SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 40a, 10V 2V @ 93µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 158W (TC)
AO4354_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4354_101 -
RFQ
 ECAD 7684 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO43 MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 23A (TA) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IRL100HS121 Infineon Technologies IRL100HS121 1.2400
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervdfn IRL100 MOSFET (금속 (() 6-pqfn n (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 11A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 6.7a, 10V 2.3V @ 10µA 5.6 NC @ 4.5 v ± 20V 440 pf @ 50 v - 11.5W (TC)
STU6N90K5 STMicroelectronics stu6n90k5 2.1600
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB stu6n90 MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17076 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 900 v 6A (TC) 10V 1.1ohm @ 3a, 10V 5V @ 100µa ± 30V - 110W (TC)
NVMFS5C456NLAFT1G onsemi NVMFS5C456Nlaft1g 1.5800
RFQ
 ECAD 3948 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 87A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 55W (TC)
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1 -
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80p MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 150µA 89 NC @ 10 v ± 20V 6085 pf @ 25 v - 88W (TC)
IPI80N04S2-04 Infineon Technologies IPI80N04S2-04 1.0700
RFQ
 ECAD 296 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 296 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 25 v - 300W (TC)
SIE812DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE812DF-T1-E3 1.7317
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE812 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 8300 pf @ 20 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
AUIRLS3034-7TRL Infineon Technologies auirls3034-7trl 4.0351
RFQ
 ECAD 7408 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA auirls3034 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001519894 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.4mohm @ 200a, 10V 2.5V @ 250µA 180 NC @ 4.5 v ± 20V 10990 pf @ 40 v - 380W (TC)
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT74 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 30mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 280 nc @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 360W (TC)
RLP03N06CLE Harris Corporation rlp03n06cle 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 - rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
IRFR1N60ATRRPBF Vishay Siliconix irfr1n60atrrpbf -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
SQJ443EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_BE3 1.4100
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj443ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2030 pf @ 20 v - 83W (TC)
IXFQ21N50Q IXYS IXFQ21N50Q -
RFQ
 ECAD 5479 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ21 MOSFET (금속 (() to-3p - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 21A (TC) - - - -
CPH6341-M-TL-E onsemi CPH6341-M-TL-E -
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-23-6 CPH6341 - 6-CPH - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 5A (TJ) - - - -
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK9A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
SI4890BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5032 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 25V 1535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
NTMFS4C822NAT3G onsemi NTMFS4C822NAT3G 1.6100
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 30A (TA), 136A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 NC @ 10 v ± 20V 3071 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 64W (TC)
IRFR120TRRPBF Vishay Siliconix irfr120trrpbf 0.6733
RFQ
 ECAD 5467 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRF9Z34 Vishay Siliconix IRF9Z34 -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF9Z34 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 88W (TC)
NP20P06SLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP20P06SLG-E1-ay 1.4600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP20P06 MOSFET (금속 (() TO-252 (MP-3ZK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 10 v - 1.2W (TA), 38W (TC)
PH3830L,115 NXP USA Inc. Ph3830L, 115 -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 ph38 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 98A (TC) 5V, 10V 3.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 33 NC @ 5 v ± 20V 3190 pf @ 10 v - 62.5W (TC)
BUK7Y25-80E/GFX NXP USA Inc. BUK7Y25-80E/GFX -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 39A (TC) 10V 25mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 25.9 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 25 v - 95W (TC)
IRFU220BTU Fairchild Semiconductor IRFU220BTU 0.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-IRFU220BTU-600039 1
AOK10N90 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK10N90 -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK10 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 900 v 10A (TC) 10V 980mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3160 pf @ 25 v - 403W (TC)
SQJA84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja84ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA84 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 55W (TC)
SPI20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies SPI20N60CFDHKSA1 -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA spi20n MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 20.7A (TC) 10V 220mohm @ 13.1a, 10V 5V @ 1MA 124 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 208W (TC)
DMT3002LPS-13 Diodes Incorporated DMT3002LPS-13 0.5733
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT3002 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 77 NC @ 10 v ± 16V 5000 pf @ 15 v - 1.2W (TA), 136W (TC)
DMN67D7L-7 Diodes Incorporated DMN67D7L-7 0.2600
RFQ
 ECAD 649 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.821 NC @ 10 v ± 40V 22 pf @ 25 v - 570MW (TA)
STP1N105K3 STMicroelectronics STP1N105K3 1.5600
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 stp1n MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 600ma, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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