전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | IRF7321D2TRPBF | - | ![]() | 6162 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Fetky ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 4.7A (TA) | 4.5V, 10V | 62mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 25 v | Schottky 분리 (다이오드) | 2W (TA) | ||||||||||||||
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![]() | APT5024BLLG | 8.2500 | ![]() | 3355 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT5024 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 22A (TC) | 10V | 240mohm @ 11a, 10V | 5V @ 1MA | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1900 pf @ 25 v | - | 265W (TC) | ||||||||||||
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![]() | sir892dp-t1-ge3 | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir892 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10V | 2.6V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2645 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
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![]() | zxmn3g32dn8ta | 0.8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ZXMN3 | MOSFET (금속 (() | 1.8W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 5.5A | 28mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 10.5nc @ 10v | 472pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
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![]() | BSP171PE6327 | - | ![]() | 5355 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 60 v | 1.9A (TA) | 4.5V, 10V | 300mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 460µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) |
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