전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP373-CMPDM303NH-WN | - | ![]() | 4345 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | n 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 78mohm @ 1.8a, 2.5v | 1.2V @ 250µA | 13 nc @ 4.5 v | 12V | 590 pf @ 10 v | - | - | ||||
![]() | 5hn01m-tl-e-sa | 0.0900 | ![]() | 246 | 0.00000000 | Sanyo | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | MCP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 3,000 | n 채널 | 50 v | 100MA (TA) | 7.5ohm @ 50ma, 10V | 2.4V @ 100µa | 1.4 NC @ 10 v | ± 20V | 6200 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | ||||
![]() | 2SK1402A-E | 2.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IXTT88N30P | 13.6900 | ![]() | 9986 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT88 | MOSFET (금속 (() | TO-268AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -ixtt88n30p | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 88A (TC) | 10V | 40mohm @ 44a, 10V | 5V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 6300 pf @ 25 v | - | 600W (TC) | |
![]() | JAN2N6796U | - | ![]() | 1783 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 8A (TC) | 10V | 195mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 28.51 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | TK28V65W5, LQ | 5.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 4-vSfn s 패드 | TK28V65 | MOSFET (금속 (() | 4-DFN-EP (8x8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 27.6A (TA) | 10V | 140mohm @ 13.8a, 10V | 4.5V @ 1.6MA | 90 NC @ 10 v | ± 30V | 3000 pf @ 300 v | - | 240W (TC) | |||
![]() | IPF017N08NF2SATMA1 | 4.2600 | ![]() | 617 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | IPF017N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-14 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 259A (TC) | 6V, 10V | 1.7mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 194µA | 186 NC @ 10 v | ± 20V | 8700 pf @ 40 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | TSM2323CX RFG | 0.5200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2323 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 12.5 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1020 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | ||
![]() | AUIRF2903ZL | - | ![]() | 7839 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520876 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 160A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 6320 pf @ 25 v | - | 231W (TC) | |||
![]() | BSO203SPHXUMA1 | 0.5595 | ![]() | 2569 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | BSO203 | MOSFET (금속 (() | PG-DSO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 20 v | 7A (TA) | 2.5V, 4.5V | 21mohm @ 8.9a, 4.5v | 1.2V @ 100µa | 39 NC @ 4.5 v | ± 12V | 3750 pf @ 15 v | - | 1.6W (TA) | ||
![]() | NTMFS4708NT3G | - | ![]() | 1123 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 7.8A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 11.5a, 10v | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 970 pf @ 24 v | - | 1W (TA) | |||
![]() | sup90100e-ge3 | 3.6300 | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SUP90100E-GE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 10.9mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3930 pf @ 100 v | - | 375W (TC) | |||
![]() | IRLB4132PBF | 1.0200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRLB4132 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558130 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 30 v | 78A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 40a, 10V | 2.35V @ 100µa | 54 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5110 pf @ 15 v | - | 140W (TC) | |
![]() | stw70n10f4 | - | ![]() | 6911 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW70N | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-8797-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 65A (TC) | 10V | 19.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |
![]() | SISS02DN-T1-GE3 | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8S | SISS02 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 51A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 83 NC @ 10 v | +16V, -12V | 4450 pf @ 10 v | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | |||
![]() | RS1L180GNTB | 2.6500 | ![]() | 4979 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | RS1L | MOSFET (금속 (() | 8 시간 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 18A (TA), 68A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 100µa | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 3230 pf @ 30 v | - | 3W (TA) | ||
![]() | FQD10N20TM | - | ![]() | 6874 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 7.6A (TC) | 10V | 360mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 30V | 670 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 51W (TC) | |||
![]() | IXFK80N50Q3 | 33.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q3 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK80 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | -IXFK80N50Q3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 80A (TC) | 10V | 65mohm @ 40a, 10V | 6.5V @ 8mA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 10000 pf @ 25 v | - | 1250W (TC) | |
![]() | BSP92P E6327 | - | ![]() | 4159 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP92 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 250 v | 260MA (TA) | 2.8V, 10V | 12ohm @ 260ma, 10V | 2V @ 130µA | 5.4 NC @ 10 v | ± 20V | 104 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | ||
![]() | NDB6030PL | 0.9000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NDB603 | MOSFET (금속 (() | d²pak (to-263ab) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 8,000 | p 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 19a, 10V | 2V @ 250µA | 36 nc @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 15 v | - | 75W (TC) | ||
![]() | AUIRF3205Z | - | ![]() | 5410 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001518508 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 66a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 170W (TC) | ||
![]() | fca20n60fs | - | ![]() | 5792 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FCA20 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 3080 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | |||
![]() | FQB19N20LTM | 1.7000 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB19N20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 21A (TC) | 5V, 10V | 140mohm @ 10.5a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 140W (TC) | ||
![]() | DMP2900UT-7 | 0.0734 | ![]() | 4546 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | DMP2900 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMP2900UT-7TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 500MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 700mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 6V | 49 pf @ 16 v | - | 250MW (TA) | |||
![]() | IPD031N03LGBTMA1 | 0.5302 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD031 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000236957 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 5300 pf @ 15 v | - | 94W (TC) | |
![]() | SI3445ADV-T1-E3 | - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3445 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 8 v | 4.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||
![]() | IXTJ6N150 | 13.3043 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTJ6 | MOSFET (금속 (() | ISO247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 3A (TC) | 10V | 3.85ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 30V | 2230 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||
![]() | irlu3103pbf | - | ![]() | 1234 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 30 v | 55A (TC) | 19mohm @ 33a, 10V | 1V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 16V | 1600 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||||
![]() | psmn2r0-25yldx | 1.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | PSMN2R0 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.09mohm @ 25a, 10V | 2.2v @ 1ma | 34.1 NC @ 10 v | ± 20V | 2485 pf @ 12 v | Schottky Diode (Body) | 115W (TC) | ||
![]() | buk9c1r3-40ej | - | ![]() | 8643 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | buk9c1 | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934067866118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 190a (TC) | 1.3MOHM @ 90A, 5V | - | - | - |
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