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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFH8202TRPBFTR Infineon Technologies irfh8202trpbftr -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 귀 99 8541.29.0095 1
IRF200S234 International Rectifier IRF200S234 -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 90A 10V 16.9mohm @ 51a, 10V 5V @ 250µA 162 NC @ 10 v ± 20V 6484 pf @ 50 v - 417W (TC)
AUIRFSL8405 International Rectifier auirfsl8405 -
RFQ
 ECAD 6271 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 100µA 161 NC @ 10 v ± 20V 5193 pf @ 25 v - 163W (TC)
FQPF6N80T Fairchild Semiconductor FQPF6N80T 1.1600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 3.3A (TC) 10V 1.95ohm @ 1.65a, 10V 5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1500 pf @ 25 v - 51W (TC)
IRFR7440TRPBF International Rectifier irfr7440trpbf -
RFQ
 ECAD 2155 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 176-LQFP MOSFET (금속 (() 176-LQFP (24x24) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 90A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 134 NC @ 10 v ± 20V 4610 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPW60R199CP Infineon Technologies IPW60R199CP -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-21 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 199mohm @ 9.9a, 10V 3.5V @ 660µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1520 pf @ 100 v - 139W (TC)
FCH25N60N Fairchild Semiconductor FCH25N60N 3.7500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8542.39.0001 80 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 126MOHM @ 12.5A, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3352 pf @ 100 v - 216W (TC)
FQP20N06L Fairchild Semiconductor FQP20N06L -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 - 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 21A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 53W (TC)
PMCM6501VPEZ NXP Semiconductors PMCM6501VPEZ 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP MOSFET (금속 (() 6-WLCSP (1.48x0.98) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,528 p 채널 12 v 6.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 3a, 4.5v 900MV @ 250µA 29.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1400 pf @ 6 v - 556MW (TA), 12.5W (TC)
STW68N65DM6-4AG STMicroelectronics STW68N65DM6-4AG 12.3100
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 STW68 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 497-STW68N65DM6-4AG 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 72A (TC) 39mohm @ 36a, 10V 4.75V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 25V 5900 pf @ 100 v - 480W (TC)
NTMFS034N15MC onsemi NTMFS034N15MC 2.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFS034 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 6.1A (TA), 31A (TC) 31mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 70µA 12 nc @ 10 v ± 20V 905 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 62.5W (TC)
FDBL9406-F085T6 onsemi FDBL9406-F085T6 5.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9406 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDBL9406-F085T6TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 45A (TA), 240A (TC) 1.21mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 190µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 4960 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 136.4W (TC)
FDD6688 Fairchild Semiconductor FDD6688 1.1100
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
BUK6607-75C,118 NXP USA Inc. BUK6607-75C, 118 -
RFQ
 ECAD 9969 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 100A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 123 NC @ 10 v ± 16V 7600 pf @ 25 v - 204W (TC)
BSS214NWH6327 Infineon Technologies BSS214NWH6327 1.0000
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() PG-SOT323-3-2 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 140mohm @ 1.5a, 4.5v 1.2V @ 3.7µA 0.8 nc @ 5 v ± 12V 143 pf @ 10 v - 500MW (TA)
BUK9D23-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9D23-40E, 115 -
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
AUIRF1404S International Rectifier AUIRF1404S 3.3600
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
AUIRFR3504Z International Rectifier auirfr3504z 0.8200
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
IPD50R800CE Infineon Technologies IPD50R800CE 1.0000
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 500 v 7.6A (TC) 13V 800mohm @ 1.5a, 13v 3.5V @ 130µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 60W (TC)
BUK762R6-60E,118 NXP USA Inc. BUK762R6-60E, 118 -
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 140 NC @ 10 v ± 20V 10170 pf @ 25 v - 324W (TC)
BUK7608-40B,118 NXP USA Inc. BUK7608-40B, 118 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk76 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
FCH76N60NF Fairchild Semiconductor FCH76N60NF 12.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 24 n 채널 600 v 72.8A (TC) 10V 38mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 300 NC @ 10 v ± 30V 11045 PF @ 100 v - 543W (TC)
2SK3815-DL-E Sanyo 2SK3815-DL-E 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
2SK3705 Sanyo 2SK3705 -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
FDPF15N65 Fairchild Semiconductor FDPF15N65 -
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 440mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 3095 pf @ 25 v - 38.5W (TC)
FCPF4300N80Z Fairchild Semiconductor FCPF4300N80Z 1.0600
RFQ
 ECAD 931 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 284 n 채널 800 v 1.6A (TC) 10V 4.3ohm @ 800ma, 10V 4.5V @ 160µA 8.8 NC @ 10 v ± 20V 355 pf @ 100 v - 19.2W (TC)
FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor FCPF2250N80Z 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 216 n 채널 800 v 2.6A (TC) 10V 2.25ohm @ 1.3a, 10V 4.5V @ 260µA 14 nc @ 10 v ± 20V 585 pf @ 100 v - 21.9W (TC)
FDMC2610 Fairchild Semiconductor FDMC2610 1.0000
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 2.2A (TA), 9.5A (TC) 6V, 10V 200mohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 960 pf @ 100 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
FQD7N20LTM Fairchild Semiconductor fqd7n20ltm -
RFQ
 ECAD 2891 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
HUF75842P3 Fairchild Semiconductor HUF75842P3 -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 43A (TC) 10V 42MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 20 v ± 20V 2730 pf @ 25 v - 230W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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