SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFH4213DTRPBF Infineon Technologies IRFH4213DTRPBF -
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 25 v 40A (TA) 4.5V, 10V 1.35mohm @ 50a, 10V 2.1v @ 100µa 55 NC @ 10 v ± 20V 3520 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 96W (TC)
APT30M30JLL Microchip Technology apt30m30jll 40.1200
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT30M30 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v 88A (TC) 30mohm @ 44a, 10V 5V @ 2.5MA 140 NC @ 10 v 7030 pf @ 25 v -
FDW252P Fairchild Semiconductor FDW252P -
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,500 p 채널 20 v 8.8A (TA) 2.5V, 4.5V 12.5mohm @ 8.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 66 NC @ 4.5 v ± 12V 5045 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
TPCC8002-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8002-H (TE12LQM -
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8002 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 10 v - 700MW (TA), 30W (TC)
PJQ4411P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4411P_R2_00001 0.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4411 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 13A (TA), 60A (TC) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 46.8 NC @ 4.5 v ± 12V 4659 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
DMT3003LFG-7 Diodes Incorporated DMT3003LFG-7 0.7900
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT3003 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 22A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2370 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 62W (TC)
IRFS7434TRL7PP International Rectifier IRFS7434TRL7PP -
RFQ
ECAD 3629 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK-7 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 240A (TC) 6V, 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 NC @ 10 v ± 20V 10250 pf @ 25 v - 245W (TC)
BSP135L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 120MA (TA) 0V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 1V @ 94µA 4.9 NC @ 5 v ± 20V 146 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
FDC2612_F095 onsemi FDC2612_F095 -
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC2612 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.1A (TA) 10V 725mohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 234 pf @ 100 v - 1.6W (TA)
IRLMS1503TRPBF Infineon Technologies IRLMS1503TRPBF 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 IRLMS1503 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 9.6 NC @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
IRFR420TRL Vishay Siliconix irfr420trl -
RFQ
ECAD 9143 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
NTHL082N65S3HF onsemi NTHL082N65S3HF 9.4800
RFQ
ECAD 8755 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NTHL082 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NTHL082N65S3HF 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 40A (TC) 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 1MA 79 NC @ 10 v ± 30V 3330 pf @ 400 v - 313W (TC)
TK60P03M1,RQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Tk60p03m1, RQ (s -
RFQ
ECAD 6408 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 Tk60p03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 6.4mohm @ 30a, 10V 2.3V @ 500µA 40 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 10 v - 63W (TC)
SIHB24N65ET5-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET5-GE3 3.7126
RFQ
ECAD 2444 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
SI4058DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4058DY-T1-GE3 0.6200
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4058 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 10.3A (TC) 4.5V, 10V 26mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 50 v - 5.6W (TC)
IXTA180N10T IXYS IXTA180N10T 6.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA180 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 615943 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 250µA 151 NC @ 10 v ± 30V 6900 pf @ 25 v - 480W (TC)
FDU6296 Fairchild Semiconductor FDU6296 0.5300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 15A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 31.5 nc @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
2SK2848 Sanken 2SK2848 -
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 산켄 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK2848 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 600 v 2A (TA) 10V 3.8ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 290 pf @ 10 v - 30W (TC)
STFI5N95K3 STMicroelectronics STFI5N95K3 2.3900
RFQ
ECAD 695 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak stfi5n MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 950 v 4A (TC) 10V 3.5ohm @ 2a, 10V 5V @ 100µa 19 NC @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRF7464TR Infineon Technologies irf7464tr -
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 200 v 1.2A (TA) 10V 730mohm @ 720ma, 10V 5.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
SI3867DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3867DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3867 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.9A (TA) 2.5V, 4.5V 51mohm @ 5.1a, 4.5v 1.4V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.1W (TA)
IRF9540PBF Vishay Siliconix IRF9540PBF 2.1500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9540 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9540PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 19A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 150W (TC)
NTLUF4189NZTBG onsemi NTLUF4189NZTBG -
RFQ
ECAD 2361 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 ntluf41 MOSFET (금속 (() 6-UDFN (1.6x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.2A (TA) 2.5V, 4.5V 200mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 8V 95 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 500MW (TA)
YJD45G10B Yangjie Technology YJD45G10B 0.3350
RFQ
ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJD45G10BTR 귀 99 2,500
IRF4905LPBF Infineon Technologies IRF4905LPBF 2.9300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF4905 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 42A (TC) 10V 20mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3500 pf @ 25 v - 170W (TC)
STP20N20 STMicroelectronics STP20N20 -
RFQ
ECAD 6261 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 stp20n MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4373-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 940 pf @ 25 v - 90W (TC)
IRF7467TRPBF Infineon Technologies IRF7467TRPBF -
RFQ
ECAD 2989 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 11A (TA) 2.8V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 12V 2530 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2SJ603(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SJ603 (0) -z-e1-az -
RFQ
ECAD 9402 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - 2156-2SJ603 (0) -z-e1-az 1 p 채널 60 v 25A (TC) 10V 48mohm @ 13a, 10V 2.5V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 50W (TC)
NDCTR3065A onsemi NDCTR3065A -
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 NDCTR3065 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-ndctr3065atr 3,000 -
SPW11N60S5FKSA1 Infineon Technologies SPW11N60S5FKSA1 -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SPW11N MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 5.5v @ 500µa 54 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고