전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM3404CX RFG | - | ![]() | 5251 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 5.8a, 10V | 3V @ 250µA | 13.8 nc @ 10 v | ± 20V | 400.96 pf @ 15 v | - | 750MW (TA) | |||||||||||||
![]() | BLM9D0708-05AMZ | 19.8000 | ![]() | 590 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 표면 표면 | 20-vlga ga 패드 | BLM9 | 728MHz ~ 821MHz | LDMOS | 20-LGA (7x7) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 1.4µA | 12 MA | 5W | 17.8dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
![]() | PJT7413_S1_00001 | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7413 | MOSFET (금속 (() | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT7413_S1_00001TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.5V, 4.5V | 85mohm @ 2.5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 v | ± 12V | 522 pf @ 10 v | - | 750MW (TA) | |||||||||||
![]() | FDD3690 | 2.0400 | ![]() | 9318 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD369 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 22A (TC) | 6V, 10V | 64mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1514 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 60W (TC) | ||||||||||||
![]() | 2N7228U | - | ![]() | 5727 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-267AB | MOSFET (금속 (() | TO-267AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 415mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||
![]() | BUK7611-55B, 118 | 0.6200 | ![]() | 720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | buk76 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTH94N20X4 | 12.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | x4 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH94 | MOSFET (금속 (() | ISO TO-247-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTH94N20X4 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 94A (TC) | 10V | 10.6mohm @ 47a, 10V | 4.5V @ 250µA | 77 NC @ 10 v | ± 20V | 5050 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | |||||||||||
![]() | SIE854DF-T1-GE3 | - | ![]() | 6300 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE854 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 60A (TC) | 10V | 14.2MOHM @ 13.2A, 10V | 4.4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 50 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
![]() | auirfs4310ztrl | 3.1700 | ![]() | 79 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS4310 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 100 v | 120A (TC) | 10V | 6MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6860 pf @ 50 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||
![]() | RJJ0318DSP-WS#J5 | - | ![]() | 9866 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | - | - | - | - | ± 20V | - | 2W | |||||||||||||||||
![]() | auirfsl8403 | - | ![]() | 8648 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | auirfsl8403 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 123A (TC) | 10V | 3.3mohm @ 70a, 10V | 3.9V @ 100µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 3183 pf @ 25 v | - | 99W (TC) | ||||||||||||
![]() | irlr024trl | - | ![]() | 2113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR024 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||||||
![]() | EPC2039 | 1.6800 | ![]() | 72 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 6.8A (TA) | 5V | 25mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 2MA | 2.4 NC @ 5 v | +6V, -4V | 210 pf @ 40 v | - | - | ||||||||||||
![]() | irfr13n20dctrrp | - | ![]() | 3574 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 13A (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 830 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||
MSC750SMA170S | 6.1900 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 튜브 | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | MSC750 | sicfet ((카바이드) | d3pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSC750SMA170S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 90 | - | 1700 v | 6A (TC) | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
![]() | IRF644STRR | - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||||||||||
DMP2075UVT-7 | 0.0920 | ![]() | 7474 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMP2075 | MOSFET (금속 (() | TSOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 75mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8.8 NC @ 4.5 v | ± 8V | 642 pf @ 10 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
![]() | FDI025N06 | 3.0400 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 29 | n 채널 | 60 v | 265A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 75a, 10V | 4.5V @ 250µA | 226 NC @ 10 v | ± 20V | 14885 pf @ 25 v | - | 395W (TC) | |||||||||||||||
![]() | SI7456DDP-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 9553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 27.8A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 29.5 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 35.7W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMTH6002LPSW-13 | 0.9526 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 (SWP) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH6002LPSW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 205A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 131 NC @ 10 v | ± 20V | 8289 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||
![]() | MRF6S19060NBR1 | 44.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | TO-272BB | 1.93GHz | LDMOS | TO-272 WB-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | - | 610 MA | 12W | 16db | - | 28 v | |||||||||||||||||||
![]() | stuled623 | - | ![]() | 4951 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stuled623 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 620 v | 3A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4.5V @ 50µA | 15.5 nc @ 10 v | ± 30V | 350 pf @ 50 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
IRFB9N30APBF | - | ![]() | 8629 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB9 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB9N30APBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 9.3A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 920 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | ||||||||||||
![]() | PTF140451F V1 | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Goldmos® | 쟁반 | sic에서 중단되었습니다 | 65 v | 표면 표면 | 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 | 1.5GHz | LDMOS | H-31265-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 1µA | 550 MA | 45W | 18db | - | 28 v | |||||||||||||||||
AOWF11N60 | 0.8328 | ![]() | 9084 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | AOWF11 | MOSFET (금속 (() | TO-262F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-1446-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 650mohm @ 5.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 30V | 1990 pf @ 25 v | - | 27.8W (TC) | ||||||||||||
![]() | PSMN022-30PL, 127 | 1.5100 | ![]() | 8659 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PSMN022 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 5a, 10V | 2.15v @ 1ma | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 447 pf @ 15 v | - | 41W (TC) | ||||||||||||
zxmn2a14fta | 0.5800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN2 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 3.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 3.4a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 6.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 544 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | AON6582 | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AON658 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 785-Aon6582tr | 쓸모없는 | 3,000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV75UP/S500R | 0.0400 | ![]() | 5350 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 2156-PMV75UP/S500R | 6,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 102mohm @ 2.5a, 4.5v | - | 7.5 NC @ 4.5 v | ± 12V | 550 pf @ 10 v | - | 490MW (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | APTMC170AM60CT1AG | - | ![]() | 3248 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTMC170 | 실리콘 실리콘 (sic) | 350W | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 1700V (1.7kv) | 50A (TC) | 60mohm @ 50a, 20V | 2.3v @ 2.5ma (유형) | 190NC @ 20V | 3080pf @ 1000V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고