SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IGT60R190D1ATMA1 Infineon Technologies IGT60R190D1ATMA1 -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000
R6520ENZC17 Rohm Semiconductor R6520ENZC17 6.1700
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6520 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-R6520ENZC17 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 205mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 68W (TC)
AOSX21319C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOSX21319C 0.1579
RFQ
ECAD 4430 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 AOSX213 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOSX21319CTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 2.6a, 10V 2.2V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 320 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
AONR21321 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONR21321 0.4600
RFQ
ECAD 332 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AONR213 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 24A (TC) 4.5V, 10V 16.5mohm @ 12a, 10V 2.3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1180 pf @ 15 v - 4.1W (TA), 24W (TC)
MSJU11N65-TP Micro Commercial Co MSJU11N65-TP -
RFQ
ECAD 9419 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MSJU11 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 30V 901 pf @ 50 v - 78W (TC)
IXTY2N100P-TRL IXYS IXTY2N100P-TRL 1.7259
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 ixys 극선 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY2 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTY2N100P-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 1000 v 2A (TC) 10V 7.5ohm @ 1a, 10V 4.5V @ 100µa 24.3 NC @ 10 v ± 20V 655 pf @ 25 v - 86W (TC)
FQD5P20TF onsemi FQD5P20TF -
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 200 v 3.7A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.85a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 430 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
IRFC7314B Infineon Technologies IRFC7314B -
RFQ
ECAD 6793 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - - - - 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 - - - - ± 12V - -
IPP100N08S2L07AKSA1 Infineon Technologies IPP100N08S2L07AKSA1 4.3300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 246 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFH110N25T IXYS IXFH110N25T 9.9000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH110 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 110A (TC) 10V 24mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 3MA 157 NC @ 10 v ± 20V 9400 pf @ 25 v - 694W (TC)
IRL7486MTRPBF International Rectifier IRL7486MTRPBF 1.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 국제 국제 Hexfet®, StrongIrfet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 나 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 나 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 40 v 209A (TC) 4.5V, 10V 1.25mohm @ 123a, 10V 2.5V @ 150µA 111 NC @ 4.5 v ± 20V 6904 pf @ 25 v - 104W (TC)
2N6661 Microchip Technology 2N6661 15.9000
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 MOSFET (금속 (() To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N6661MC 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 90 v 350MA (TJ) 5V, 10V 4ohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 24 v - 6.25W (TC)
TK8A60W,S4VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W, S4VX 2.6600
RFQ
ECAD 4513 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 tk8a60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 30W (TC)
IRFD9220PBF Vishay Siliconix IRFD9220PBF 2.7600
RFQ
ECAD 2009 년 년 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) IRFD9220 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 100 p 채널 200 v 560MA (TA) 10V 1.5ohm @ 340ma, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1W (TA)
PSMN2R8-25MLC115 NXP USA Inc. PSMN2R8-25MLC115 -
RFQ
ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
IRL6342PBF Infineon Technologies irl6342pbf -
RFQ
ECAD 2139 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001558090 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 9.9A (TA) 2.5V, 4.5V 14.6mohm @ 9.9a, 4.5v 1.1V @ 10µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 1025 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AOTF8N50 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AoTF8N50 0.5670
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF8 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 850mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 30V 1042 pf @ 25 v - 38.5W (TC)
GT10N10 Goford Semiconductor GT10N10 0.1240
RFQ
ECAD 100 0.00000000 goford 반도체 GT 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 2,500 n 채널 100 v 7A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 250µA 4.3 NC @ 10 v ± 20V 206 pf @ 50 v - 17W (TC)
IRFR420PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR420PBF-BE3 0.7513
RFQ
ECAD 1006 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr420pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
AOT5N100 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT5N100 1.2302
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT5 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1000 v 4A (TC) 10V 4.2ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1150 pf @ 25 v - 195W (TC)
IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies IPA029N06NM5SXKSA1 2.7700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA029 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 87A (TC) 6V, 10V 2.9mohm @ 87a, 10V 3.3V @ 36µA 74 NC @ 10 v ± 20V 5300 pf @ 30 v - 38W (TC)
PJQ4444P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ444P-AU_R2_000A1 0.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4444 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4444p-au_r2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 14A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 60W (TC)
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
TSM4425CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4425CS RLG -
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSM4425CSRLG 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 11A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 3V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 3680 pf @ 8 v - 2.5W (TA)
IPB65R420CFDATMA1 Infineon Technologies IPB65R420CFDATMA1 -
RFQ
ECAD 9590 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 8.7A (TC) 10V 420mohm @ 3.4a, 10V 4.5V @ 340µA 32 NC @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 83.3W (TC)
DMP3008SFG-13 Diodes Incorporated DMP3008SFG-13 0.2175
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP3008SFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 20V 2230 pf @ 15 v - 900MW (TA)
SI2372DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2372DS-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2372 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA), 5.3A (TC) 4.5V, 10V 33mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 288 pf @ 15 v - 960MW (TA), 1.7W (TC)
NVMFS5C460NT1G onsemi NVMFS5C460NT1G 1.5500
RFQ
ECAD 3802 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 19A (TA), 71A (TC) 10V 5.3mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 50W (TC)
SQ4435EY-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_BE3 1.4400
RFQ
ECAD 8199 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SQ4435 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 742-sq4435ey-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2170 pf @ 15 v - 6.8W (TC)
STP50NF25 STMicroelectronics STP50NF25 2.8900
RFQ
ECAD 396 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP50 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 45A (TC) 10V 69mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 68.2 NC @ 10 v ± 20V 2670 pf @ 25 v - 160W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고