SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NVMFS5833NT3G onsemi NVMFS5833NT3G -
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5833 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 16A (TA) 10V 7.5mohm @ 40a, 10V 3.5V @ 250µA 32.5 nc @ 10 v ± 20V 1714 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 112W (TC)
DMP6180SK3Q-13 Diodes Incorporated DMP6180SK3Q-13 0.6400
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP6180 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 12a, 10V 2.7V @ 250µA 17.1 NC @ 10 v ± 20V 984.7 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
SPD50N03S2-07 Infineon Technologies SPD50N03S2-07 -
RFQ
 ECAD 9554 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SPD50N MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 50A (TC) 10V 7.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 85µA 46.5 nc @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 25 v - 136W (TC)
SI7439DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7439DP-T1-GE3 3.9800
RFQ
 ECAD 1182 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7439 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 150 v 3A (TA) 6V, 10V 90mohm @ 5.2a, 10V 4V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
STP20NM60FD STMicroelectronics STP20NM60FD 6.5100
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP20 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 30V 1300 pf @ 25 v - 192W (TC)
IRFR7446TRPBF Infineon Technologies irfr7446trpbf 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR7446 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 56A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 56a, 10V 3.9V @ 100µA 130 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 25 v - 98W (TC)
IPA65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies IPA65R420CFDXKSA2 1.4606
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA65R420 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 8.7A (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 31.2W (TC)
NTB6411ANT4G onsemi NTB6411ANT4G -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB64 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 77A (TC) 10V 14mohm @ 72a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 25 v - 217W (TC)
PSMN5R0-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80BS, 118 2.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn5r0 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 5.1mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 101 NC @ 10 v ± 20V 6793 pf @ 40 v - 270W (TC)
SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7160DP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7160 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 16V 2970 pf @ 15 v - 5W (TA), 27.7W (TC)
IRF710STRLPBF Vishay Siliconix irf710strlpbf 1.6700
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF710 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 36W (TC)
HUF75229P3 onsemi HUF75229P3 -
RFQ
 ECAD 5223 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HUF75 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 50 v 44A (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 90W (TC)
FDP52N20 onsemi FDP52N20 2.4900
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP52 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 52A (TC) 10V 49mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 30V 2900 pf @ 25 v - 357W (TC)
IXTA12N65X2 IXYS IXTA12N65X2 3.4474
RFQ
 ECAD 6484 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²Pak (2 리드 + 탭) 변형 IXTA12 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 180W (TC)
IRF9530STRR Vishay Siliconix IRF9530STRR -
RFQ
 ECAD 2934 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 7.2a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira50ADP-T1-RE3 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira50 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 54.8A (TA), 219A (TC) 4.5V, 10V 1.04mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 150 nc @ 10 v +20V, -16V 7300 pf @ 20 v - 6.25W (TA), 100W (TC)
IPB77N06S3-09 Infineon Technologies IPB77N06S3-09 -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB77N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 77A (TC) 10V 8.8mohm @ 39a, 10V 4V @ 55µA 103 NC @ 10 v ± 20V 5335 pf @ 25 v - 107W (TC)
FQNL2N50BBU onsemi FQNL2N50BBU -
RFQ
 ECAD 8840 0.00000000 온세미 QFET® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) fqnl2 MOSFET (금속 (() To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 500 v 350MA (TC) 10V 5.3ohm @ 175ma, 10V 3.7V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 1.5W (TC)
IRF1324STRL-7PP Infineon Technologies IRF1324STRL-7PP -
RFQ
 ECAD 3289 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 24 v 240A (TC) 10V 1MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 252 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 19 v - 300W (TC)
PH7630DLX Nexperia USA Inc. ph7630dlx -
RFQ
 ECAD 1833 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 - pH7630 MOSFET (금속 (() - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v - - - - -
STS9P3LLH6 STMicroelectronics STS9P3LLH6 -
RFQ
 ECAD 8251 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ H6 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS9P MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2615 pf @ 25 v - 2.7W (TA)
IPP90N04S402AKSA1 Infineon Technologies IPP90N04S402AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5012 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 95µA 118 NC @ 10 v ± 20V 9430 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1 2.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB123 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 58A (TC) 6V, 10V 12.3mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
AON6756 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6756 -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aon67 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 47A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2796 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 7.3W (TA), 83W (TC)
BSL716SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL716SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 150mohm @ 2.5a, 10V 1.8V @ 218µA 13.1 NC @ 10 v ± 20V 315 pf @ 25 v - 2W (TA)
SIHB10N40D-GE3 Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3 1.7100
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB10 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 526 pf @ 100 v - 147W (TC)
AOT66616L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AoT66616L 1.4966
RFQ
 ECAD 9787 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT66616 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1825 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 38.5A (TA), 140A (TC) 6V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2870 pf @ 30 v - 8.3W (TA), 125W (TC)
IRF6728MTRPBF Infineon Technologies IRF6728MTRPBF -
RFQ
 ECAD 4208 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001530842 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 23A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 23a, 10V 2.35V @ 100µa 42 NC @ 4.5 v ± 20V 4110 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 75W (TC)
PMV35EPER Nexperia USA Inc. pmv35eper 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV35 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 4.2a, 10V 3V @ 250µA 19.2 NC @ 10 v ± 20V 793 pf @ 15 v - 480MW (TA), 1.2W (TC)
SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 1.1700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH434 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.6A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 7.6mohm @ 16.2a, 10V 2.2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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