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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | IXFK26N60Q | - | | 7281 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK26 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 26A (TC) | 10V | 250mohm @ 13a, 10V | 4.5V @ 4mA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 5100 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||
 | BSC014N06NSTATMA1 | 3.7000 | | 5491 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC014 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 1.45mohm @ 50a, 10V | 3.3V @ 120µA | 104 NC @ 10 v | ± 20V | 8125 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 188W (TC) | ||||||||||||
 | AOI1R4A70 | 0.4939 | | 3586 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI1 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1819 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 700 v | 3.8A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10V | 4.1V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | 354 pf @ 100 v | - | 48W (TC) | |||||||||||
 | RM30N100T2 | 0.3900 | | 2008 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM30N100T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TC) | 10V | 28mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
 | IPD60R600E6BTMA1 | - | | 1408 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ E6 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7.3A (TC) | 10V | 600mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||
 | SI236DS-T1-GE3 | 0.4600 | | 1291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2366 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TC) | 10V | 36mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 335 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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