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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDN352AP Fairchild Semiconductor FDN352AP 1.0000
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDN352 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 30 v 1.3A (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 1.3a, 10V 2.5V @ 250µA 1.9 NC @ 4.5 v ± 25V 150 pf @ 15 v - 500MW (TA)
IRLR3636PBF International Rectifier IRLR3636PBF -
RFQ
 ECAD 4351 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 49 NC @ 4.5 v ± 16V 3779 pf @ 50 v - 143W (TC)
AUIRLR3410TR International Rectifier auirlr3410tr 1.1100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 auirlr3410 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
IPA60R180C7 Infineon Technologies IPA60R180C7 1.0000
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 180mohm @ 5.3a, 10V 4V @ 260µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 400 v - 29W (TC)
HUF75639S3STNL Fairchild Semiconductor huf75639s3stnl -
RFQ
 ECAD 9938 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 88 n 채널 100 v 56A (TC) 10V 25mohm @ 56a, 10V 4V @ 250µA 130 nc @ 20 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFU7440PBF International Rectifier IRFU7440PBF 0.7300
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 409 n 채널 40 v 90A (TC) 6V, 10V 2.4mohm @ 90a, 10V 3.9V @ 100µA 134 NC @ 10 v ± 20V 4610 pf @ 25 v - 140W (TC)
FDMS86152 Fairchild Semiconductor FDMS86152 2.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 114 n 채널 100 v 14A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 6MOHM @ 14A, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3370 pf @ 50 v - 2.7W (TA), 125W (TC)
NTD24N06LT4G Fairchild Semiconductor NTD24N06LT4G -
RFQ
 ECAD 9924 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD24 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 24A (TA) 5V 45mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 1140 pf @ 25 v - 1.36W (TA), 62.5W (TJ)
BUK7Y20-30B115 NXP USA Inc. BUK7Y20-30B115 1.0000
RFQ
 ECAD 7818 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
IPA50R250CP Infineon Technologies IPA50R250CP 1.5600
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 귀 99 8542.39.0001 220 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 7.8a, 10V 3.5V @ 520µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 100 v - 33W (TC)
BUK7Y65-100EX NXP USA Inc. buk7y65-100ex -
RFQ
 ECAD 6099 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y65 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 19A (TC) 10V 65mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 17.8 nc @ 10 v ± 20V 1023 pf @ 25 v - 64W (TC)
SPB07N60C3 Infineon Technologies SPB07N60C3 -
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 3.9V @ 350µA 27 NC @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 83W (TC)
IPA60R125P6 Infineon Technologies IPA60R125P6 1.0000
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 125mohm @ 11.6a, 10V 4.5V @ 960µA 56 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 34W (TC)
IPA057N08N3G Infineon Technologies IPA057N08N3G -
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-111 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 80 v 60A (TC) 6V, 10V 5.7mohm @ 60a, 10V 3.5V @ 90µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 40 v - 39W (TC)
BUK7606-55B,118 NXP USA Inc. BUK7606-55B, 118 -
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 64 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 25 v - 254W (TC)
FDH047AN08A0 Fairchild Semiconductor FDH047AN08A0 1.0000
RFQ
 ECAD 9498 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 15A (TC) 6V, 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 310W (TC)
SPD03N60C3 Infineon Technologies SPD03N60C3 -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 54 n 채널 600 v 3.2A (TC) 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 38W (TC)
SPP08N80C3 Infineon Technologies SPP08N80C3 1.0000
RFQ
 ECAD 1057 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 8A (TC) 10V 650mohm @ 5.1a, 10V 3.9V @ 470µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - 104W (TC)
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDD60R090CFD7XTMA1 6.4300
RFQ
 ECAD 1637 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-powersop op IPDD60 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-10-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,700 n 채널 600 v 33A (TC) 90mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 470µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1747 pf @ 400 v - 227W (TC)
FDY301NZ Fairchild Semiconductor fdy301nz -
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 MOSFET (금속 (() SOT-523F 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 12V 60 pf @ 10 v - 625MW (TA)
FCP170N60 Fairchild Semiconductor FCP170N60 3.5600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Superfet® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 92 n 채널 600 v 22A (TC) 10V 170mohm @ 11a, 10V 3.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 380 v - 227W (TC)
PSMN1R2-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R2-30YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PSMN1 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
PSMN6R4-30MLD,115 Nexperia USA Inc. psmn6r4-30mld, 115 -
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. buk7y7r2-60ex -
RFQ
 ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 60 v - 10V - - ± 20V - 167W (TC)
FDMS8025S Fairchild Semiconductor FDMS8025S 0.5800
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 563 n 채널 30 v 24A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 24a, 10V 3V @ 1mA 47 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRFB9N60APBF-BE3 Vishay Siliconix IRFB9N60APBF-BE3 3.0800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB9 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRFB9N60APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9.2A (TC) 750mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 170W (TC)
IRFR110TRLPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr110trlpbf-be3 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR110 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 4.3A (TC) 540mohm @ 2.6a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRFL014TRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfl014trpbf-be3 0.9400
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL014 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 2.7A (TC) 200mohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
SI1499DH-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1499DH-T1-BE3 0.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1499 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-SI1499DH-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 1.6A (TA), 1.6A (TC) 78mohm @ 2a, 4.5v 800MV @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 5V 650 pf @ 4 v - 2.5W (TA), 2.78W (TC)
IRFR1N60ATRPBF-BE3 Vishay Siliconix irfr1n60atrpbf-be3 1.5500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 742-irfr1n60atrpbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 1.4A (TC) 7ohm @ 840ma, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 229 pf @ 25 v - 36W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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