전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irf644nstrl | - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF644 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 14A (TC) | 10V | 240mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1060 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
![]() | zvn4210astob | - | ![]() | 2004 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 450MA (TA) | 5V, 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 100 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | |||||
![]() | FQB55N06TM | - | ![]() | 9461 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB5 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 55A (TC) | 10V | 20mohm @ 27.5a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 25V | 1690 pf @ 25 v | - | 3.75W (TA), 133W (TC) | |||
![]() | NP88N075KUE-E1-AZ | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 88A (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | APTM100SK33T1G | 54.1400 | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | APTM100 | MOSFET (금속 (() | SP1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 1000 v | 23A (TC) | 10V | 396mohm @ 18a, 10V | 5V @ 2.5MA | 305 NC @ 10 v | ± 30V | 7868 pf @ 25 v | - | 390W (TC) | ||
![]() | DMP2021UFDF-7 | 0.7300 | ![]() | 64 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMP2021 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 9A (TA) | 1.5V, 4.5V | 16mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 59 NC @ 8 v | ± 8V | 2760 pf @ 15 v | - | 730MW (TA) | ||
![]() | TSM4NB65CH | 0.9576 | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM4 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM4NB65CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | n 채널 | 650 v | 4A (TC) | 10V | 3.37ohm @ 2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 13.46 NC @ 10 v | ± 30V | 549 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | PSMN1R0-40YLD/1X | - | ![]() | 7963 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1727-PSMN1R0-40YLD/1X | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SUD25N04-25-T4-E3 | - | ![]() | 6074 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD25 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 510 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 33W (TC) | ||
![]() | IPP65R190E6XKSA1 | 4.2600 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP65R190 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 20.2A (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10V | 3.5V @ 730µA | 73 NC @ 10 v | ± 20V | 1620 pf @ 100 v | - | 151W (TC) | ||
![]() | irf6623tr1pbf | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1360 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA), 42W (TC) | ||||
![]() | BSC024NE2LSATMA1 | 1.1600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC024 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 25A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 30a, 10V | 2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1700 pf @ 12 v | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | ||
![]() | AON7528 | 0.9000 | ![]() | 196 년 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 45A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2895 pf @ 15 v | - | 6.2W (TA), 83W (TC) | ||
![]() | auirfr8401trl | - | ![]() | 6221 | 0.00000000 | 국제 국제 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 10V | 4.25mohm @ 60a, 10V | 3.9V @ 50µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 2200 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | |||||||
![]() | IXTT6N120-TRL | 9.7655 | ![]() | 5996 | 0.00000000 | ixys | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXTT6 | MOSFET (금속 (() | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTT6N120-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 1200 v | 6A (TC) | 10V | 2.6ohm @ 3a, 10V | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | RQ3E130MNTB1 | 0.5072 | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | RQ3E130 | MOSFET (금속 (() | 8-HSMT (3.2x3) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 8.1mohm @ 13a, 10V | 2.5V @ 1mA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 840 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||
![]() | STB20N90K5 | 6.7300 | ![]() | 995 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB20 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 20A (TC) | 10V | 250mohm @ 10a, 10V | 5V @ 100µa | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1500 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | IRF840STRR | - | ![]() | 3701 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF840 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 500 v | 8A (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||
![]() | R6530ENZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 486 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | R6530 | MOSFET (금속 (() | TO-247G | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-R6530ENZ4C13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 140mohm @ 14.5a, 10V | 4V @ 960µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 25 v | - | 305W (TC) | |
![]() | PHB146NQ06LT, 118 | - | ![]() | 1453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB14 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 60 nc @ 5 v | ± 15V | 5675 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||
![]() | IPD096N08N3GATMA1 | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD096 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 73A (TC) | 6V, 10V | 9.6mohm @ 46a, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2410 pf @ 40 v | - | 100W (TC) | ||
![]() | IRF530N, 127 | - | ![]() | 7818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF53 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 17A (TC) | 10V | 110mohm @ 9a, 10V | 4V @ 1MA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 633 pf @ 25 v | - | 79W (TC) | ||
![]() | RSR020P05TL | 0.2984 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RSR020 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 45 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 3V @ 1mA | 4.5 nc @ 4.5 v | ± 20V | 500 pf @ 10 v | - | 540MW (TA) | ||
![]() | irfr020trl | - | ![]() | 6218 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR020 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 640 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||
![]() | NTD4905N-1G | - | ![]() | 2236 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NTD49 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 67A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 2340 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA), 44W (TC) | |||
![]() | PMN28UN, 165 | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (금속 (() | SC-74 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 12 v | 5.7A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 2a, 4.5v | 700mv @ 1ma (유형) | 10.1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 740 pf @ 10 v | - | 1.75W (TC) | ||
![]() | HUF75631S3S | - | ![]() | 9981 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 33A (TC) | 10V | 40mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 79 NC @ 20 v | ± 20V | 1220 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||
![]() | G700P06T | 0.6800 | ![]() | 4406 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 70mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1428 pf @ 30 v | - | 100W (TC) | ||||
![]() | IXFX210N17T | - | ![]() | 3074 | 0.00000000 | ixys | Gigamos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX210 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 170 v | 210A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 60a, 10V | 5V @ 4MA | 285 NC @ 10 v | ± 20V | 18800 pf @ 25 v | - | 1150W (TC) | |||
![]() | STP7NK40ZFP | - | ![]() | 5336 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP7N | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 5.4A (TC) | 10V | 1ohm @ 2.7a, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 NC @ 10 v | ± 30V | 535 pf @ 25 v | - | 25W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고