SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPD60R360PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R360PFD7SAUMA1 1.4100
RFQ
ECAD 9676 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 360mohm @ 2.9a, 10V 4.5V @ 140µA 12.7 NC @ 10 v ± 20V 534 pf @ 400 v - 43W (TC)
IXFP130N10T2 IXYS IXFP130N10T2 4.5728
RFQ
ECAD 1475 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP130 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 9.1MOHM @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 130 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 360W (TC)
IPB77N06S212ATMA2 Infineon Technologies IPB77N06S212ATMA2 -
RFQ
ECAD 4092 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB77N06 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 77A (TC) 10V 11.7mohm @ 38a, 10V 4V @ 93µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 158W (TC)
SIE726DF-T1-E3 Vishay Siliconix SIE726DF-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7122 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE726 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 15 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
IXKR47N60C5 IXYS IXKR47N60C5 25.5900
RFQ
ECAD 26 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXKR47 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 45mohm @ 44a, 10V 3.5v @ 3ma 190 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 100 v - -
AONS32303 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS32303 0.5840
RFQ
ECAD 7637 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS323 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aons32303tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 46A (TA), 200a (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 20V 7900 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 119W (TC)
FDMC6296 Fairchild Semiconductor FDMC6296 0.6000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 11.5a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 5 v ± 20V 2141 pf @ 15 v - 900MW (TA), 2.1W (TC)
2N7002KQ-7-52 Diodes Incorporated 2N7002KQ-7-52 0.0458
RFQ
ECAD 5108 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-2N7002KQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
IRLU2705 Infineon Technologies IRLU2705 -
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU2705 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 28A (TC) 4V, 10V 40mohm @ 17a, 10V 2V @ 250µA 25 nc @ 5 v ± 16V 880 pf @ 25 v - 68W (TC)
PHB27NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB27NQ10T, 118 -
RFQ
ECAD 7872 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHB27 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
IPD95R450PFD7ATMA1 Infineon Technologies IPD95R450PFD7ATMA1 2.8900
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 950 v 13.3A (TC) 10V 450mohm @ 7.2a, 10V 3.5V @ 360µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1230 pf @ 400 v - 104W (TC)
SIHLZ34S-GE3 Vishay Siliconix SIHLZ34S-GE3 0.6631
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHLZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHLZ34S-GE3TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 10V 1600 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IPP80N06S2H5AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S2H5AKSA2 -
RFQ
ECAD 5022 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 5.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 230µA 155 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
SQJA84EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqja84ep-t1_ge3 1.2100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA84 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 46A (TC) 4.5V, 10V 12.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 55W (TC)
NTS4409NT1G onsemi NTS4409NT1G 0.4300
RFQ
ECAD 1447 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS4409 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 700MA (TA) 2.7V, 4.5V 350mohm @ 600ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 60 pf @ 10 v - 280MW (TJ)
IRL1104 Infineon Technologies IRL1104 -
RFQ
ECAD 4852 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL1104 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 104A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 62a, 10V 1V @ 250µA 68 NC @ 4.5 v ± 16V 3445 pf @ 25 v - 167W (TC)
IPP60R360P7 Infineon Technologies IPP60R360P7 -
RFQ
ECAD 7911 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSITMA1 0.9100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0904 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 20A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 30a, 10V 2V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
BSP125L6327 Infineon Technologies BSP125L6327 0.3100
RFQ
ECAD 4868 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 325 n 채널 600 v 120MA (TA) 4.5V, 10V 45ohm @ 120ma, 10V 2.3V @ 94µA 6.6 NC @ 10 v ± 20V 150 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
HUF75345S3ST onsemi HUF75345S3ST 6.5200
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75345 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
ES6U3T2CR Rohm Semiconductor es6u3t2cr -
RFQ
ECAD 4984 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wemt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1.4a, 10V 2.5V @ 1mA 1.4 NC @ 5 v ± 20V 70 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 800MW (TA)
IRFR2905ZTR Infineon Technologies irfr2905ztr -
RFQ
ECAD 1129 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566952 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
IRFB7446GPBF Infineon Technologies IRFB7446GPBF -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001566710 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 120A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 70a, 10V 3.9V @ 100µA 93 NC @ 10 v ± 20V 3183 pf @ 25 v - 99W (TC)
DMN62D1SFB-7B Diodes Incorporated DMN62D1SFB-7B 0.4600
RFQ
ECAD 151 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN62 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 410MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 40ma, 10V 2.3V @ 250µA 2.8 NC @ 10 v ± 20V 80 pf @ 40 v - 470MW (TA)
STD15N65M5 STMicroelectronics STD15N65M5 5.0500
RFQ
ECAD 5074 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD15 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 816 pf @ 100 v - 85W (TC)
NTGS3443T1G onsemi NTGS3443T1G 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NTGS3443 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.2A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 565 pf @ 5 v - 500MW (TA)
FDD13AN06A0 onsemi FDD13AN06A0 1.8300
RFQ
ECAD 215 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD13AN06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
NVMFS5C468NT1G onsemi NVMFS5C468NT1G 0.5600
RFQ
ECAD 824 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 12A (TA), 35A (TC) 10V 12MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 7.9 NC @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
FDB082N15A onsemi FDB082N15A 6.4900
RFQ
ECAD 6965 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB082 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 117A (TC) 10V 8.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 6040 pf @ 25 v - 294W (TC)
94-2498 Infineon Technologies 94-2498 -
RFQ
ECAD 5742 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고