SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXTQ30N50P IXYS IXTQ30N50P -
RFQ
ECAD 1152 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ30 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
PMPB10XNEAX Nexperia USA Inc. pmpb10xneax 0.1676
RFQ
ECAD 2484 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 PMPB10 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934070922115 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 9A (TA) 1.8V, 4.5V 14mohm @ 9a, 4.5v 900MV @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 2175 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
BUK6226-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6226-75C, 118 -
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 33A (TC) 10V 29mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 34 NC @ 10 v ± 16V 2000 pf @ 25 v - 80W (TC)
IXFR64N50Q3 IXYS IXFR64N50Q3 32.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR64 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXFR64N50Q3 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 45A (TC) 10V 95mohm @ 32a, 10V 6.5V @ 4MA 145 NC @ 10 v ± 30V 6950 pf @ 25 v - 500W (TC)
IPD78CN10NGBUMA1 Infineon Technologies ipd78cn10ngbuma1 -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD78C MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 13A (TC) 10V 78mohm @ 13a, 10V 4V @ 12µA 11 NC @ 10 v ± 20V 716 pf @ 50 v - 31W (TC)
IRFS7530PBF Infineon Technologies IRFS7530PBF -
RFQ
ECAD 9253 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 195a (TC) 6V, 10V 2MOHM @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 411 NC @ 10 v ± 20V 13703 pf @ 25 v - 375W (TC)
IPL65R460CFDAUMA1 Infineon Technologies IPL65R460CFDAUMA1 -
RFQ
ECAD 3641 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn IPL65R MOSFET (금속 (() PG-VSON-4 다운로드 2A (4 주) 영향을받지 영향을받지 SP000949260 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 8.3A (TC) 10V 460mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 83.3W (TC)
ATP102-TL-H onsemi ATP102-TL-H -
RFQ
ECAD 1098 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP102 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 40A (TA) 4.5V, 10V 18.5mohm @ 20a, 10V - 34 NC @ 10 v ± 20V 1490 pf @ 10 v - 40W (TC)
IPB320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 3.6100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB320 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 34A (TC) 10V 32MOHM @ 34A, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
PMF63UN,115 NXP USA Inc. PMF63UN, 115 -
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PMF63 MOSFET (금속 (() SC-70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 1.8A (TA) 1.8V, 4.5V 74mohm @ 1.8a, 4.5v 1V @ 250µA 3.3 NC @ 4.5 v ± 8V 185 pf @ 10 v - 275MW (TA), 1.785W (TC)
MTP3055VL onsemi MTP3055VL 1.5700
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MTP3055 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 12A (TC) 5V 180mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 10 nc @ 5 v ± 15V 570 pf @ 25 v - 48W (TC)
RRQ030P03TR Rohm Semiconductor rrq030p03tr 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RRQ030 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 4V, 10V 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 12 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 10 v - 600MW (TA)
FDD9510L-F085 onsemi FDD9510L-F085 -
RFQ
ECAD 6347 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD9510 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 16V 2020 PF @ 20 v - 75W (TJ)
PMN49EN,135 NXP USA Inc. PMN49EN, 135 -
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN4 MOSFET (금속 (() SC-74 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 4.6A (TC) 4.5V, 10V 47mohm @ 2a, 10V 2V @ 1mA 8.8 NC @ 4.5 v ± 20V 350 pf @ 30 v - 1.75W (TC)
STW78N65M5 STMicroelectronics STW78N65M5 18.9700
RFQ
ECAD 7566 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW78 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 69A (TC) 10V 34.5A, 10V 32mohm 5V @ 250µA 203 NC @ 10 v ± 25V 9000 pf @ 100 v - 450W (TC)
SI2337DS-T1-E3 Vishay Siliconix SI2337DS-T1-E3 1.0100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2337 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 2.2A (TC) 6V, 10V 270mohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 40 v - 760MW (TA), 2.5W (TC)
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3867 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 51mohm @ 5.1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.1W (TA)
IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R125C6UNSAWNX6SA1 -
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000857778 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
RDD020N50TL Rohm Semiconductor RDD020N50TL 0.6086
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 Rohm 반도체 * 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 RDD020 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
WPB4002-1E onsemi WPB4002-1E -
RFQ
ECAD 6380 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 WPB40 MOSFET (금속 (() TO-3P-3L - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 23A (TA) 10V 360mohm @ 11.5a, 10V - 84 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 220W (TC)
BUK6246-75C,118 Nexperia USA Inc. BUK6246-75C, 118 -
RFQ
ECAD 2649 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 22A (TC) 4.5V, 10V 46mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 1MA 21.4 NC @ 10 v ± 16V 1280 pf @ 25 v - 60W (TC)
IXTT20P50P IXYS IXTT20P50P 13.2600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT20 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 500 v 20A (TC) 10V 450mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 5120 pf @ 25 v - 460W (TC)
IRFR010TRLPBF Vishay Siliconix irfr010trlpbf 0.6218
RFQ
ECAD 8020 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
IXFE44N50QD2 IXYS ixfe44n50qd2 -
RFQ
ECAD 8425 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 고갈 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFE44 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 39A (TC) 10V 120mohm @ 22a, 10V 4V @ 4MA 190 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 400W (TC)
BSC016N03MSGATMA1 Infineon Technologies BSC016N03MSGATMA1 1.6100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC016 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 28A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 173 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
FDMS0310S onsemi FDMS0310S -
RFQ
ECAD 8145 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS0310 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 3V @ 1mA 46 NC @ 10 v ± 20V 2820 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
STP15N65M5 STMicroelectronics STP15N65M5 2.7800
RFQ
ECAD 991 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-12936-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 810 pf @ 100 v - 125W (TC)
IRFR48ZTRPBF Infineon Technologies irfr48ztrpbf 1.4900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR48 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 11mohm @ 37a, 10V 4V @ 50µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1720 pf @ 25 v - 91W (TC)
FQD2N40TF onsemi FQD2N40TF -
RFQ
ECAD 8328 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 1.4A (TC) 10V 5.8ohm @ 700ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
NVMFS5C646NLAFT1G onsemi NVMFS5C646NLAFT1G 2.3100
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고