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Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISS32LDN-T1-GE3 | 1.2200 |  | 5243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8SH | SISS32 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8SH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 17.4A (TA), 63A (TC) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 2550 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||||||||||||
| IMBG120R012M2HXTMA1 | 33.0922 | | 5420 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IMBG120R012M2HXTMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3T18H360W23SR6 | 83.7375 | | 1649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 65 v | 섀시 섀시 | ACP-1230S-4L2 | A3T18 | 1.8GHz ~ 1.88GHz | LDMOS | ACP-1230S-4L2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 935346354128 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 150 | 10µA | 700 MA | 63W | 16.6dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | IXFX52N60Q2 | - | | 8212 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q2 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX52 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 52A (TC) | 10V | 115mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 8mA | 198 NC @ 10 v | ± 30V | 6800 pf @ 25 v | - | 735W (TC) | ||||||||||||
 | DMN2004WK-7-50 | 0.0702 | | 8177 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DMN2004 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | 31-DMN2004WK-7-50 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 540MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 550mohm @ 540ma, 4.5V | 1V @ 250µA | ± 8V | 150 pf @ 16 v | - | 200MW (TA) | |||||||||||||||
 | IRFB4310PBF | 3.5900 | | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRFB4310 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | RS3E075ATTB | 0.9100 | | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RS3E | MOSFET (금속 (() | 8-SOP-J | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | - | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 7.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1250 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||
 | IPD90N04S403ATMA1 | 1.8900 | | 5 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-313 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 3.2MOHM @ 90A, 10V | 4V @ 53µA | 66.8 nc @ 10 v | ± 20V | 5260 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||||||||||||
 | STP150NF04 | 3.0400 | | 810 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP150 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 7mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3650 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | NVMFS6B14NWFT1G | - | | 1816 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 55A (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 16V | 1300 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||
| STU5N65M6 | 0.6486 | | 4198 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M6 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | stu5n65 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 10V | 1.3ohm @ 2a, 10V | 3.75V @ 250µA | 5.1 NC @ 10 v | ± 25V | 170 pf @ 100 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | UPA509TA-T2-A | 0.2400 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL9N306AD3ST | 0.3400 | | 8 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 50a, 10V | 3V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 15 v | - | 125W (TA) | |||||||||||||
 | FDS6690A | 0.8300 | | 131 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS6690 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 12.5mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | ± 20V | 1205 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | BSC0909NSATMA1 | 0.6700 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0909 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 34 v | 12A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 9.2MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1110 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | ||||||||||||
| BSZ130N03MSGATMA1 | 0.7800 | | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ130 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
 | BUK7S1R2-40HJ | 3.6900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1235 | BUK7S1 | MOSFET (금속 (() | LFPAK88 (SOT1235) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 300A (TA) | 10V | 1.2MOHM @ 25A, 10V | 3.6v @ 1ma | 112 NC @ 10 v | +20V, -10V | 8420 pf @ 25 v | - | 294W (TA) | ||||||||||||
 | IRF7389 | - | | 5730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF738 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7389 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 및 p 채널 | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
 | RS3L140GNGZETB | 2.8300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RS3L | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 14a, 10V | 2.7V @ 500µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 30 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
 | IXTP90N055T | - | | 3608 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP90 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 90A (TC) | 10V | 8.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 176W (TC) | |||||||||||||
| NVMFS5C456NLT3G | - | | 4078 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
 | FDB8160 | 1.7000 | | 17 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB816 | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 800 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 243 NC @ 10 v | ± 20V | 11825 pf @ 15 v | - | 254W (TC) | ||||||||||||
 | BLF6G38-10,112 | - | | 2216 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-975B | BLF6G38 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 3.1a | 130 MA | 2W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | NTLJS3D0N02P8ZTAG | 0.8800 | | 4123 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | ntljs3 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 3.8mohm @ 10a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2165 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | ||||||||||||
| PTFA091503ELV4R250XTMA1 | - | | 7005 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP000862070 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN42XPE, 115 | - | | 9909 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 46MOHM @ 3A, 4.5V | 1.25V @ 250µA | 17.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1410 pf @ 10 v | - | 500MW (TA), 8.33W (TC) | |||||||||||||
 | BUZ73LHXKSA1 | - | | 3660 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 7A (TC) | 5V | 400mohm @ 3.5a, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 840 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
 | MTM231232LBF | - | | 2850 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MTM231232 | MOSFET (금속 (() | Smini3-G1-B | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 1a, 4v | 1.3v @ 1ma | ± 10V | 1000 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
 | FQPF17N40 | - | | 4683 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 9.5A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.75a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2300 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | |||||||||||||
 | XP235N2001tr-G | 0.1021 | | 5751 | 0.00000000 | Torex t ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP235 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 1a, 10V | 2.4V @ 250µA | 3.6 NC @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 10 v | - | 400MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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