SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRLR3717TRRPBF Infineon Technologies irlr3717trrpbf -
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001569116 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 20V 2830 pf @ 10 v - 89W (TC)
PSMN4R4-30MLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN4R4-30MLC, 115 0.7400
RFQ
ECAD 6064 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn4r4 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 4.65mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 23 nc @ 10 v ± 20V 1515 pf @ 15 v - 69W (TC)
DMG4N60SJ3 Diodes Incorporated DMG4N60SJ3 -
RFQ
ECAD 6229 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA DMG4 MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 3A (TC) 10V 2A, 2A, 10V 2.5ohm 4.5V @ 250µA 14.3 NC @ 10 v ± 30V 532 pf @ 25 v - 41W (TC)
NP32N055SLE-E1-AZ Renesas Electronics America Inc NP32N055SLE-E1-AZ -
RFQ
ECAD 3103 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 32A (TA)
PSMN4R3-100ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN4R3-100ES, 127 -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 170 nc @ 10 v ± 20V 9900 pf @ 50 v - 338W (TC)
CPH6413-TLD-E onsemi CPH6413-TLD-E -
RFQ
ECAD 5682 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6-CPH - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-CPH6413-TLD-E-488 1 n 채널 20 v 5A (TA) 2.5V, 4V 41mohm @ 3a, 4v 1.3v @ 1ma 7.6 NC @ 4 v ± 10V 570 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
TSM2N7002KCU Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7002KCU 0.3700
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSM2N7002KCUTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 240ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.91 NC @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 30 v - 298MW (TA)
TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW RPG 1.3200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA TSM05 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 555 pf @ 15 v - 3W (TA)
SPP08N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP08N80C3XKSA1 2.9900
RFQ
ECAD 8291 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP08N80 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
IXTA96P085T-TRL IXYS IXTA96P085T-TRL 6.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA96 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 85 v 96A (TC) 10V 13mohm @ 48a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 15V 13100 pf @ 25 v - 298W (TC)
DN2540N3-G-P003 Microchip Technology DN2540N3-G-P003 1.0200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) DN2540 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 120ma (TJ) 0V 25ohm @ 120ma, 0V - ± 20V 300 pf @ 25 v 고갈 고갈 1W (TC)
STN4NF20L STMicroelectronics STN4NF20L 0.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA STN4NF20 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 1A (TC) 5V, 10V 1.5ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 0.9 nc @ 10 v ± 20V 150 pf @ 25 v - 3.3W (TC)
TSM025NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM025NH04LCR RLG 5.0500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1801-TSM025NH04LCRRLGTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 26A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 250µA 63.3 NC @ 10 v ± 16V 4179 pf @ 25 v - 136W (TC)
IRFC4010EB Infineon Technologies IRFC4010EB -
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
FDMS1D4N03S onsemi FDMS1D4N03S -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS1D4 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 211A (TC) 4.5V, 10V 1.09mohm @ 38a, 10V 3V @ 1mA 65 NC @ 4.5 v ± 16V 10250 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 74W (TC)
BUK662R5-30C,118-NXP NXP USA Inc. BUK662R5-30C, 118-NXP -
RFQ
ECAD 5857 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 114 NC @ 10 v ± 16V 6960 pf @ 25 v - 204W (TC)
FQA44N10 onsemi FQA44N10 -
RFQ
ECAD 8971 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA4 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 39mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 180W (TC)
BUK7613-75B,118 Nexperia USA Inc. BUK7613-75B, 118 -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 13mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 40 nc @ 10 v ± 20V 2644 pf @ 25 v - 157W (TC)
2SK3278-E Sanyo 2SK3278-E 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-2SK3278-E-600057 1
IRFR121 Harris Corporation IRFR121 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 80 v 8.4a - - - - - -
STD7N95K5AG STMicroelectronics STD7N95K5AG 1.3530
RFQ
ECAD 5085 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD7 MOSFET (금속 (() DPAK (TO-252) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 497-STD7N95K5AG 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 9A (TC) 10V 1.25ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa 9.6 NC @ 10 v ± 30V 430 pf @ 100 v - 110W (TC)
NVHL160N120SC1 onsemi NVHL160N120SC1 13.6600
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL160 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NVHL160N120SC1 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 17A (TC) 20V 224mohm @ 12a, 20V 4.3v @ 2.5ma 34 NC @ 20 v +25V, -15V 665 pf @ 800 v - 119W (TC)
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
ECAD 1169 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK9A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
NTMFS4C822NAT3G onsemi NTMFS4C822NAT3G 1.6100
RFQ
ECAD 5997 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 30A (TA), 136A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 NC @ 10 v ± 20V 3071 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 64W (TC)
NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP20P06SLG-E1-ay 1.4600
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP20P06 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 10 v - 1.2W (TA), 38W (TC)
IRFR120TRRPBF Vishay Siliconix irfr120trrpbf 0.6733
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34 -
RFQ
ECAD 5320 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z34 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
2N7002KQ-7-52 Diodes Incorporated 2N7002KQ-7-52 0.0458
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-2N7002KQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
STD26NF10 STMicroelectronics STD26NF10 1.8800
RFQ
ECAD 2835 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD26 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 38mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 100W (TC)
APT14M120B Microchip Technology APT14M120B 10.0000
RFQ
ECAD 9154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 APT14M120 MOSFET (금속 (() TO-247 [B] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 14A (TC) 10V 1.2ohm @ 7a, 10V 5V @ 1MA 145 NC @ 10 v ± 30V 4765 pf @ 25 v - 625W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고