SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE874DF-T1-GE3 2.4600
RFQ
ECAD 413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE874 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.17mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6200 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
HUFA75321D3ST Fairchild Semiconductor hufa75321d3st 0.4200
RFQ
ECAD 79 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 36mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
IPS65R950C6AKMA1 Infineon Technologies IPS65R950C6AKMA1 1.1100
RFQ
ECAD 150 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS65R MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 650 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 1.5a, 10V 3.5V @ 200µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 328 pf @ 100 v - 37W (TC)
DMN2058UW-7 Diodes Incorporated DMN2058UW-7 0.3800
RFQ
ECAD 135 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2058 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 10V 42mohm @ 3a, 10V 1.2V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 12V 281 pf @ 10 v - 500MW (TA)
TSM120N10PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG -
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 58A (TC) 10V 12MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 3902 pf @ 30 v - 36W (TC)
TSM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM019NH04LCR RLG 6.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 35A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 250µA 104 NC @ 10 v ± 16V 6282 pf @ 25 v - 150W (TC)
PSMN2R8-25MLC115 NXP USA Inc. PSMN2R8-25MLC115 -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRFR8403TRL Infineon Technologies auirfr8403trl 2.4100
RFQ
ECAD 3242 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR8403 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 76a, 10V 3.9V @ 100µA 99 NC @ 10 v ± 20V 3171 pf @ 25 v - 99W (TC)
AO4441L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4441L_001 -
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1120 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
BUK7Y12-100EX NXP USA Inc. buk7y12-100ex -
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 85A (TC) 10V 12MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 68 NC @ 10 v ± 20V 5067 pf @ 25 v - 238W (TC)
IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies IRF100P219AKMA1 7.5600
RFQ
ECAD 5882 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 100 v 203A (TC) 6V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 278µA 210 nc @ 10 v ± 20V 12020 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 341W (TC)
IRFB7446GPBF Infineon Technologies IRFB7446GPBF -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566710 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 70a, 10V 3.9V @ 100µA 93 NC @ 10 v ± 20V 3183 pf @ 25 v - 99W (TC)
FQA28N15_F109 onsemi FQA28N15_F109 -
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 MOSFET (금속 (() 3pn - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 33A (TC) 10V 90mohm @ 16.5a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 25V 1600 pf @ 25 v - 227W (TC)
IXTH96N20P IXYS IXTH96N20P 10.0300
RFQ
ECAD 1407 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH96 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 96A (TC) 10V 24mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 600W (TC)
SIR820DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir820dp-t1-ge3 0.6350
RFQ
ECAD 3781 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir820 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 15A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 3512 pf @ 15 v - 37.8W (TC)
IAUC100N10S5L054ATMA1 Infineon Technologies IAUC100N10S5L054ATMA1 1.2000
RFQ
ECAD 5550 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-34 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 101A (TJ) 4.5V, 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 64µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3744 pf @ 50 v - 130W (TC)
BSS138WQ-13-F Diodes Incorporated BSS138WQ-13-F 0.0362
RFQ
ECAD 1001 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BSS138WQ-13-FTR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 280MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 10 v ± 20V 48 pf @ 25 v - 400MW (TA)
SQJ457EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj457ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ457 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 36A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 68W (TC)
RD3U060CNTL1 Rohm Semiconductor RD3U060CNTL1 1.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3U060 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 6A (TC) 10V 530mohm @ 3a, 10V 5V @ 1MA 15 nc @ 10 v ± 30V 840 pf @ 25 v - 52W (TC)
AUIRF3305XKMA1 Infineon Technologies auirf3305xkma1 -
RFQ
ECAD 6151 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 AUIRF3305 - 쓸모없는 1
RJK4002DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK4002DPD-00#J2 0.6453
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RJK4002 MOSFET (금속 (() MP-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-RJK4002DPD-00#J2CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 400 v 3A (TA) 10V 2.9ohm @ 1.5a, 10V - 6 nc @ 10 v ± 30V 165 pf @ 25 v - 30W (TC)
IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2 35.6000
RFQ
ECAD 6241 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFB150 MOSFET (금속 (() Plus264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 150A (TC) 10V 17mohm @ 75a, 10V 5.5V @ 8mA 430 nc @ 10 v ± 30V 20400 pf @ 25 v - 1560W (TC)
2SK3748-1E onsemi 2SK3748-1E -
RFQ
ECAD 9720 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 SC-94 2SK3748 MOSFET (금속 (() to-3pf-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 4A (TA) 10V 7ohm @ 2a, 10V - 80 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 30 v - 3W (TA), 65W (TC)
BUK7Y113-100EX Nexperia USA Inc. buk7y113-100ex 0.5800
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y113 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 12A (TC) 10V 113mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 601 pf @ 25 v - 45W (TC)
IPI65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies IPI65R420CFDXKSA1 -
RFQ
ECAD 4661 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI65R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 8.7A (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340µA 32 NC @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 83.3W (TC)
IXTD2N60P-1J IXYS IXTD2N60P-1J -
RFQ
ECAD 9532 0.00000000 ixys Polarhv ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 ixtd2n MOSFET (금속 (() 주사위 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 5.1ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 30V 240 pf @ 25 v - 56W (TC)
SI4467DYBAA005AP onsemi si4467dybaa005ap -
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - SI4467 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-SI4467DYBAA005APTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 - - - - - - - -
R6524ENZC8 Rohm Semiconductor R6524ENZC8 -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6524 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6524ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 74W (TC)
G35N02K Goford Semiconductor G35N02K 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 35A (TC) 2.5V, 4.5V 13mohm @ 20a, 4.5v 1.2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 1380 pf @ 10 v - 40W (TC)
2SK2161 onsemi 2SK2161 0.9200
RFQ
ECAD 49 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 325
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고