SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
PMN120ENEX Nexperia USA Inc. PMN120ENEX -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 PMN120 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 123mohm @ 2.4a, 10V 2.7V @ 250µA 7.4 NC @ 10 v ± 20V 275 pf @ 30 v - 1.4W (TA), 6.25W (TC)
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H (TE12L, q -
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSV-H 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8031 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
IRLL2703TR Infineon Technologies irll2703tr -
RFQ
ECAD 9227 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 3.9A (TA) 4V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 2.4V @ 250µA 14 nc @ 5 v ± 16V 530 pf @ 25 v - 1W (TA)
ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated zxmn3b04n8ta 1.1400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN3 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 7.2A (TA) 2.5V, 4.5V 25mohm @ 7.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 23.1 NC @ 4.5 v ± 12V 2480 pf @ 15 v - 2W (TA)
STD85N10F7AG STMicroelectronics std85n10f7ag 2.3200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD85 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 10MOHM @ 40A, 10V 4.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 85W (TC)
IRLS3036TRL7PP International Rectifier irls3036trl7pp -
RFQ
ECAD 6925 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) - 0000.00.0000 1 n 채널 60 v 240A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 180a, 10V 2.5V @ 250µA 160 nc @ 4.5 v ± 16V 11270 pf @ 50 v - 380W (TC)
AOTF8N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8N60 -
RFQ
ECAD 7652 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF8 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4.5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1370 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPP80N04S3H4AKSA1 Infineon Technologies IPP80N04S3H4AKSA1 -
RFQ
ECAD 6133 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 4.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 65µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRF6215L Infineon Technologies IRF6215L -
RFQ
ECAD 2023 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF6215L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
IRFI630BTU Fairchild Semiconductor IRFI630BTU 0.2300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 720 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 72W (TC)
IRLZ14PBF Vishay Siliconix IRLZ14PBF 1.1100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRLZ14 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRLZ14PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 43W (TC)
IPI70P04P409AKSA1 Infineon Technologies IPI70P04P409AKSA1 -
RFQ
ECAD 2561 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI70p MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000735974 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 72A (TC) 10V 9.4mohm @ 70a, 10V 4V @ 120µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4810 pf @ 25 v - 75W (TC)
FQAF9P25 Fairchild Semiconductor fqaf9p25 1.1300
RFQ
ECAD 590 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 p 채널 250 v 7.1A (TC) 10V 620mohm @ 3.55a, 10V 5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1180 pf @ 25 v - 70W (TC)
FQPF3P20 onsemi FQPF3P20 -
RFQ
ECAD 3390 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 200 v 2.2A (TC) 10V 2.7ohm @ 1.1a, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 32W (TC)
FDMC2674 onsemi FDMC2674 1.7900
RFQ
ECAD 6441 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMC26 MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 220 v 1A (TA), 7A (TC) 10V 366mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1180 pf @ 100 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
IXFN64N60P IXYS ixfn64n60p 36.2800
RFQ
ECAD 7808 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN64 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 96mohm @ 500ma, 10V 5V @ 8MA 200 nc @ 10 v ± 30V 12000 pf @ 25 v - 700W (TC)
FQA16N50 onsemi FQA16N50 -
RFQ
ECAD 5078 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 16A (TC) 10V 320mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 3000 pf @ 25 v - 200W (TC)
PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. pmv65xpear 0.4800
RFQ
ECAD 218 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv65 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.8A (TA) 2.5V, 4.5V 78mohm @ 2.8a, 4.5v 1.25V @ 250µA 9 NC @ 4.5 v ± 12V 618 pf @ 10 v - 480MW (TA), 6.25W (TC)
FDMS0309AS_SN00347 onsemi FDMS0309AS_SN00347 -
RFQ
ECAD 8645 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS03 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 21a, 10V 3V @ 1mA 47 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRL8113STRRPBF Infineon Technologies IRL8113STRRPBF -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
AOI380A60C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI380A60C 1.8600
RFQ
ECAD 6683 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI380 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AOI380A60C 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 5.5a, 10V 3.8V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 955 pf @ 100 v - 125W (TC)
SI6426DQ Fairchild Semiconductor SI6426DQ 0.1900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 5.4A (TA) 2.5V, 4.5V 35mohm @ 5.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 710 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
FDB8442 Fairchild Semiconductor FDB8442 1.6700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 28A (TA), 80A (TC) 10V 2.9mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 235 NC @ 10 v ± 20V 12200 pf @ 25 v - 254W (TC)
FQD7N20LTF onsemi fqd7n20ltf -
RFQ
ECAD 5928 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 200 v 5.5A (TC) 5V, 10V 750mohm @ 2.75a, 10V 2V @ 250µA 9 NC @ 5 v ± 20V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 45W (TC)
TN2404K-T1-GE3 Vishay Siliconix TN2404K-T1-GE3 0.9100
RFQ
ECAD 6237 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TN2404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 240 v 200MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V - 360MW (TA)
AOTF22N50_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF22N50_001 -
RFQ
ECAD 9766 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 - - - AOTF22 MOSFET (금속 (() - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 - - - - - - -
BUK762R0-40E,118 Nexperia USA Inc. BUK762R0-40E, 118 -
RFQ
ECAD 1005 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 109.2 NC @ 10 v ± 20V 8500 pf @ 25 v - 293W (TC)
MMFT2955ET1G onsemi MMFT2955ET1G -
RFQ
ECAD 3767 0.00000000 온세미 * 쓸모없는 MMFT29 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1,000
BTS244Z E3043 Infineon Technologies BTS244Z E3043 -
RFQ
ECAD 1214 0.00000000 인피온 인피온 Tempfet® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 MOSFET (금속 (() P-to220-5-43 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 35A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 19a, 10V 2V @ 130µA 130 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 25 v 온도 온도 다이오드 170W (TC)
AON6782 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6782 -
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 Aon67 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 24A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 12V 6780 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 2.5W (TA), 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고