전화 : +86-0755-83501315
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![]() | YJL3400AQ | 0.0640 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJL3400AQTR | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | irf9610strr | - | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9610 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 200 v | 1.8A (TC) | 10V | 3ohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 170 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||
![]() | pmh600onh | 0.3400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMH600 | MOSFET (금속 (() | DFN0606-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 800MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 620mohm @ 600ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.31 NC @ 4.5 v | ± 8V | 21.3 pf @ 10 v | - | 370MW (TA), 2.2W (TC) | ||
![]() | IPD50R650CEBTMA1 | - | ![]() | 9428 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 6.1A (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13v | 3.5V @ 150µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 342 pf @ 100 v | - | 47W (TC) | ||
![]() | NP80N04NDG-S18-ay | 1.8400 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 4.8mohm @ 40a, 10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 v | 6900 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 115W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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