SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDB33N25TM Fairchild Semiconductor FDB33N25TM -
RFQ
ECAD 7869 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 250 v 33A (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 2135 pf @ 25 v - 235W (TC)
BSZ520N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ520N15NS3GATMA1 1.6900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ520 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 21A (TC) 8V, 10V 52mohm @ 18a, 10V 4V @ 35µA 12 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 75 v - 57W (TC)
AO4419 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4419 0.7000
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9.7A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9.7a, 10V 2.7V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
SCT30N120D2 STMicroelectronics SCT30N120D2 -
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 stmicroelectronics - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT30 sicfet ((카바이드) HIP247 ™ - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 490 n 채널 1200 v 40A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 3.5V @ 1mA 105 NC @ 20 v +25V, -10V 1700 pf @ 400 v - 270W (TC)
IPB039N10N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GE8187ATMA1 -
RFQ
ECAD 3172 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IPB039 MOSFET (금속 (() PG-to263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 160µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8410 pf @ 50 v - 214W (TC)
ZDX050N50 Rohm Semiconductor ZDX050N50 1.1600
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 ZDX050 MOSFET (금속 (() TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 40W (TC)
N0436N-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc N0436N-ZK-E1-ay 2.6000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 56A (TA) 10V 4.7mohm @ 28a, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 1W (TA), 87.4W (TC)
RF1S25N06SM9A Harris Corporation RF1S25N06SM9A 0.6300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
NTD250N65S3H onsemi NTD250N65S3H 2.8600
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 온세미 Superfet® III 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 13A (TC) 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 1.1MA 24 nc @ 10 v ± 30V 1261 pf @ 400 v - 106W (TC)
UF3C065040T3S Qorvo UF3C065040T3S 13.1900
RFQ
ECAD 629 0.00000000 Qorvo - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 UF3C065040 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2312-UF3C065040T3S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 54A (TC) 12V 52mohm @ 40a, 12v 6V @ 10MA 51 NC @ 15 v ± 25V 1500 pf @ 100 v - 326W (TC)
PHP21N06T,127 NXP USA Inc. PHP21N06T, 127 -
RFQ
ECAD 7939 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PHP21 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 21A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 13 nc @ 10 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 69W (TC)
FDB070AN06A0-F085 onsemi FDB070AN06A0-F085 2.2676
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB070 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 15A (TA) 10V 7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 175W (TC)
IRF7523D1 Infineon Technologies IRF7523D1 -
RFQ
ECAD 1228 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() Micro8 ™ 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 1.7a, 10V 1V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
ZVN2535ASTOB Diodes Incorporated zvn2535astob -
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 350 v 90MA (TA) 10V 35ohm @ 100ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 70 pf @ 25 v - 700MW (TA)
IXFP18N65X2 IXYS IXFP18N65X2 5.2200
RFQ
ECAD 6449 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP18 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXFP18N65X2 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10V 5V @ 1.5MA 29 NC @ 10 v ± 30V 1520 pf @ 25 v - 290W (TC)
NVTFS5C670NLTAG onsemi NVTFS5C670NLTAG 1.6300
RFQ
ECAD 3446 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 16A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 63W (TC)
R6524ENZC8 Rohm Semiconductor R6524ENZC8 -
RFQ
ECAD 1704 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6524 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 846-R6524ENZC8 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 185mohm @ 11.3a, 10V 4V @ 750µA 70 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 74W (TC)
BUK9M10-30EX Nexperia USA Inc. BUK9M10-30EX 0.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK9M10 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 54A (TC) 5V 7.8mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 12.2 NC @ 5 v ± 10V 1249 pf @ 25 v - 55W (TC)
AON1620 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON1620 -
RFQ
ECAD 1592 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn AON16 MOSFET (금속 (() 6-DFN (1.6x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 22mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 8V 770 pf @ 6 v - 1.8W (TA)
SI7726DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7726DN-T1-GE3 0.3822
RFQ
ECAD 8983 0.00000000 Vishay Siliconix Skyfet®, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7726 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.6V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1765 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
STH315N10F7-6 STMicroelectronics STH315N10F7-6 6.1000
RFQ
ECAD 1092 0.00000000 stmicroelectronics AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VII 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) STH315 MOSFET (금속 (() H2PAK-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-14719-2 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 2.3mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 12800 pf @ 25 v - 315W (TC)
IXTP140N055T2 IXYS IXTP140N055T2 5.0302
RFQ
ECAD 6075 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP140 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 140A (TC) 10V 5.4mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 4760 pf @ 25 v - 250W (TC)
FDMA905P_F130 onsemi FDMA905P_F130 -
RFQ
ECAD 1915 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 FDMA90 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 10A (TA) 1.8V, 4.5V 16mohm @ 10a, 4.5v 1V @ 250µA 29 NC @ 6 v ± 8V 3405 pf @ 6 v - 2.4W (TA)
AOB260L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB260L 1.9870
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB260 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 20A (TA), 140A (TC) 10V 2.2MOHM @ 20A, 10V 3.2V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 14200 pf @ 30 v - 1.9W (TA), 330W (TC)
IXTA182N055T7 IXYS IXTA182N055T7 -
RFQ
ECAD 1418 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA182 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 182A (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 4850 pf @ 25 v - 360W (TC)
BUK6212-40C,118-NEX Nexperia USA Inc. BUK6212-40C, 118-nex -
RFQ
ECAD 5883 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 2,500 n 채널 40 v 50A (TA) 11.2mohm @ 12a, 10V 2.8V @ 1MA 33.9 nc @ 10 v ± 16V 1900 pf @ 25 v - 80W
TSM60NC196CM2 RNG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NC196CM2 RNG 9.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TSM60 MOSFET (금속 (() to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 196MOHM @ 9.5A, 10V 5V @ 1MA 39 NC @ 10 v ± 20V 1566 pf @ 300 v - 152W (TC)
BSZ042N04NS Infineon Technologies BSZ042N04NS 0.2900
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2156-BSZ042N04NS 귀 99 8541.29.0095 1
RX3G07BBGC16 Rohm Semiconductor RX3G07BBGC16 3.7100
RFQ
ECAD 1334 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3G07 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 3 (168 시간) 846-RX3G07BBGC16 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 56 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 20 v - 89W (TC)
RSS075P03FU6TB Rohm Semiconductor RSS075P03FU6TB -
RFQ
ECAD 9184 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS075 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.5A (TA) 4V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 1mA 30 nc @ 5 v ± 20V 2900 pf @ 10 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고