SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
APT10025JVR Microchip Technology APT10025JVR 86.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT10025 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 34A (TC) 250mohm @ 500ma, 10V 4V @ 5MA 990 NC @ 10 v 18000 pf @ 25 v -
IRF610B Fairchild Semiconductor IRF610B 0.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 30V 225 pf @ 25 v - 38W (TC)
SPI20N65C3 Infineon Technologies SPI20N65C3 -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
AOTF8N65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AoTF8N65L -
RFQ
ECAD 1032 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF8 MOSFET (금속 (() TO-220F - 영향을받지 영향을받지 785-AoTF8N65L 1 n 채널 650 v 8A (TC) 10V 1.15ohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 30V 1400 pf @ 25 v - 50W
AOTF8T50P Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8T50P -
RFQ
ECAD 8162 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF8 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 8A (TC) 10V 810mohm @ 4a, 10V 5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 905 pf @ 100 v - 38W (TC)
PSMN0R9-25YLDX Nexperia USA Inc. psmn0r9-25yldx 2.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn0r9 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 300A (TC) 4.5V, 10V 0.85mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 89.8 nc @ 10 v ± 20V 6721 pf @ 12 v - 238W (TC)
PMK30EP,518 Nexperia USA Inc. PMK30ep, 518 -
RFQ
ECAD 1298 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.9A (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2240 pf @ 25 v - 6.9W (TC)
STB120N10F4 STMicroelectronics STB120N10F4 -
RFQ
ECAD 2153 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB120N - d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 - 120A (TC) 10V - - ± 20V - 300W (TC)
VN1206L-G-P002 Microchip Technology VN1206L-G-P002 1.7200
RFQ
ECAD 2576 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN1206 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 120 v 230ma (TJ) 2.5V, 10V 6ohm @ 500ma, 10V 2V @ 1mA ± 30V 125 pf @ 25 v - 1W (TC)
TK8Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q60W, S1VQ 2.4800
RFQ
ECAD 7622 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK TK8Q60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 8A (TA) 10V 500mohm @ 4a, 10V 3.7V @ 400µA 18.5 nc @ 10 v ± 30V 570 pf @ 300 v - 80W (TC)
2SK3816-1E onsemi 2SK3816-1E -
RFQ
ECAD 8175 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 197
STB21NM50N STMicroelectronics STB21NM50N -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB21N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 25 v - 140W (TC)
RX3P07CBHC16 Rohm Semiconductor RX3P07CBHC16 5.6500
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RX3P07 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-RX3P07CBHC16 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 120A (TA), 70A (TC) 6V, 10V 5.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 1MA 73 NC @ 10 v ± 20V 4650 pf @ 50 v - 135W (TC)
IPI50R399CPXKSA2 Infineon Technologies IPI50R399CPXKSA2 -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI50R399 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
NVMFS5C468NLAFT3G onsemi NVMFS5C468NLAFT3G 0.4424
RFQ
ECAD 4579 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 13A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 10.3mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 7.3 NC @ 10 v ± 20V 570 pf @ 25 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
EPC2007 EPC EPC2007 -
RFQ
ECAD 5089 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 1,000 n 채널 100 v 6A (TA) 5V 30mohm @ 6a, 5V 2.5V @ 1.2MA 2.8 NC @ 5 v +6V, -5V 205 pf @ 50 v - -
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor RQ5L030SNTL 0.6800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5L030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 85mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 700MW (TA)
DMT15H053SK3-13 Diodes Incorporated DMT15H053SK3-13 0.3573
RFQ
ECAD 6677 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT15 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMT15H053SK3-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 21A (TC) 10V 60mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 814 pf @ 75 v - 1.7W (TA)
XP234N08013R-G Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R-G 0.0798
RFQ
ECAD 1783 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP234 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 800MA (TA) 4.5V, 10V 290mohm @ 400ma, 10V 2.6V @ 250µA 1.32 NC @ 10 v ± 20V 64 pf @ 10 v - 350MW (TA)
DI064P04D1-AQ Diotec Semiconductor DI064P04D1-AQ 1.3932
RFQ
ECAD 6605 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-DI064P04D1-AQTR 8541.29.0000 2,500 p 채널 64A 48.3W
FDZ375P onsemi FDZ375P 2.9200
RFQ
ECAD 532 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLCSP FDZ37 MOSFET (금속 (() 4-WLCSP (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 1.5V, 4.5V 78mohm @ 2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
AO4435_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435_103 -
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 10.5A (TA) 5V, 20V 14mohm @ 11a, 20V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
FDY101PZ onsemi fdy101pz 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 fdy101 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 150MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 100 pf @ 10 v - 625MW (TA)
DMN2011UFDE-13 Diodes Incorporated DMN2011UFDE-13 0.2150
RFQ
ECAD 7969 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN2011 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 11.7A (TA) 1.5V, 4.5V 9.5mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 84 NC @ 10 v ± 12V 3372 pf @ 10 v - 610MW (TA)
PHK12NQ03LT,518 NXP Semiconductors Phk12nq03lt, 518 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 nxp 반도체 Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-PHK12NQ03LT, 518-954 1 n 채널 30 v 11.8A (TJ) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12a, 10V 2V @ 250µA 17.6 NC @ 5 v ± 20V 1335 pf @ 16 v - 2.5W (TA)
AOTF600A70L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF600A70L 1.7300
RFQ
ECAD 750 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF600 MOSFET (금속 (() TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOTF600A70L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 8.5A (TJ) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 15.5 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 27W (TC)
NP55N055SDG-E2-AY Renesas Electronics America Inc NP55N055SDG-e2-ay -
RFQ
ECAD 9798 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 55A (TC)
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
ECAD 9332 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Dual Cool ™, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 듀얼 듀얼 ™ 33 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMC7660DC-600039 1 n 채널 30 v 30A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 22A, 10V 2.5V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5170 pf @ 15 v - 3W (TA), 78W (TC)
STP1N105K3 STMicroelectronics STP1N105K3 1.5600
RFQ
ECAD 565 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 stp1n MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1050 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 600ma, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 180 pf @ 100 v - 60W (TC)
NTMFS4C50NT3G onsemi ntmfs4c50nt3g -
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 21.7A (TA) - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고