전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
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![]() | BF998R, 235 | - | ![]() | 5842 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 12 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF998 | 200MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934002660235 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 10 MA | - | - | 0.6dB | 8 v | ||||||||||||||
![]() | SIB911DK-T1-E3 | - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | SIB911 | MOSFET (금속 (() | 3.1W | PowerPak® SC-75-6L 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 2.6a | 295mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 4NC @ 8V | 115pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | HUFA75639S3S | - | ![]() | 7426 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 56A (TC) | 10V | 25mohm @ 56a, 10V | 4V @ 250µA | 130 nc @ 20 v | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||
![]() | NDBA100N10BT4H | - | ![]() | 6666 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NDBA10 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 100A (TA) | 10V, 15V | 6.9mohm @ 50a, 15V | 4V @ 1MA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 50 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||
![]() | BSS214NL6327HTSA1 | - | ![]() | 7072 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 140mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.2V @ 3.7µA | 0.8 nc @ 5 v | ± 12V | 143 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | TSM4436C RLG | 1.5200 | ![]() | 65 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TSM4436 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 8A (TA) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250µA | 10.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1100 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
![]() | IRF7809A | - | ![]() | 4150 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 14.5A (TA) | 4.5V | 8.5mohm @ 15a, 4.5v | 1V @ 250µA | 75 NC @ 5 v | ± 12V | 7300 pf @ 16 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||
![]() | IPB60R120C7ATMA1 | 5.5100 | ![]() | 2004 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB60R120 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 19A (TC) | 10V | 120mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 390µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1500 pf @ 400 v | - | 92W (TC) | ||||||||||||
![]() | bla9g1011l-300gu | 271.8600 | ![]() | 6631 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-502A | bla9 | 1.03GHz ~ 1.09GHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 4.2µA | 100 MA | 317W | 21.8dB | - | 32 v | |||||||||||||||||
![]() | SI4480DY-T1-E3 | - | ![]() | 5504 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4480 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 6A (TA) | 6V, 10V | 35mohm @ 6a, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 50 nc @ 10 v | ± 20V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||
![]() | TK10A60W5, S5VX | 2.0400 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | Tk10a60 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 9.7A (TA) | 10V | 450mohm @ 4.9a, 10V | 4.5V @ 500µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 720 pf @ 300 v | - | 30W (TC) | |||||||||||||
![]() | STL23NS3LLH7 | - | ![]() | 7572 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ H7 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL23 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 92A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 11.5a, 10V | 2.3v @ 1ma | 13.7 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2100 pf @ 15 v | - | 2.9W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||
![]() | A2I08H040NR1 | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | to-270-15 0, 플랫 리드 | A2I08 | 920MHz | LDMOS | TO-270WB-15 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.33.0001 | 500 | 이중 | - | 25 MA | 9W | 30.7dB | - | 28 v | |||||||||||||||
![]() | IPAW60R180P7SXKSA1 | 2.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPAW60 | MOSFET (금속 (() | PG-to220 20 팩 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 45 | n 채널 | 650 v | 18A (TC) | 10V | 180mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 280µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1081 pf @ 400 v | - | 26W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMN2024UDH-7 | 0.2043 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerudfn | DMN2024 | MOSFET (금속 (() | 950MW (TA) | U-DFN3030-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 5.2A (TA) | 23mohm @ 6.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.1NC @ 4.5V | 647pf @ 10V | - | ||||||||||||||
![]() | IAUA180N04S5N012AUMA1 | 3.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ -5 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 5-powersfn | IAUA180 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-5-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 180A (TC) | 7V, 10V | 1.2MOHM @ 90A, 10V | 3.4V @ 70µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6158 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||
![]() | SI3441BDV-T1-GE3 | - | ![]() | 4470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3441 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.45A (TA) | 2.5V, 4.5V | 90mohm @ 3.3a, 4.5v | 850MV @ 250µA | 8 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 860MW (TA) | |||||||||||||
![]() | MSCSM70AM10T3AG | 206.3200 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 690W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70AM10T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 700V | 241A (TC) | 9.5mohm @ 80a, 20V | 2.4V @ 8mA | 430NC @ 20V | 9000pf @ 700V | - | |||||||||||||
![]() | PMN25EN, 115 | - | ![]() | 8906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (금속 (() | SC-74 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.2A (TA) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 6.2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 492 pf @ 15 v | - | 540MW (TA), 6.25W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMJ70H600SH3 | - | ![]() | 8139 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | DMJ70 | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 11A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250µA | 18.2 NC @ 10 v | ± 30V | 643 pf @ 25 v | - | 113W (TC) | |||||||||||||
![]() | IPB45N06S3L-13 | - | ![]() | 8584 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB45N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 45A (TC) | 5V, 10V | 13.1MOHM @ 26A, 10V | 2.2V @ 30µA | 75 NC @ 10 v | ± 16V | 3600 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRLZ44ZL | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRLZ44ZL | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 51A (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 31a, 10V | 3V @ 250µA | 36 nc @ 5 v | ± 16V | 1620 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||||||||||||
![]() | huf76429d3st | 0.5300 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 404 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 16V | 1480 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
![]() | phk4nq20t, 518 | - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | phk4n | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 200 v | 4A (TC) | 5V, 10V | 130mohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1230 pf @ 25 v | - | 6.25W (TC) | ||||||||||||
![]() | ISZ106N12LM6ATMA1 | 1.9900 | ![]() | 3992 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISZ106 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 FL | - | 1 (무제한) | 5,000 | n 채널 | 120 v | 10A (TA), 62A (TC) | 3.3V, 10V | 10.6mohm @ 28a, 10V | 2.2V @ 35µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 60 v | - | 2.5W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | NDPL100N10BG | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | ndpl10 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 100A (TA) | 10V, 15V | 7.2mohm @ 50a, 15V | 4V @ 1MA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2950 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 110W (TC) | |||||||||||||
![]() | AoT3N60 | - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1186-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 2.5A (TC) | 10V | 3.5ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 370 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||
![]() | RM50N60LD | 0.2400 | ![]() | 6169 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM50N60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 10V | 20MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 2050 pf @ 30 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||
BUK7Y25-80E/CX | - | ![]() | 9726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 39A (TC) | 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 25.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 25 v | - | 95W (TC) | |||||||||||||
![]() | IRFPC60PBF | 7.1300 | ![]() | 334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFPC60 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFPC60PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 400mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 25 v | - | 280W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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