SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AO4407BL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407BL -
RFQ
ECAD 5607 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 AO44 MOSFET (금속 (() - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 12A (TA) 10V 13mohm @ 12a, 20V 2.8V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 25V 2600 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
PSMN2R4-30MLD115 NXP USA Inc. psmn2r4-30mld115 -
RFQ
ECAD 9137 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500
TSM220NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM220NB06CR RLG 1.6800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM220 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 8A (TA), 35A (TC) 10V 22mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1454 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 68W (TC)
PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPEYL 0.4500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ320 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 1A (TA) 1.5V, 4.5V 510mohm @ 1a, 4.5v 950MV @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 122 pf @ 15 v - 350MW (TA), 6.25W (TC)
FDBL86563-F085 onsemi FDBL86563-F085 5.3100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL86563 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 240A (TC) 10V 1.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 169 NC @ 10 v ± 20V 10300 pf @ 30 v - 357W (TJ)
JANTX2N6766T1 Microsemi Corporation jantx2n6766t1 -
RFQ
ECAD 9088 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) MOSFET (금속 (() TO-254AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 90mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
BSC883N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03MSGATMA1 -
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v 19A (TA), 98A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 57W (TC)
NVMFS6B03NWFT1G onsemi NVMFS6B03NWFT1G -
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 145A (TC) 10V 4.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 16V 4200 pf @ 50 v - 3.9W (TA), 198W (TC)
G30N04D3 Goford Semiconductor G30N04D3 0.6900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.15x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 30A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1780 pf @ 20 v 기준 19.8W (TC)
SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 0.5900
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, WLCSP SI8425 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1.6x1.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5.9A (TA) 1.8V, 4.5V 2A @ 2A, 4.5V 900MV @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 10V 2800 pf @ 10 v - 1.1W (TA), 2.7W (TC)
NVMFS6B85NLT1G onsemi NVMFS6B85NLT1G -
RFQ
ECAD 4908 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS6 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 5.6A (TA), 19A (TC) 4.5V, 10V 46mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 7.9 NC @ 10 v ± 16V 480 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 42W (TC)
DMN10H220LQ-13 Diodes Incorporated DMN10H220LQ-13 0.0672
RFQ
ECAD 2853 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 100 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 220mohm @ 1.6a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 16V 401 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
CPH6311-TL-E onsemi CPH6311-TL-E 0.1800
RFQ
ECAD 141 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6-CPH - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 5A (TA) 42mohm @ 3a, 4.5v - 31 NC @ 10 v 1230 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
GT700P08T Goford Semiconductor GT700P08T -
RFQ
ECAD 3293 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 80 v 25A (TC) 10V 72mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 1639 pf @ 40 v 125W (TC)
G2K3N10H Goford Semiconductor G2K3N10H 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 2A (TC) 4.5V, 10V 220mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 434 pf @ 50 v - 2.4W (TC)
WNSCM80120WQ WeEn Semiconductors WNSCM80120WQ 8.2460
RFQ
ECAD 4369 0.00000000 ween 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 WNSCM80120 MOSFET (금속 (() TO-247-3 - 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 1200 v 42A (TA) 20V 98mohm @ 20a, 20V 4.5V @ 6MA 59 NC @ 20 v +25V, -10V 1350 pf @ 1000 v - 230W (TA)
G900P15M Goford Semiconductor G900p15m 1.6400
RFQ
ECAD 451 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 150 v 60A (TC) 10V 80mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 4056 pf @ 75 v - 100W (TC)
DMN6140LQ-7-52 Diodes Incorporated DMN6140LQ-7-52 0.0772
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN6140LQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 1.6A (TA) 4.5V, 10V 140mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 40 v - 700MW (TA)
RFD8P05SM onsemi RFD8P05SM -
RFQ
ECAD 3720 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFD8P MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 8A (TC) 300mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 20 v -
IPD60R600CP Infineon Technologies IPD60R600CP 0.6600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CP 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 6.1A (TC) 10V 600mohm @ 3.3a, 10V 3.5V @ 220µA 27 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 100 v - 60W (TC)
AON6424 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6424 -
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON642 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA), 41A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 1.7V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 12V 1900 pf @ 15 v - 2W (TA), 25W (TC)
C3M0032120K Wolfspeed, Inc. C3M0032120K 32.9000
RFQ
ECAD 9340 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 C3M0032120 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 63A (TC) 15V 43mohm @ 40a, 15V 3.6v @ 11.5ma 118 NC @ 15 v +15V, -4V 3357 pf @ 1000 v - 283W (TC)
ZVP4424GTA Diodes Incorporated ZVP4424GTA 1.0900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVP4424 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 240 v 480MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10V 2V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
FDFS2P102 onsemi FDFS2P102 -
RFQ
ECAD 8701 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDFS2 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 3.3a, 10V 2V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 900MW (TA)
PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3P10A_R2_00001 0.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3p10a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 210mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1419 pf @ 25 v - 3.1W (TA)
YJL3400AQ Yangjie Technology YJL3400AQ 0.0640
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJL3400AQTR 귀 99 3,000
IRF9610STRR Vishay Siliconix irf9610strr -
RFQ
ECAD 7926 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 200 v 1.8A (TC) 10V 3ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3W (TA), 20W (TC)
PMH600UNEH Nexperia USA Inc. pmh600onh 0.3400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH600 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 800MA (TA) 1.2V, 4.5V 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.31 NC @ 4.5 v ± 8V 21.3 pf @ 10 v - 370MW (TA), 2.2W (TC)
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 -
RFQ
ECAD 9428 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 6.1A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13v 3.5V @ 150µA 15 nc @ 10 v ± 20V 342 pf @ 100 v - 47W (TC)
NP80N04NDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04NDG-S18-ay 1.8400
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 80A (TC) 4.8mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v 6900 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 115W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고