SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RSD220N06TL Rohm Semiconductor RSD220N06TL 0.7569
RFQ
 ECAD 1168 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RSD220 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 22A (TA) 4V, 10V - - ± 20V - 20W (TA)
SQM120N04-1M7L_GE3 Vishay Siliconix SQM120N04-1M7L_GE3 3.4300
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM120 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 20V 14606 PF @ 20 v - 375W (TC)
DMP6023LFG-7 Diodes Incorporated DMP6023LFG-7 0.9100
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP6023 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 v ± 20V 2569 pf @ 30 v - 1W (TA)
CWDM305P TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CWDM305P TR13 PBFREE 0.1183
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) CWDM305 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.3A (TA) 5V, 10V 72mohm @ 2.7a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v 16V 590 pf @ 10 v - 2W (TA)
STB45N30M5 STMicroelectronics STB45N30M5 6.9800
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB45 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 300 v 53A (TC) 10V 40mohm @ 26.5a, 10V 5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 25V 4240 pf @ 100 v - 250W (TC)
DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated DMN62D1LFD-7 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 1.8V, 4V 2ohm @ 100ma, 4v 1V @ 250µA 0.55 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 500MW (TA)
NTTFS4937NTWG onsemi NTTFS4937NTWG -
RFQ
 ECAD 9761 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4937 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 35.5 nc @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 15 v - 860MW (TA), 43.1W (TC)
NVMFS5C645NLT3G onsemi NVMFS5C645NLT3G -
RFQ
 ECAD 7122 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 22A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 50 v - 79W (TC)
SPB80N04S2L-03 Infineon Technologies SPB80N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 213 NC @ 10 v ± 20V 7930 pf @ 25 v - 300W (TC)
RJK6002DPD-WS#J2 Renesas Electronics America Inc RJK6002DPD-WS#J2 -
RFQ
 ECAD 9722 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() MP-3A - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 6.8ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 1mA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 165 pf @ 25 v - 30W (TC)
ATP113-TL-H onsemi ATP113-TL-H 1.5900
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP113 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 35A (TA) 4V, 10V 29.5mohm @ 18a, 10V - 55 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 50W (TC)
DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3-13 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH8012 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 50A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 2.6W (TA)
ATP613-TL-H onsemi ATP613-TL-H -
RFQ
 ECAD 9052 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP613 MOSFET (금속 (() atpak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5.5A (TA) 10V 2ohm @ 2.75a, 10V - 13.8 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 30 v - 70W (TC)
IXFV30N50P IXYS ixfv30n50p -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV30 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 30A (TC) 10V 200mohm @ 15a, 10V 5V @ 4MA 70 nc @ 10 v ± 30V 4150 pf @ 25 v - 460W (TC)
BS7067N06LS3G Infineon Technologies BS7067N06LS3G -
RFQ
 ECAD 2846 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 14A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 35µA 62 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 78W (TC)
IPB80N06S2L-H5 Infineon Technologies IPB80N06S2L-H5 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1497 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7413 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8.4A (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5v 1V @ 400µA 51 NC @ 4.5 v ± 8V - 1.5W (TA)
MTD6N15T4GV onsemi MTD6N15T4GV -
RFQ
 ECAD 1571 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mtd6n MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 6A (TC) 10V 300mohm @ 3a, 10V 4.5V @ 1mA 30 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 1.25W (TA), 20W (TC)
AONR62921 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR62921 0.6733
RFQ
 ECAD 4871 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 AONR629 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
STW56N65DM2 STMicroelectronics STW56N65DM2 11.7000
RFQ
 ECAD 375 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW56 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 48A (TC) 10V 65mohm @ 24a, 10V 5V @ 250µA 88 NC @ 10 v ± 25V 4100 pf @ 100 v - 360W (TC)
IXCP01N90E IXYS IXCP01N90E -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXCP01 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 250MA (TC) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 5V @ 25µA 7.5 NC @ 10 v ± 20V 133 pf @ 25 v - 40W (TC)
IRFS4127PBF Infineon Technologies IRFS4127pbf -
RFQ
 ECAD 2001 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 72A (TC) 10V 22mohm @ 44a, 10V 5V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 50 v - 375W (TC)
UPA2630T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2630T1R-E2-AX -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-Wfdfn d 패드 패드 MOSFET (금속 (() 6- 휴슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 7A (TA) 1.8V, 4.5V 59mohm @ 3.5a, 1.8v - 11.3 NC @ 4.5 v ± 8V 1260 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FQA13N50CF_F109 onsemi FQA13N50CF_F109 -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 온세미 FRFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
FDMC8010ET30 onsemi FDMC8010ET30 -
RFQ
 ECAD 9795 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC8010 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA), 174a (TC) 4.5V, 10V 1.3MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 94 NC @ 10 v ± 20V 5860 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 65W (TC)
G2304 Goford Semiconductor G2304 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 58mohm @ 3.6a, 10V 2.2V @ 250µA 4 NC @ 10 v ± 20V 230 pf @ 15 v 기준 1.7W (TA)
RFP15N05L Fairchild Semiconductor RFP15N05L 0.8500
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 50 v 15A (TC) 140mohm @ 15a, 5V 2V @ 250µA ± 10V 900 pf @ 25 v - 60W (TC)
BUK9Y11-80EX Nexperia USA Inc. buk9y11-80ex 1.6100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y11 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 84A (TC) 5V 10mohm @ 25a, 10V 2.1v @ 1ma 44.2 NC @ 5 v ± 10V 6506 pf @ 25 v - 194W (TC)
2SK2090(0)-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK2090 (0) -T1 -A 0.2000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
FQB7P06TM Fairchild Semiconductor FQB7P06TM 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 7A (TC) 10V 410mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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