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| FDP52N20 | 2.4900 | | 6453 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP52 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 52A (TC) | 10V | 49mohm @ 26a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 2900 pf @ 25 v | - | 357W (TC) | ||
 | IXTA12N65X2 | 3.4474 | | 6484 | 0.00000000 | ixys | x2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 | IXTA12 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 180W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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