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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AON6582 | - |  | 2860 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AON658 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-Aon6582tr | 쓸모없는 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
| PMV75UP/S500R | 0.0400 | | 5350 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 2156-PMV75UP/S500R | 6,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 102mohm @ 2.5a, 4.5v | - | 7.5 NC @ 4.5 v | ± 12V | 550 pf @ 10 v | - | 490MW (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||
| APTMC170AM60CT1AG | - | | 3248 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTMC170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 350W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 50A (TC) | 60mohm @ 50a, 20V | 2.3v @ 2.5ma (유형) | 190NC @ 20V | 3080pf @ 1000V | - | ||||||||||||||
 | CSD17585F5T | 0.9600 | | 22 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | FEMTOFET ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | CSD17585 | MOSFET (금속 (() | 3- 시코스타 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 5.9A (TA) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 900ma, 10V | 1.7V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 v | 20V | 380 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||
 | MRF6S21050LR3 | - | | 7368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-400 | MRF6 | 2.16GHz | LDMOS | NI-400 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 450 MA | 11.5W | 16db | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | G75P04K | 1.3300 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 70A (TC) | 10V | 10MOHM @ 10A, 20V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 5380 pf @ 20 v | - | 130W (TC) | |||||||||||||
 | sqj420ep-t1_ge3 | 0.8800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SQJ420 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 9.7a, 10v | 2.5V @ 250µA | 41 NC @ 10 v | ± 20V | 1860 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||
 | stf11nm60n | - | | 3990 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 450mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 25V | 850 pf @ 50 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||
| STF3NK100Z | 3.8900 | | 6314 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF3NK100 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 1000 v | 2.5A (TC) | 10V | 6ohm @ 1.25a, 10V | 4.5V @ 50µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 601 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||
 | FDMS8026S | 0.9600 | | 72 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench®, SyncFet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 314 | n 채널 | 30 v | 19A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 19a, 10V | 3V @ 1mA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2280 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | ||||||||||||||||
 | CSD19501KC | 2.1100 | | 6762 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | CSD19501 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 100A (TA) | 6V, 10V | 6.6MOHM @ 60A, 10V | 3.2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3980 pf @ 40 v | - | 217W (TC) | ||||||||||||
 | zxmn2a02x8ta | - | | 1449 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 6.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 11a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 18.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1900 pf @ 10 v | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
 | ixfh52n30p | 7.8100 | | 5932 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH52 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 52A (TC) | 10V | 66MOHM @ 500MA, 10V | 5V @ 4MA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3490 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | ||||||||||||
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 | FQI13N06TU | - | | 9531 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI1 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 13A (TC) | 10V | 135mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 25V | 310 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||
 | SI4425BDY-T1-E3 | 1.2900 | | 133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4425 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 8.8A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 11.4A, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||
 | IPG20N06S2L50AATMA1 | 0.4498 | | 3922 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (금속 (() | 51W | PG-TDSON-8-10 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 55V | 20A | 50mohm @ 15a, 10V | 2V @ 19µA | 17nc @ 10V | 560pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||
 | BSC050N04LSGATMA1 | 0.9500 | | 117 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC050 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 18A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 27µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 3700 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA), 57W (TC) | ||||||||||||
 | STW33N60M6 | 6.4400 | | 4318 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW33 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-18252 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 600 v | 25A (TJ) | ||||||||||||||||||||
| NX7002AK2VL | - | | 1053 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | - | 2156-NX7002AK2VL | 1 | n 채널 | 60 v | 190ma (TA), 300MA (TC) | 5V, 10V | 4.5ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.43 nc @ 4.5 v | ± 20V | 20 pf @ 10 v | - | 265MW (TA), 1.33W (TC) | |||||||||||||||||
 | SI3469DV-T1-GE3 | 1.0700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3469 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6.7a, 10V | 3V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||||||||||
 | mrfe6vp5300gnr1 | 68.1500 | | 78 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 133 v | 표면 표면 | TO-270BB | mrfe6 | 1.8MHz ~ 600MHz | LDMOS | TO-270 WB-4 GULL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0040 | 500 | 이중 | - | 100 MA | 300W | 27dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | G26P04D5 | 0.6400 | | 12 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 40 v | 26A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2479 pf @ 20 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
 | FDS8840NZ | 2.1100 | | 1073 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS8840 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 18.6A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 18.6a, 10V | 3V @ 250µA | 144 NC @ 10 v | ± 20V | 7535 pf @ 20 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | UT6MA3TCR | 0.9600 | | 15 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerudfn | UT6MA3 | - | 2W | HUML2020L8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 5a, 5.5a | 59mohm @ 5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 6.5NC @ 4.5V | 460pf @ 10V | - | ||||||||||||||
| NTD15N06AVT4 | - | | 3447 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | FDMT800120DC | 6.7400 | | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Dual Cool ™, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | FDMT800120 | MOSFET (금속 (() | 8-Dual Cool ™ 88 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 120 v | 20A (TA), 129A (TC) | 6V, 10V | 4.14mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 7850 pf @ 60 v | - | 3.2W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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