SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
HUFA75329D3S onsemi HUFA75329D3S -
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 65 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
SUD35N10-26P-GE3 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-GE3 2.1700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD35 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 35A (TC) 7V, 10V 26mohm @ 12a, 10V 4.4V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 12 v - 8.3W (TA), 83W (TC)
SQS482EN-T1_GE3 Vishay Siliconix SQS482EN-T1_GE3 0.9100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS482 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1865 pf @ 25 v - 62W (TC)
STP150NF55 STMicroelectronics STP150NF55 3.7700
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP150 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-6117-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 60A, 60A, 10V 4V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IPI120N10S405AKSA1 Infineon Technologies IPI120N10S405AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5364 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI120N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 120A (TC) 10V 5.3MOHM @ 100A, 10V 3.5V @ 120µA 91 NC @ 10 v ± 20V 6540 pf @ 25 v - 190W (TC)
IRFZ48VSTRLPBF Infineon Technologies IRFZ48VSTRLPBF -
RFQ
 ECAD 8932 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 72A (TC) 10V 12MOHM @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 1985 pf @ 25 v - 150W (TC)
NTTFS5C453NLTAG onsemi NTTFS5C453NLTAG 2.7000
RFQ
 ECAD 9709 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTTFS5C453NLTAGOSTR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 23A (TA), 107A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 40A, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 68W (TC)
IRFR1N60ATRL Vishay Siliconix irfr1n60atrl -
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 10V 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
IRFS3307ZTRRPBF Infineon Technologies IRFS3307ZTRRPBF 2.9100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3307 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix SIHP11N80E-GE3 3.5300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 440mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 30V 1670 pf @ 100 v - 179W (TC)
NTMFS5C645NLT1G onsemi NTMFS5C645NLT1G 2.8900
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
AUIRFU8405 International Rectifier auirfu8405 1.0300
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 1.98mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5171 pf @ 25 v - 163W (TC)
SIHJ6N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHJ6N65E-T1-GE3 2.1300
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIHJ6 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 5.6A (TC) 10V 868mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 30V 596 pf @ 100 v - 74W (TC)
SUM110P08-11L-E3 Vishay Siliconix SUM110P08-11L-E3 4.6500
RFQ
 ECAD 9813 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SUM110 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 80 v 110A (TC) 4.5V, 10V 11.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 270 nc @ 10 v ± 20V 10850 pf @ 40 v - 13.6W (TA), 375W (TC)
DMN3042L-7 Diodes Incorporated DMN3042L-7 0.4300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3042 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 2.5V, 10V 26.5mohm @ 5.8a, 10V 1.4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 860 pf @ 15 v - 720MW (TA)
STD9NM50N STMicroelectronics std9nm50n 1.5200
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std9 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 790mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 570 pf @ 50 v - 45W (TC)
AOTF288L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF288L 0.8800
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF288 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 10.5A (TA), 43A (TC) 6V, 10V 9.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 40 v - 2.1W (TA), 35.5W (TC)
RJK1053DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK1053DPB-00#J5 1.4244
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 RJK1053 MOSFET (금속 (() LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 12.5a, 10V - 43 NC @ 4.5 v ± 20V 6160 pf @ 10 v - 65W (TC)
DMTH6016LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LFVWQ-13 0.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH6016 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 41A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 15.1 NC @ 10 v ± 20V 939 pf @ 30 v - 1.17W (TA)
NTLUS4930NTBG onsemi ntlus4930ntbg -
RFQ
 ECAD 5099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 NTLUS4930 MOSFET (금속 (() 6-udfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 28.5mohm @ 6.1a, 10V 2.2V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 476 pf @ 15 v - 650MW (TA)
IXFP10N80P IXYS ixfp10n80p 6.3800
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 10A (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10V 5.5V @ 2.5MA 40 nc @ 10 v ± 30V 2050 pf @ 25 v - 300W (TC)
BSS138K-13 Diodes Incorporated BSS138K-13 0.3100
RFQ
 ECAD 278 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 310MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.95 nc @ 10 v ± 20V 23.2 pf @ 25 v - 380MW (TA)
SI2304DS,215 Nexperia USA Inc. SI2304DS, 215 -
RFQ
 ECAD 9642 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 117mohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 195 pf @ 10 v - 830MW (TC)
IXFH94N30T IXYS IXFH94N30T 12.9570
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH94 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 94A (TC) 10V 36mohm @ 47a, 10V 5V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 11400 pf @ 25 v - 890W (TC)
DMP3012LPS-13 Diodes Incorporated DMP3012LPS-13 0.3497
RFQ
 ECAD 4143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13.2A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 6807 pf @ 15 v - 1.29W (TA)
FQPF2N30 onsemi FQPF2N30 -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF2 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 1.34A (TC) 10V 3.7ohm @ 670ma, 10V 5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 25 v - 16W (TC)
IRF7700 Infineon Technologies IRF7700 -
RFQ
 ECAD 2811 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 20 v 8.6A (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 89 NC @ 5 v ± 12V 4300 pf @ 15 v - 1.5W (TC)
SI5482DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5482DU-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® ChipFet ™ 싱글 SI5482 MOSFET (금속 (() PowerPak® ChipFet ™ 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 7.4a, 10V 2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 12V 1610 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 31W (TC)
IRF3515STRLPBF Infineon Technologies IRF3515STRLPBF -
RFQ
 ECAD 9495 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 41A (TC) 45mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v 2260 pf @ 25 v -
IRL3714LPBF Infineon Technologies IRL3714LPBF -
RFQ
 ECAD 7430 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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