전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM3N90CP ROG | - | ![]() | 3832 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM3N90 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 900 v | 2.5A (TC) | 10V | 5.1ohm @ 1.25a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 748 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||
![]() | IPDD60R050G7XTMA1 | 12.2500 | ![]() | 9331 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ G7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-powersop op | IPDD60 | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-10-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,700 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 50mohm @ 15.9a, 10V | 4V @ 800µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2670 pf @ 400 v | - | 278W (TC) | ||
![]() | SI7136DP-T1-GE3 | - | ![]() | 9959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7136 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 3380 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 39W (TC) | ||
![]() | SSM3K35CT, L3F | 0.3200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | SSM3K35 | MOSFET (금속 (() | CST3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 180MA (TA) | 1.2V, 4V | 3ohm @ 50ma, 4v | 1V @ 1mA | ± 10V | 9.5 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) | ||||
![]() | IRL40S212 | - | ![]() | 5000 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRL40 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 100a, 10V | 2.4V @ 150µA | 137 NC @ 4.5 v | ± 20V | 8320 pf @ 25 v | - | 231W (TC) | ||
![]() | FDD4243 | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | p 채널 | 40 v | 6.7A (TA), 14A (TC) | 4.5V, 10V | 44mohm @ 6.7a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 20 v | - | 42W (TC) | ||||||
![]() | 2SK3490-TD-E | - | ![]() | 7766 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SPI11N65C3HKSA1 | - | ![]() | 8488 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | spi11n | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000014526 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 3.9V @ 500µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||
![]() | FCD360N65S3R0 | 2.3100 | ![]() | 3587 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FCD360 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 10A (TC) | 10V | 360mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 1mA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 730 pf @ 400 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | STB40NF10T4 | - | ![]() | 1702 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB40N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1780 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
![]() | APT30M70BVFRG | 15.5300 | ![]() | 9154 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT30M70 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | 48A (TC) | 10V | 70mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 v | ± 30V | 5870 pf @ 25 v | - | 370W (TC) | ||
![]() | Irfr1205trr | - | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1205 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 44A (TC) | 10V | 27mohm @ 26a, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||
![]() | NDP6060L | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NDP6060 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | NDP6060L-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 48A (TC) | 5V, 10V | 20mohm @ 24a, 10V | 2V @ 250µA | 60 nc @ 5 v | ± 16V | 2000 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |
![]() | SI5441DC-T1-GE3 | - | ![]() | 2909 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5441 | MOSFET (금속 (() | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3.9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3.9a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 22 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||
![]() | AUIRF3808S | - | ![]() | 5806 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519466 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 75 v | 106A (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10V | 4V @ 250µA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 5310 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
DMN2046U-13 | 0.0555 | ![]() | 6807 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN2046 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMN2046U-13DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 3.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 72mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 3.8 NC @ 4.5 v | ± 12V | 292 pf @ 10 v | - | 760MW (TA) | ||
![]() | IRFB7434GPBF | - | ![]() | 8217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 195a (TC) | 6V, 10V | 1.6MOHM @ 100A, 10V | 3.9V @ 250µA | 324 NC @ 10 v | ± 20V | 10820 pf @ 25 v | - | - | |||
![]() | GT110N06D5 | 0.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | goford 반도체 | GT | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (4.9x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 14a, 10V | 2.4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1202 pf @ 30 v | - | 69W (TC) | |||||
![]() | BUZ30A E3045A | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 21A (TC) | 10V | 130mohm @ 13.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1900 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||||
![]() | C3M0280090D | 6.2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | C3M0280090 | sicfet ((카바이드) | TO-247-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 11.5A (TC) | 15V | 360mohm @ 7.5a, 15V | 3.5v @ 1.2ma | 9.5 nc @ 15 v | +18V, -8V | 150 pf @ 600 v | - | 54W (TC) | |||
![]() | FDC642P | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,516 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 16 nc @ 4.5 v | ± 8V | 925 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||||||
![]() | IRFC4310EF | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | SI7655DN-T1-GE3 | 1.6400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SI7655 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 40A (TC) | 2.5V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 1.1V @ 250µA | 225 NC @ 10 v | ± 12V | 6600 pf @ 10 v | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||
![]() | hufa75345s3st | - | ![]() | 3114 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 275 NC @ 20 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 325W (TC) | |||
![]() | RJK2006DPE-00#J3 | - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-83 | RJK2006 | MOSFET (금속 (() | ldpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 40A (TA) | 10V | 59mohm @ 20a, 10V | - | 43 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||
![]() | fqa11n90c | - | ![]() | 7312 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 11A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 5.5a, 10V | 5V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 30V | 3290 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | DMTH8001STLW-13 | 2.7342 | ![]() | 6321 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | PowerDI1012-8 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH8001STLW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 80 v | 270A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 138 NC @ 10 v | ± 20V | 8894 pf @ 50 v | - | 6W (TA), 250W (TC) | ||||
![]() | pmv62xn215 | 0.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
DMP31D7LWQ-7 | 0.0685 | ![]() | 5000 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 31-DMP31D7LWQ-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 380MA (TA) | 4.5V, 10V | 900mohm @ 420ma, 10V | 2.6V @ 250µA | 0.36 nc @ 10 v | ± 20V | 19 pf @ 15 v | - | 290MW | ||||
![]() | FDU2572 | - | ![]() | 3139 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | FDU25 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 150 v | 4A (TA), 29A (TC) | 6V, 10V | 54mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 135W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고