SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IPC50R045CPX1SA1 Infineon Technologies IPC50R045CPX1SA1 -
RFQ
 ECAD 6579 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 IPC50 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000236099 0000.00.0000 1 -
ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated zvp2110astz 0.3675
RFQ
 ECAD 1067 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVP2110 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 100 v 230MA (TA) 10V 8ohm @ 375ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix SUD17N25-165-E3 -
RFQ
 ECAD 1751 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD17 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 250 v 17A (TC) 10V 165mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1950 pf @ 25 v - 3W (TA), 136W (TC)
IXFA26N30X3 IXYS IXFA26N30X3 4.9700
RFQ
 ECAD 4901 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA26 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 26A (TC) 10V 66mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 500µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1465 pf @ 25 v - 170W (TC)
SPB18P06P Infineon Technologies SPB18P06P -
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB18P MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 18.7A (TA) 10V 130mohm @ 13.2a, 10V 4V @ 1MA 28 nc @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 81.1W (TA)
PJP2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA90_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP2 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP2NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2A (TA) 10V 6.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 396 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies irls3036trlpbf 3.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLS3036 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 195a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 165a, 10V 2.5V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 11210 pf @ 50 v - 380W (TC)
SQJ402EP-T1_BE3 Vishay Siliconix SQJ402EP-T1_BE3 1.5700
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 742-sqj402ep-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2286 pf @ 25 v - 83W (TC)
BUK7909-75ATE127 Nexperia USA Inc. BUK7909-75ATE127 -
RFQ
 ECAD 4865 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 50a, 10V 4V @ 1MA 121 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 272W (TC)
SIR104DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir104dp-t1-re3 2.4900
RFQ
 ECAD 1220 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir104 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 18.3A (TA), 79A (TC) 7.5V, 10V 6.4mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 20V 4230 pf @ 50 v - 5.4W (TA), 100W (TC)
NVTFS6H888NTAG onsemi nvtfs6h888ntag 0.6200
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS6 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 4.7A (TA), 12A (TC) 10V 55mohm @ 5a, 10V 4V @ 15µA 4.7 NC @ 10 v ± 20V 220 pf @ 40 v - 2.9W (TA), 18W (TC)
PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5546V-AU_R2_002A1 1.0400
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5546 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.7A (TA), 79A (TC) 7V, 10V 5.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 50µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1283 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 65W (TC)
PHB176NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB176NQ04T, 118 -
RFQ
 ECAD 2086 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB17 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 68.9 NC @ 10 v ± 20V 3620 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRLR2908TRLPBF Infineon Technologies irlr2908trlpbf -
RFQ
 ECAD 1144 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 30A (TC) 4.5V, 10V 28mohm @ 23a, 10V 2.5V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 16V 1890 pf @ 25 v - 120W (TC)
IRFS5615TRLPBF Infineon Technologies IRFS5615TRLPBF -
RFQ
 ECAD 4541 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 33A (TC) 10V 42mohm @ 21a, 10V 5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 20V 1750 pf @ 50 v - 144W (TC)
IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix IRFBC40ARST -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1036 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHP22N60E-E3 Vishay Siliconix SIHP22N60E-E3 2.1315
RFQ
 ECAD 5738 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP22N60EE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 100 v - 227W (TC)
SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1469DH-T1-GE3 0.6300
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1469 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TC) 2.5V, 10V 80mohm @ 2a, 10V 1.5V @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 12V 470 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 2.78W (TC)
AUXCLFZ24NSTRL Infineon Technologies auxclfz24nstrl -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 17A (TC) 10V 70mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 370 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 45W (TC)
IRF7807VPBF International Rectifier IRF7807VPBF 1.0000
RFQ
 ECAD 2076 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 30 v 8.3A (TA) 4.5V 25mohm @ 7a, 4.5v 3V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 20V - 2.5W (TA)
IPD079N06L3GBTMA1 Infineon Technologies IPD079N06L3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 7162 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD079 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 4900 pf @ 30 v - 79W (TC)
TSM4NB60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CI 1.1907
RFQ
 ECAD 6597 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 TSM4 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM4NB60CI 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2A, 2A, 10V 2.5ohm 4.5V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 25W (TC)
HUF76113T3ST Fairchild Semiconductor HUF76113T3ST 0.5500
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 4.7A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 4.7a, 10V 3V @ 250µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 625 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
AUIRF7675M2TR Infineon Technologies AUIRF7675M2TR 2.7500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 M2 AUIRF7675 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 M2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 150 v 4.4A (TA), 18A (TC) 10V 56mohm @ 11a, 10V 5V @ 100µa 32 NC @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 2.7W (TA), 45W (TC)
DMTH6009LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPSQ-13 0.3716
RFQ
 ECAD 8197 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH6009 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 11.76A (TA), 89.5A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 33.5 nc @ 10 v ± 16V 1925 pf @ 30 v - 2.8W (TA), 136W (TC)
CSD18510KCS Texas Instruments CSD18510KC 2.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 CSD18510 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 200a (TA) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 100a, 10V 2.3V @ 250µA 75 NC @ 4.5 v ± 20V 11400 pf @ 20 v - 250W (TA)
IRF6616TR1 Infineon Technologies IRF6616TR1 -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 19A (TA), 106A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3765 pf @ 20 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J808 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 7A (TA) 4V, 10V 35mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 100µa 24.2 NC @ 10 v +10V, -20V 1020 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
PMN120ENEX Nexperia USA Inc. PMN120ENEX -
RFQ
 ECAD 2201 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN120 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 123mohm @ 2.4a, 10V 2.7V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 20V 275 pf @ 30 v - 1.4W (TA), 6.25W (TC)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다