SIC
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Fets, Mosfets (55612)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 전압 - 테스트
2N6661JTXP02 Vishay Siliconix 2N6661JTXP02 -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N6661 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 n 채널 90 v 860MA (TC) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 725MW (TA), 6.25W (TC)
SIR812DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sir812DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir812 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.45mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 335 NC @ 10 v ± 20V 10240 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
STP16NF96L STMicroelectronics STP16NF96L -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 stmicroelectronics * 튜브 활동적인 - 영향을받지 영향을받지 497-STP16NF96L 1
2N7002DW onsemi 2N7002DW 0.4600
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 200MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 115ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE860DF-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2361 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (M) SIE860 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (M) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 21.7a, 10V 2.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 104W (TC)
BSP149 E6906 Infineon Technologies BSP149 E6906 -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
NDP7050 Fairchild Semiconductor NDP7050 2.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 50 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 150W (TC)
SPP04N60S5 Infineon Technologies SPP04N60S5 0.6100
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22.9 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
STFW45N65M5 STMicroelectronics STFW45N65M5 6.5078
RFQ
 ECAD 7143 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STFW45 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 35A (TC) 10V 78mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 25V 3470 pf @ 100 v - 57W (TC)
PD57030S-E STMicroelectronics PD57030S-E -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 65 v Powerso-10 0 바닥 패드 PD57030 945MHz LDMOS PowerSO-10RF (직선 리드) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 4a 50 MA 30W 14db - 28 v
IXFN40N110P IXYS ixfn40n110p -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN40 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1100 v 34A (TC) 10V 260mohm @ 20a, 10V 6.5V @ 1mA 310 nc @ 10 v ± 30V 19000 pf @ 25 v - 890W (TC)
MCH3360-TL-E-ON onsemi MCH3360-TL-E-ON -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 MCH3360 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3,000 -
BLF898U Ampleon USA Inc. BLF898U -
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 120 v 섀시 섀시 SOT-539A BLF898 470MHz ~ 800MHz LDMOS SOT539A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 - 900 MA 900W 18db - 50 v
BLC10G18XS-360AVTY Ampleon USA Inc. BLC10G18XS-360AVTY 86.7600
RFQ
 ECAD 4790 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-1258-7 BLC10 1.805GHz ~ 1.88GHz LDMOS SOT-1258-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 934960099518 귀 99 8541.29.0075 100 - - 18db -
SI7850ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7850ADP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 5915 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7850 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.3A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 35.7W (TC)
IRFR014TRPBF Vishay Siliconix IRFR014TRPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 424 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR014 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 7.7A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IPP03N03LB G Infineon Technologies IPP03N03LB g -
RFQ
 ECAD 4680 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP03N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 55a, 10V 2V @ 100µa 59 NC @ 5 v ± 20V 7624 pf @ 15 v - 150W (TC)
STD16N50M2 STMicroelectronics STD16N50M2 1.9400
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD16 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 25V 710 pf @ 100 v - 110W (TC)
NP82N06NLG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N06NLG-S18-ay 2.0700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 82A (TC) 7.4mohm @ 41a, 10V 2.5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 8550 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 143W (TC)
MRF282SR1 NXP USA Inc. MRF282SR1 -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-200S MRF28 2GHz LDMOS NI-200S 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 500 - 75 MA 10W 11.5dB - 26 v
IRFL024NTRPBF Infineon Technologies irfl024ntrpbf 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL024 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 2.8A (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 1W (TA)
FCP9N60N-F102 onsemi fcp9n60n-f102 -
RFQ
 ECAD 1053 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCP9N60 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1240 pf @ 100 v - 83.3W (TC)
SI5515DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5515DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 8255 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5515 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 4.4a, 3a 40mohm @ 4.4a, 4.5v 1V @ 250µA 7.5NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
MRF21045LSR5 NXP USA Inc. MRF21045LSR5 -
RFQ
 ECAD 1666 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 NI-400S MRF21 2.16GHz ~ 2.17GHz LDMOS NI-400S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 5A991G 8542.31.0001 50 - 500 MA 10W 15db - 28 v
IXTT02N450HV IXYS IXTT02N450HV 33.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT02 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 4500 v 200MA (TC) 10V 750ohm @ 10ma, 10V 6.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 256 pf @ 25 v - 113W (TC)
PXAC201602FC-V1-R250 Wolfspeed, Inc. PXAC201602FC-V1-R250 -
RFQ
 ECAD 4719 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 H-37248-4 PXAC201602 2.02GHz LDMOS H-37248-4 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 250 - 360 MA 22.5W 17.7dB - 28 v
NTD80N02-001 onsemi NTD80N02-001 -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD80 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 75W (TC)
TK39N60W,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK39N60W, S1VF 5.5100
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TK39N60 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 38.8A (TA) 10V 65mohm @ 19.4a, 10V 3.7v @ 1.9ma 110 NC @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 270W (TC)
GTRA374902FC-V1-R2 Wolfspeed, Inc. GTRA374902FC-V1-R2 214.0877
RFQ
 ECAD 2916 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 v 표면 표면 H-37248C-4 GTRA374902 3.6GHz ~ 3.7GHz 헴 H-37248C-4 - 1697-GTRA374902FC-V1-R2TR 250 - - 250 MA 450W 12db - 48 v
RDN080N25FU6 Rohm Semiconductor RDN080N25FU6 -
RFQ
 ECAD 8843 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDN080 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 8A (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10V 4V @ 1MA 30 nc @ 10 v ± 30V 543 pf @ 10 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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