- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
Fets, Mosfets (55612)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압 - 테스트 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSZ130N03MSGATMA1 | 0.7800 |  | 20 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ130 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||
 | BUK7S1R2-40HJ | 3.6900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1235 | BUK7S1 | MOSFET (금속 (() | LFPAK88 (SOT1235) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 300A (TA) | 10V | 1.2MOHM @ 25A, 10V | 3.6v @ 1ma | 112 NC @ 10 v | +20V, -10V | 8420 pf @ 25 v | - | 294W (TA) | ||||||||||||
 | IRF7389 | - | | 5730 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF738 | MOSFET (금속 (() | 2.5W | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7389 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 및 p 채널 | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V @ 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||
 | RS3L140GNGZETB | 2.8300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RS3L | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 14a, 10V | 2.7V @ 500µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 2980 pf @ 30 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
 | IXTP90N055T | - | | 3608 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP90 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 90A (TC) | 10V | 8.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 50µA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 176W (TC) | |||||||||||||
 | NVMFS5C456NLT3G | - | | 4078 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 55W (TC) | ||||||||||||
 | FDB8160 | 1.7000 | | 17 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB816 | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 800 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 243 NC @ 10 v | ± 20V | 11825 pf @ 15 v | - | 254W (TC) | ||||||||||||
 | BLF6G38-10,112 | - | | 2216 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-975B | BLF6G38 | 3.4GHz ~ 3.6GHz | LDMOS | CDFM2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 60 | 3.1a | 130 MA | 2W | 14db | - | 28 v | |||||||||||||||||
 | NTLJS3D0N02P8ZTAG | 0.8800 | | 4123 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | ntljs3 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 3.8mohm @ 10a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 21 NC @ 4.5 v | ± 12V | 2165 pf @ 10 v | - | 860MW (TA) | ||||||||||||
 | PTFA091503ELV4R250XTMA1 | - | | 7005 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | SP000862070 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN42XPE, 115 | - | | 9909 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 46MOHM @ 3A, 4.5V | 1.25V @ 250µA | 17.3 NC @ 4.5 v | ± 12V | 1410 pf @ 10 v | - | 500MW (TA), 8.33W (TC) | |||||||||||||
 | BUZ73LHXKSA1 | - | | 3660 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 7A (TC) | 5V | 400mohm @ 3.5a, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 840 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
 | MTM231232LBF | - | | 2850 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MTM231232 | MOSFET (금속 (() | Smini3-G1-B | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 1a, 4v | 1.3v @ 1ma | ± 10V | 1000 pf @ 10 v | - | 500MW (TA) | ||||||||||||||
 | FQPF17N40 | - | | 4683 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 9.5A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.75a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 2300 pf @ 25 v | - | 56W (TC) | |||||||||||||
 | XP235N2001tr-G | 0.1021 | | 5751 | 0.00000000 | Torex t ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | XP235 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2A (TA) | 4.5V, 10V | 110mohm @ 1a, 10V | 2.4V @ 250µA | 3.6 NC @ 10 v | ± 20V | 220 pf @ 10 v | - | 400MW (TA) | ||||||||||||
| MRF1511NT1 | 8.2200 | | 9006 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 40 v | PLD-1.5 | MRF15 | 175MHz | LDMOS | PLD-1.5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 3 | 4a | 150 MA | 8W | 13db | - | 7.5 v | |||||||||||||||||
 | irl3102L | - | | 6155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | irl3102 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3102L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 61A (TC) | 4.5V, 7V | 13mohm @ 37a, 7v | 700mv @ 250µa (최소) | 58 NC @ 4.5 v | ± 10V | 2500 pf @ 15 v | - | 89W (TC) | |||||||||||
 | YJP70G10B | 0.5520 | | 100 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJP70G10BTR | 귀 99 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | fqt1n60ctf-ws | 0.7300 | | 27 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | FQT1N60 | MOSFET (금속 (() | SOT-223-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 200MA (TC) | 10V | 11.5ohm @ 100ma, 10V | 4V @ 250µA | 6.2 NC @ 10 v | ± 30V | 170 pf @ 25 v | - | 2.1W (TC) | ||||||||||||
 | IXFA22N65X2 | 5.9400 | | 288 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA22 | MOSFET (금속 (() | TO-263HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 22A (TC) | 10V | 160mohm @ 11a, 10V | 5.5V @ 1.5MA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 2310 pf @ 25 v | - | 390W (TC) | ||||||||||||
 | ntmfd6h852nlt1g | 0.6961 | | 1738 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NTMFD6 | - | 250MW (TA) | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | 2 n 채널 (채널) | 80V | 295ma | 1.6ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 5NC @ 4.5V | 26pf @ 20V | - | ||||||||||||||
 | NTR1P02LT1 | - | | 1249 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ntr1p0 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.3A (TA) | 220mohm @ 750ma, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 5.5 nc @ 4 v | 225 pf @ 5 v | - | ||||||||||||||||
 | SIHG47N60E-E3 | 9.7500 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG47 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHG47N60EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 64mohm @ 24a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 30V | 9620 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | ||||||||||||
 | R6507end3tl1 | 1.9500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | R6507 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 7A (TC) | 10V | 665mohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 200µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 390 pf @ 25 v | - | 78W (TC) | ||||||||||||
 | SI7106DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SI7106 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 12.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.2mohm @ 19.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||
 | IPD90N04S3-04 | 1.0000 | | 5005 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD90 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 3.6mohm @ 80a, 10V | 4V @ 90µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | |||||||||||||||
 | IRFSL7437pbf | 1.0000 | | 4848 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.8mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||||||||||||
| IPP050N06N g | - | | 6323 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP050N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 5MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 270µA | 167 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 30 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||
 | IXFH52N50P2 | 12.2000 | | 7488 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH52 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 52A (TC) | 10V | 120mohm @ 26a, 10V | 4.5V @ 4mA | 113 NC @ 10 v | ± 30V | 6800 pf @ 25 v | - | 960W (TC) | ||||||||||||
 | irfr024trpbf | 1.2900 | | 208 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)