20V | 770 pf @ 15 v | - | 2.46W (TA), 21.6W (TC) | ||||||||||||
 | IRFS7430-7PPBF | - | | 5335 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 6V, 10V | 0.75mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 250µA | 460 nc @ 10 v | ± 20V | 13975 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||||||||||||
| AOI4144_002 | - | | 7556 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | AOI41 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 2.4V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1430 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
 | SPA11N80C3 E8209 | - | | 1586 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-SPA11N80C3 E8209-448 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | SUD50P08-26-E3 | - | | 1385 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD50 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 80 v | 50A (TC) | 10V | 26mohm @ 12.9a, 10V | 4V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 5160 pf @ 40 v | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||||||
 | SIHB085N60EF-GE3 | 6.0200 | | 3547 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB085 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIHB085N60EF-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 34A (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2733 PF @ 100 v | - | 184W (TC) | ||||||||||||
 | irfr11n25d | - | | 3930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR11 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irfr11n25d | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 250 v | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | RFL1N15L | 1.8100 | | 1 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AF af 캔 | MOSFET (금속 (() | TO-205AF (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 1A (TC) | 5V | 1.9ohm @ 1a, 5v | 2V @ 250µA | ± 10V | 200 pf @ 25 v | - | 8.33W (TC) | ||||||||||||||
 | IXFH67N10 | 12.7427 | | 3200 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH67 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 67A (TC) | 10V | 25mohm @ 33.5a, 10V | 4V @ 4MA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | IPP80R900P7XKSA1 | 1.7200 | | 5174 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80R900 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10V | 3.5V @ 110µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 500 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | BSC0923NDIATMA1 | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0923 | MOSFET (금속 (() | 1W | PG-Tison-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) 비대칭 | 30V | 17a, 32a | 5MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 1160pf @ 15V | 논리 논리 게이트, 4.5V 드라이브 | ||||||||||||||
 | NTMSD6N303R2G | - | | 2823 | 0.00000000 | 온세미 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NTMSD6 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 24 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | |||||||||||||
| RF5L1214750CB4 | 217.8000 | | 5820 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 대부분 | 활동적인 | 110 v | 섀시 섀시 | D4E | RF5L1214750 | 1.2GHz ~ 1.4GHz | LDMOS | D4E | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 497-RF5L1214750CB4 | 100 | - | 10µA | 400 MA | 750W | 15db | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | RW1C025ZPT2CR | 0.4700 | | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | RW1C025 | MOSFET (금속 (() | 6-wemt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 65mohm @ 2.5a, 4.5v | 1V @ 1mA | 21 NC @ 4.5 v | ± 10V | 1300 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||
| IPC60R280E6X7SA1 | - | | 2803 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IPC60R | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001418042 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | IPD031N03M g | - | | 1674 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 15 v | - | - | ||||||||||||
 | PSMN1R1-30EL, 127 | - | | 3451 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | PSMN1R1 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 25a, 10V | 2.2v @ 1ma | 243 NC @ 10 v | ± 20V | 14850 pf @ 15 v | - | 338W (TC) | ||||||||||||
 | IRF530NS | - | | 3116 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF530NS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 90mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 920 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 70W (TC) | ||||||||||||
 | STP80NF06 | 3.2000 | | 715 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3850 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | FDN338P | - | | 3808 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | p 채널 | 20 v | 1.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 1.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 6.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 451 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | |||||||||||||||||
 | STD65N55F3 | 2.4000 | | 2135 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD65 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 80A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 32a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||
| NVHL110N65S3HF | 4.2738 | | 1748 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III, FRFET® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVHL110N65S3HF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 110mohm @ 15a, 10V | 5V @ 740µA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 2753 pf @ 400 v | - | 240W (TC) | ||||||||||||
 | MCU02N80-TP | - | | 2947 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU02N80 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 353-MCU02N80-TPTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 2.4a | 10V | 6.3ohm @ 1.2a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 550 pf @ 25 v | - | - | ||||||||||||
 | IXTP130N065T2 | - | | 3510 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP130 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 65 v | 130A (TC) | 10V | 6.6mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 25 v | - | 250W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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