SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BUK9M6R6-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M6R6-30EX 0.9500
RFQ
 ECAD 7909 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) buk9m6 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 70A (TC) 5V 5.3MOHM @ 20A, 10V 2.1v @ 1ma 18 nc @ 5 v ± 10V 2001 pf @ 25 v - 75W (TC)
NTNS3166NZT5G onsemi NTNS3166NZT5G 0.3700
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 3-xfdfn NTNS3166 - SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 - - - - - -
IPAN80R450P7XKSA1 Infineon Technologies IPAN80R450P7XKSA1 2.7500
RFQ
 ECAD 8554 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPAN80 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 3.5V @ 220µA 24 nc @ 10 v ± 20V 770 pf @ 500 v - 29W (TC)
NVMTS001N06CTXG onsemi NVMTS001N06CTXG 7.7000
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NVMTS001 MOSFET (금속 (() 8-DFNW (8.3x8.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 53.7a (TA), 376A (TC) 10V 910mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 113 NC @ 10 v ± 20V 8705 pf @ 30 v - 5W (TA), 244W (TC)
STU5N60M2 STMicroelectronics stu5n60m2 1.4100
RFQ
 ECAD 831 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stu5n60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 3.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.85a, 10V 4V @ 250µA 4.5 nc @ 10 v ± 25V 165 pf @ 100 v - 45W (TC)
AON1605 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1605 0.0638
RFQ
 ECAD 8179 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn AON16 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1.0 x 0.60) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 700MA (TA) 1.5V, 4.5V 710mohm @ 400ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 8V 50 pf @ 10 v - 900MW (TA)
IRLH5030TR2PBF Infineon Technologies irlh5030tr2pbf -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() pqfn (5x6) 단일 다이 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 13A (TA), 100A (TC) 9mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 150µA 94 NC @ 10 v 5185 pf @ 50 v -
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC 0.9100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP7A17 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 70 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10V 1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 635 pf @ 40 v - 2.11W (TA)
CTLDM3590 TR Central Semiconductor Corp CTLDM3590 TR 0.5300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn MOSFET (금속 (() TLM3D6D8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 160MA (TA) 1.2V, 4.5V 3ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.46 nc @ 4.5 v 8V 9 pf @ 15 v - 125MW (TA)
SIA430DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA430DJT-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 19.2W (TC)
IRFR6215TRLPBF Infineon Technologies irfr6215trlpbf 1.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR6215 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 295mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 110W (TC)
SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-GE3 1.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7892 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 3775 pf @ 15 v - 1.8W (TA)
RSS065N06FRATB Rohm Semiconductor RSS065N06FRATB -
RFQ
 ECAD 7929 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS065 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.5A (TA) 4V, 10V 37mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 1mA 16 nc @ 5 v ± 20V 900 pf @ 10 v - 2W (TA)
2SK3342(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3342 (TE16L1, NQ) -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 2SK3342 MOSFET (금속 (() PW-Mold 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 4.5A (TA) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 10 v - 20W (TC)
IRF9240 International Rectifier IRF9240 5.6400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 580mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
FQA90N10V2 onsemi FQA90N10V2 -
RFQ
 ECAD 7185 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 105A (TC) 10V 10mohm @ 52.5a, 10V 4V @ 250µA 191 NC @ 10 v ± 30V 6150 pf @ 25 v - 330W (TC)
IPU04N03LA Infineon Technologies IPU04N03LA -
RFQ
 ECAD 8225 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014621 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
BUK765R2-40B,118 Nexperia USA Inc. BUK765R2-40B, 118 1.9100
RFQ
 ECAD 254 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-BUK765R2-40B, 118-1727 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 5.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 52 NC @ 10 v ± 20V 3789 pf @ 25 v - 203W (TC)
SIR696DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir696dp-t1-ge3 1.3600
RFQ
 ECAD 4035 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir696 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 125 v 60A (TC) 7.5V, 10V 11.5mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1410 pf @ 75 v - 104W (TC)
BUK7524-55,127 NXP USA Inc. BUK7524-55,127 -
RFQ
 ECAD 2151 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK75 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934045180127 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 45A (TC) 10V 24mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 16V 1500 pf @ 25 v - 103W (TC)
SQ2325ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2325ES-T1_GE3 0.6900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2325 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 840MA (TC) 10V 1.77ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 50 v - 3W (TC)
3LN01SS-TL-E onsemi 3LN01SS-TL-E -
RFQ
 ECAD 3609 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-81 3LN01 MOSFET (금속 (() 3-SSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 150MA (TA) 1.5V, 4V 3.7ohm @ 80ma, 4v - 1.58 nc @ 10 v ± 10V 7 pf @ 10 v - 150MW (TA)
BUK753R1-40E,127 Nexperia USA Inc. BUK753R1-40E, 127 1.5722
RFQ
 ECAD 2185 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BUK753 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 79 NC @ 10 v ± 20V 6200 pf @ 25 v - 234W (TC)
IRFPC50A Vishay Siliconix IRFPC50A -
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPC50A 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 580mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2100 pf @ 25 v - 180W (TC)
NTD110N02RST4G onsemi NTD110N02RST4G -
RFQ
 ECAD 5182 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD110 - DPAK-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 - 32A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V - - ± 20V - -
SIB433EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB433EDK-T1-GE3 0.5300
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB433 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 1.8V, 4.5V 58mohm @ 3.7a, 4.5v 1V @ 250µA 21 NC @ 8 v ± 8V - 2.4W (TA), 13W (TC)
CEDM8001VL TR PBFREE Central Semiconductor Corp CEDM8001VL TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 CEDM8001 MOSFET (금속 (() SOT-883VL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 p 채널 20 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.1V @ 250µA 0.66 nc @ 4.5 v 10V 45 pf @ 3 v - 100MW (TA)
2N7002K-TP Micro Commercial Co 2N7002K-TP 0.2800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 40 pf @ 10 v - 350MW (TA)
NVMFS5C410NLT3G onsemi NVMFS5C410NLT3G -
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 48A (TA), 315A (TC) 4.5V, 10V 0.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 143 NC @ 10 v ± 20V 8862 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
PSMN6R9-100YSFX Nexperia USA Inc. psmn6r9-100ysfx 2.8500
RFQ
 ECAD 4766 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn6r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 100A (TC) 10V - - 50.3 NC @ 10 v ± 20V - 238W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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