- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4936NCT1G | 0.3300 |  | 15 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4936 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 11.6A (TA), 79A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 43 NC @ 10 v | ± 20V | 3044 pf @ 15 v | - | 920MW (TA), 43W (TC) | ||
 | HUF76122P3 | 1.0000 | | 1950 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 1 | |||||||||||||||||||||
| IRF830 | 1.4600 | | 329 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 600 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||
 | R6035KNZ1C9 | - | | 6824 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | R6035 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 35A (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10v | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 379W (TC) | ||
 | DMN26D0UT-7 | 0.3300 | | 160 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMN26 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 230MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 3ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 10V | 14.1 pf @ 15 v | - | 300MW (TA) | |||
| IXTT38N30L2HV | 20.1987 | | 1520 | 0.00000000 | ixys | l2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT38 | MOSFET (금속 (() | TO-268HV (IXTT) | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT38N30L2HV | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 100mohm @ 19a, 10V | 4.5V @ 250µA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 7200 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | |
| IXTT140N10P-TRL | 7.8667 | | 4425 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT140 | MOSFET (금속 (() | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT140N10P-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 140A (TC) | 10V, 15V | 11mohm @ 70a, 10V | 5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | ||
 | NTD4906NA-35G | - | | 8886 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | - | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | NTD49 | MOSFET (금속 (() | i-pak | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 10.3A (TA), 54A (TC) | 5.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | 1932 pf @ 15 v | - | - | |||||
 | BUK7Y12-40EX | 0.9300 | | 4748 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7y12 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 52A (TC) | 10V | 12MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 1MA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1039 pf @ 25 v | - | 65W (TC) | ||
 | BUK752R3-40C, 127 | - | | 1858 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 2.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 175 NC @ 10 v | ± 20V | 11323 pf @ 25 v | - | 333W (TC) | ||
 | SI7454CDP-T1-GE3 | - | | 2262 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7454 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 22A (TC) | 4.5V, 10V | 30.5mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 19.5 nc @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 50 v | - | 4.1W (TA), 29.7W (TC) | ||
| TSM080N03PQ56 | 0.5916 | | 3960 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM080 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM080N03PQ56TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 14A (TA), 73A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.4 NC @ 10 v | ± 20V | 843 pf @ 15 v | - | 2.6W (TA), 69W (TC) | ||
 | PJS6421_S1_00001 | 0.4600 | | 47 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | PJS6421 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 7.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 16.5 nc @ 4.5 v | ± 10V | 1620 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||
 | SI4463BDY-T1-E3 | 1.6000 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4463 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 9.8A (TA) | 2.5V, 10V | 11mohm @ 13.7a, 10V | 1.4V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||
 | STW63N65DM2 | 8.4337 | | 4062 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW63 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 60A (TC) | 10V | 50mohm @ 30a, 10V | 5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 25V | 5500 pf @ 100 v | - | 446W (TC) | ||
 | FQA90N10V2 | 4.0500 | | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 105A (TC) | 10V | 10mohm @ 52.5a, 10V | 4V @ 250µA | 191 NC @ 10 v | ± 30V | 6150 pf @ 25 v | - | 330W (TC) | |||||
| SI7858ADP-T1-GE3 | 2.7500 | | 5811 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7858 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 20A (TA) | 2.5V, 4.5V | 2.6mohm @ 29a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 80 nc @ 4.5 v | ± 8V | 5700 pf @ 6 v | - | 1.9W (TA) | |||
 | IRFH5304TR2PBF | - | | 7285 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 79A (TC) | 4.5mohm @ 47a, 10V | 2.35V @ 50µA | 41 NC @ 10 v | 2360 pf @ 10 v | - | ||||||||
 | sir4409dp-t1-re3 | 1.3100 | | 4098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 17.2A (TA), 60.6A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 126 NC @ 10 v | ± 20V | 5670 pf @ 20 v | - | 4.8W (TA), 59.5W (TC) | ||||
 | SIA4446DJ-T1-GE3 | 0.6800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 13A (TA), 31A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | +20V, -16V | 915 pf @ 20 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | ||||
| TW030Z120C, S1F | 30.4100 | | 120 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) | TO-247-4L (X) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 60A (TC) | 18V | 41mohm @ 30a, 18V | 5V @ 13MA | 82 NC @ 18 v | +25V, -10V | 2925 pf @ 800 v | - | 249W (TC) | ||||
| PMPB13XNEAX | - | | 1164 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 예비의 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB13 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 8A (TJ) | 4.5V | 16mohm @ 8a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 36 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2.195 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA) | ||
| ISC0605NLSATMA1 | 1.4175 | | 8427 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-ISC0605NLSATMA1TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||
| ISC032N12LM6ATMA1 | 1.8378 | | 4451 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-ISC032N12LM6ATMA1TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||
| IPDQ60T017S7XTMA1 | 11.5917 | | 6998 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IPDQ60T017S7XTMA1TR | 750 | ||||||||||||||||||||
| IPDQ65R060CFD7AXTMA1 | 5.9223 | | 7256 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 22-powerbsop op | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-22-1 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 750 | n 채널 | 650 v | 45A (TC) | 10V | 60mohm @ 16.4a, 10V | 4.5V @ 820µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 3288 pf @ 400 v | - | 272W (TC) | |||||
| iqe036n08nm6cgscatma1 | 1.2170 | | 5164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-iqe036n08nm6cgscatma1tr | 6,000 | ||||||||||||||||||||
 | TQM019NH04CR-V RLG | 3.3893 | | 2041 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101, Perfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-PDFNU (4.9x5.75) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 30A (TA), 100A (TC) | 7V, 10V | 1.9mohm @ 50a, 10V | 3.6V @ 250µA | 134 NC @ 10 v | ± 20V | 9044 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||||
 | MCU95N06KY-TP | 1.5700 | | 4 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MCU95 | MOSFET (금속 (() | DPAK (TO-252) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 95A | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 72.84 NC @ 10 v | ± 20V | 4159 pf @ 30 v | - | 160W | ||
 | IPF042N10NF2SATMA1 | 2.5100 | | 792 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 21A (TA), 139A (TC) | 6V, 10V | 4.25mohm @ 80a, 10V | 3.8V @ 93µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 50 v | - | 3.8W (TA), 167W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)