SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TSM600P03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS RLG 0.9400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TSM600 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 4.7A (TC) 4.5V, 10V 60mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.6 NC @ 4.5 v ± 20V 560 pf @ 15 v - 2.1W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
RM50N150DF Rectron USA RM50N150DF 0.6400
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N150DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 150 v 50A (TC) 10V 19mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 5200 pf @ 50 v - 100W (TC)
RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor RQ6E030ATTCR 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 91mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5.4 NC @ 10 v 240 pf @ 15 v -
STD12N10T4G onsemi STD12N10T4G -
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - - - STD12 - - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 12A (TA) - - - -
STP10P6F6 STMicroelectronics STP10P6F6 1.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모 쓸모 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 10A (TC) 10V 160mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 340 pf @ 48 v - 30W (TC)
APT5014BFLLG Microchip Technology APT5014BFLLG 14.2000
RFQ
ECAD 4106 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT5014 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 35A (TC) 140mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 1MA 72 NC @ 10 v 3261 pf @ 25 v -
SISS66DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 1.5100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS66 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 49.1A (TA), 178.3A (TC) 4.5V, 10V 1.38mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 85.5 nc @ 10 v +20V, -16V 3327 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 5.1W (TA), 65.8W (TC)
BTS112A Infineon Technologies BTS112A 2.4100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
TSM3481CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3481CX6 0.4844
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 TSM3481 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm3481cx6tr 귀 99 8541.29.0095 12,000 p 채널 30 v 5.7A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 18.09 NC @ 10 v ± 20V 1047.98 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
IXFA12N65X2-TRL IXYS IXFA12N65X2-TRL 2.7510
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA12 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA12N65X2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 310mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 1134 pf @ 25 v - 180W (TC)
BUK7675-55A,118 NXP Semiconductors BUK7675-55A, 118 0.3900
RFQ
ECAD 75 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BUK7675-55A, 118-954 763 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
G23N06K Goford Semiconductor G23N06K 0.1370
RFQ
ECAD 50 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 23a 35mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v 38W
DMP2066LSN-7 Diodes Incorporated DMP2066LSN-7 0.4600
RFQ
ECAD 143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2066 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 40cohm @ 4.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.1 NC @ 4.5 v ± 12V 820 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
IPP120N06S402AKSA1 Infineon Technologies IPP120N06S402AKSA1 -
RFQ
ECAD 9961 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.8mohm @ 100a, 10V 4V @ 140µA 195 NC @ 10 v ± 20V 15750 pf @ 25 v - 188W (TC)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL, S1X 1.3400
RFQ
ECAD 78 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TK110E10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 42A (TC) 4.5V, 10V 10.7mohm @ 21a, 10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 v ± 20V 2040 pf @ 50 v - 87W (TC)
2SK3511-S19-AY Renesas Electronics America Inc 2SK3511-S19-ay 3.3700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
MCH3486-TL-H onsemi MCH3486-TL-H -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MCH34 MOSFET (금속 (() SC-70FL/MCPH3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 137mohm @ 1a, 10V - 7 nc @ 10 v ± 20V 310 pf @ 20 v - 1W (TA)
BTS244Z E3062A Infineon Technologies BTS244Z E3062A -
RFQ
ECAD 7272 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB MOSFET (금속 (() PG-to220-5-62 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 170W (TC)
SSM6K341NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K341NU, LF 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosviii-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K341 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 6A (TA) 4V, 10V 36mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 100µa 9.3 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
RM8N700TI Rectron USA RM8N700TI 0.6800
RFQ
ECAD 7906 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 700 v 8A (TJ) 10V 600mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 31.7W (TC)
FQA10N60C Fairchild Semiconductor fqa10n60c 1.9700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 730mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 30V 2040 pf @ 25 v - 192W (TC)
DMN2011UFDE-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDE-13 0.2150
RFQ
ECAD 7969 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN2011 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 11.7A (TA) 1.5V, 4.5V 9.5mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 12V 3372 pf @ 10 v - 610MW (TA)
SP000629364 Infineon Technologies SP000629364 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 1 n 채널 600 v 4.4A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 130µA 13 nc @ 10 v ± 20V 280 pf @ 100 v - 37W (TC)
STS4DPFS30L STMicroelectronics STS4DPFS30L -
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS4D MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 16V 1350 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2.5W (TC)
DMP2900UW-13 Diodes Incorporated DMP2900UW-13 0.0498
RFQ
ECAD 2364 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2900 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2900UW-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
2N6770 Microsemi Corporation 2N6770 -
RFQ
ECAD 4270 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K315T (TE85L, F) -
RFQ
ECAD 5970 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K315 MOSFET (금속 (() TSM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 27.6MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 10.1 NC @ 10 v ± 20V 450 pf @ 15 v - 700MW (TA)
GSFH0970 Good-Ark Semiconductor GSFH0970 3.1000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFH0970 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 100 v 160A (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 26000 pf @ 25 v - 208W (TC)
STL60P4LLF6 STMicroelectronics STL60P4LLF6 1.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F6 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL60 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 6.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3525 pf @ 25 v - 100W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고