전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP462 | 3.9300 | ![]() | 152 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 17A (TC) | 10V | 350mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 4100 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||
![]() | CSD17578Q5AT | 1.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD17578 | MOSFET (금속 (() | 8-vsonp (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 6.9mohm @ 10a, 10V | 1.9V @ 250µA | 22.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 42W (TC) | ||
![]() | IRFS3006TRL7PP | 5.8200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | IRFS3006 | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 240A (TC) | 10V | 2.1mohm @ 168a, 10V | 4V @ 250µA | 300 NC @ 10 v | ± 20V | 8850 pf @ 50 v | - | 375W (TC) | ||
![]() | IQE018N06NM666666SCATMA1 | 1.1992 | ![]() | 5918 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IQE018N06NM66666666666666 | 6,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | SIA469DJ-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIA469 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 싱글 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 26.5mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1020 pf @ 15 v | - | 15.6W (TC) | |||
![]() | SPD01N60C3BTMA1 | - | ![]() | 5481 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD01N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 800ma (TC) | 10V | 6ohm @ 500ma, 10V | 3.9V @ 250µA | 5 nc @ 10 v | ± 20V | 100 pf @ 25 v | - | 11W (TC) | |||
![]() | NP160N04TUG-e1-ay | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | NP160N04 | MOSFET (금속 (() | TO-263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 10V | 2MOHM @ 80A, 10V | 4V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 20V | 15750 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 220W (TC) | ||
![]() | IXFQ21N50Q | - | ![]() | 5479 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q2 클래스 | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXFQ21 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 21A (TC) | - | - | - | - | ||||||
rlp03n06cle | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | IPI80N04S2-04 | 1.0700 | ![]() | 296 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 296 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | auirfs8407trr | 1.1800 | ![]() | 395 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 1.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 150µA | 225 NC @ 10 v | ± 20V | 7330 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||
![]() | GKI04031 | 2.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 산켄 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 17A (TA) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 51a, 10V | 2.5V @ 1mA | 63.2 NC @ 10 v | ± 20V | 3910 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 77W (TC) | ||||
![]() | SI3134KWA-TP | 0.3900 | ![]() | 855 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI3134 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 750ma | 1.8V, 4.5V | 300mohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.8 nc @ 4.5 v | ± 12V | 33 pf @ 16 v | - | 200MW (TA) | ||
![]() | STB180N55F3 | 6.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB180N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 60a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | ||
![]() | IXTP160N04T2 | - | ![]() | 5458 | 0.00000000 | ixys | Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP160 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 10V | 5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 10 v | ± 20V | 4640 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | NP90N06VLG-e1-ay | - | ![]() | 2511 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 45a, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | ± 20V | 6900 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | |||
IPI05CN10N g | - | ![]() | 7900 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI05C | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | 5.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 250µA | 181 NC @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | ||||
![]() | AOTF7N70 | 0.6017 | ![]() | 2143 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 700 v | 7A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 30V | 1175 pf @ 25 v | - | 38.5W (TC) | ||
![]() | IRF820 | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | PowerMesh ™ II | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF8 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 315 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||
![]() | SI3443CDV-T1-BE3 | 0.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI3443CDV-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.7A (TA), 5.97A (TC) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 4.7a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 12.4 NC @ 5 v | ± 12V | 610 pf @ 10 v | - | 2W (TA), 3.2W (TC) | ||||
![]() | AUIRFS8408-7TRL | 5.2200 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | AUIRF8408 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-900 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 240A (TC) | 10V | 1MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 315 NC @ 10 v | ± 20V | 10250 pf @ 25 v | - | 294W (TC) | ||
![]() | IRFS644BYDTU_AS001 | - | ![]() | 7435 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IRFS6 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 280mohm @ 7a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 43W (TC) | |||
![]() | MCB118N085Y-TP | 2.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MCB118 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 85 v | 118A (TC) | 6V, 10V | 6MOHM @ 59A, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 156w | ||
![]() | IPB65R110CFDATMA2 | 6.8400 | ![]() | 2447 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB65R110 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 31.2A (TC) | 10V | 110mohm @ 12.7a, 10V | 4.5V @ 1.3ma | 118 NC @ 10 v | ± 20V | 3240 pf @ 100 v | - | 277.8W (TC) | ||
![]() | MCQ4459-TP | - | ![]() | 5588 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MCQ4459 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 10V | 72mohm @ 5a, 10V | 2.4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 625 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||
![]() | IRFBC20LPBF | - | ![]() | 9410 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRFBC20 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFBC20LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 2.2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |
DMP2104V-7 | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMP2104 | MOSFET (금속 (() | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 150mohm @ 950ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 320 pf @ 16 v | - | 850MW (TA) | ||||
![]() | IRF7862TRPBF | 1.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7862 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 21A (TA) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10V | 2.35V @ 100µa | 45 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4090 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | FW216-NMM-TL-E | - | ![]() | 9474 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-FW216-NMM-TL-E-600057 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | IXTN5N250 | 51.3450 | ![]() | 4002 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXTN5 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 2500 v | 5A (TC) | 10V | 8.8ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 1MA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 8560 pf @ 25 v | - | 700W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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